Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
BSS138-7-F
  • В избранное
  • В сравнение
BSS138-7-F

BSS138-7-F

BSS138-7-F
;
BSS138-7-F

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    BSS138-7-F
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена BSS138-7-F при покупке от 1 шт 37.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSS138-7-F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSS138-7-F

BSS138-7-F DIODES INCORPORATED

  • Транзистор: MOSFET N-канальный
  • Номинальное напряжение коллектора-;base: 50В
  • Номинальный ток дrain-source: 200mA
  • Пакет: SOT23-3

Основные параметры:

  • Резистивность транзистора (Rds(on)): около 40мО при 2.5В
  • Температурный коэффициент Rds(on): +120мО/°C
  • Максимальная рабочая температура: +150°C
  • Максимальная мощность: 350mW

Плюсы:

  • Высокий КПД
  • Низкое значение Rds(on)
  • Малый размер и легкий вес из-за компактного пакета SOT23-3
  • Хорошая термическая стабильность

Минусы:

  • Максимальный ток дrain-source ограничен 200mA, что может быть недостаточно для некоторых приложений
  • Не рекомендуется использовать при высоких температурах свыше +150°C

Общее назначение:

  • Использование в цифровых и аналоговых цепях
  • Активное управление нагрузкой в схемах питания
  • Защита от перегрузки и короткого замыкания

Применение:

  • Цифровые электронные устройства
  • Микроконтроллеры и микросхемы
  • Питание периферийных устройств
  • Мелкие электронные приборы и гаджеты
Выбрано: Показать

Характеристики BSS138-7-F

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    50 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    200mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.5Ohm @ 220mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    50 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    300mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    BSS138

Техническая документация

 BSS138-7-F.pdf
pdf. 0 kb
  • 203103 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    37 ₽
  • 100
    14 ₽
  • 1000
    8.9 ₽
  • 6000
    6.4 ₽
  • 15000
    5.5 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    BSS138-7-F
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена BSS138-7-F при покупке от 1 шт 37.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSS138-7-F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSS138-7-F

BSS138-7-F DIODES INCORPORATED

  • Транзистор: MOSFET N-канальный
  • Номинальное напряжение коллектора-;base: 50В
  • Номинальный ток дrain-source: 200mA
  • Пакет: SOT23-3

Основные параметры:

  • Резистивность транзистора (Rds(on)): около 40мО при 2.5В
  • Температурный коэффициент Rds(on): +120мО/°C
  • Максимальная рабочая температура: +150°C
  • Максимальная мощность: 350mW

Плюсы:

  • Высокий КПД
  • Низкое значение Rds(on)
  • Малый размер и легкий вес из-за компактного пакета SOT23-3
  • Хорошая термическая стабильность

Минусы:

  • Максимальный ток дrain-source ограничен 200mA, что может быть недостаточно для некоторых приложений
  • Не рекомендуется использовать при высоких температурах свыше +150°C

Общее назначение:

  • Использование в цифровых и аналоговых цепях
  • Активное управление нагрузкой в схемах питания
  • Защита от перегрузки и короткого замыкания

Применение:

  • Цифровые электронные устройства
  • Микроконтроллеры и микросхемы
  • Питание периферийных устройств
  • Мелкие электронные приборы и гаджеты
Выбрано: Показать

Характеристики BSS138-7-F

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    50 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    200mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.5Ohm @ 220mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    50 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    300mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    BSS138

Техническая документация

 BSS138-7-F.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IRF8301MTRPBFMOSFET N-CH 30V 34A DIRECTFET
    675Кешбэк 101 балл
    IRFS4115TRL7PPMOSFET N-CH 150V 105A D2PAK
    697Кешбэк 104 балла
    IPW65R190C7XKSA1MOSFET N-CH 650V 13A TO247-3
    732Кешбэк 109 баллов
    IRF2804STRL7PPMOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
    743Кешбэк 111 баллов
    SPW20N60CFDFKSA1MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3
    743Кешбэк 111 баллов
    IRF6715MTRPBFMOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET
    747Кешбэк 112 баллов
    IPA60R199CPXKSA1MOSFET N-CH 650V 16A TO220-FP
    751Кешбэк 112 баллов
    SPA11N60C3XKSA1MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
    751Кешбэк 112 баллов
    IPB120P04P4L03ATMA1MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
    782Кешбэк 117 баллов
    IPL60R125C7AUMA1MOSFET N-CH 600V 17A 4VSON
    784Кешбэк 117 баллов
    SPA20N60C3XKSA1MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-31
    804Кешбэк 120 баллов
    IRFP4127PBFMOSFET N-CH 200V 75A TO247AC
    813Кешбэк 121 балл
    AUIRF6215STRLТранзистор: MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
    815Кешбэк 122 балла
    SPA20N60CFDXKSA1MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-FP
    835Кешбэк 125 баллов
    IPP65R190C6XKSA1MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220-3
    837Кешбэк 125 баллов
    IRL60SL216MOSFET N-CH 60V 195A TO262-3
    842Кешбэк 126 баллов
    IRFS3006TRLPBFMOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
    846Кешбэк 126 баллов
    IPP100N08S2L07AKSA1MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
    853Кешбэк 127 баллов
    IPP80N08S406AKSA1MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
    859Кешбэк 128 баллов
    IPB180P04P4L02ATMA1MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
    870Кешбэк 130 баллов
    AUIRFS3306TRLMOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
    881Кешбэк 132 балла
    IRFS7734TRL7PPMOSFET N-CH 75V 197A D2PAK
    901Кешбэк 135 баллов
    IPZ65R095C7XKSA1MOSFET N-CH 650V 24A TO247-4
    916Кешбэк 137 баллов
    IPB011N04NGATMA1MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
    932Кешбэк 139 баллов
    IPP60R125CPXKSA1MOSFET N-CH 650V 25A TO220-3
    951Кешбэк 142 балла
    IPB180N10S403ATMA1MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
    951Кешбэк 142 балла
    IPA60R165CPXKSA1MOSFET N-CH 600V 21A TO220-FP
    993Кешбэк 148 баллов
    IRFP4004PBFТранзистор: MOSFET N-CH 40V 195A TO247AC
    1 011Кешбэк 151 балл
    AUIRFS4310ZTRLТранзистор: AUIRFS4310Z - 75V-100V N-CHANNEL
    1 022Кешбэк 153 балла
    AUIRF2804STRLMOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
    1 118Кешбэк 167 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды силовые
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Триодные тиристоры - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - мостовые выпрямители
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Высокочастотные диоды
    Симисторы
    Диодные мосты
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Принадлежности
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - Специального назначения
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - JFET
    Симисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП