Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
BSZ031NE2LS5ATMA1
  • В избранное
  • В сравнение
BSZ031NE2LS5ATMA1

BSZ031NE2LS5ATMA1

BSZ031NE2LS5ATMA1
;
BSZ031NE2LS5ATMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    BSZ031NE2LS5ATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 25V 19A/40A TSDSONВсе характеристики

Минимальная цена BSZ031NE2LS5ATMA1 при покупке от 1 шт 250.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSZ031NE2LS5ATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSZ031NE2LS5ATMA1

BSZ031NE2LS5ATMA1 INFINEON MOSFET N-Ч 25В 19А/40А TSDSON

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Номинальное напряжение (VGS(th)): 25В
    • Номинальный ток (ID(on)): 19А при VDS = 20В, 40А при VDS = 10В
    • Тип корпуса: TSDSON
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме ON
    • Низкий сопротивление RDS(on)
    • Устойчивость к ударным напряжениям
    • Малый размер и легкость корпуса
  • Минусы:
    • Необходимо учесть термические проблемы при высоких нагрузках
    • Риски повреждения при неправильной работе с электрическими импульсами
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах для управления током
    • Применяется в источниках питания, преобразователях энергии, схемах управления двигателей
    • Подходит для высокочастотных приложений благодаря низкой скорости переключения
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания
    • Преобразователи напряжения
    • Системы управления двигателей
    • Автомобильная электроника
    • Беспроводные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики BSZ031NE2LS5ATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    25 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    19A (Ta), 40A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.1mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18.3 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1230 pF @ 12 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.1W (Ta), 30W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TSDSON-8-FL
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Base Product Number
    BSZ031

Техническая документация

 BSZ031NE2LS5ATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 7073 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    250 ₽
  • 10
    153 ₽
  • 500
    86 ₽
  • 2500
    73 ₽
  • 10000
    60 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    BSZ031NE2LS5ATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 25V 19A/40A TSDSONВсе характеристики

Минимальная цена BSZ031NE2LS5ATMA1 при покупке от 1 шт 250.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSZ031NE2LS5ATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSZ031NE2LS5ATMA1

BSZ031NE2LS5ATMA1 INFINEON MOSFET N-Ч 25В 19А/40А TSDSON

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Номинальное напряжение (VGS(th)): 25В
    • Номинальный ток (ID(on)): 19А при VDS = 20В, 40А при VDS = 10В
    • Тип корпуса: TSDSON
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме ON
    • Низкий сопротивление RDS(on)
    • Устойчивость к ударным напряжениям
    • Малый размер и легкость корпуса
  • Минусы:
    • Необходимо учесть термические проблемы при высоких нагрузках
    • Риски повреждения при неправильной работе с электрическими импульсами
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах для управления током
    • Применяется в источниках питания, преобразователях энергии, схемах управления двигателей
    • Подходит для высокочастотных приложений благодаря низкой скорости переключения
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания
    • Преобразователи напряжения
    • Системы управления двигателей
    • Автомобильная электроника
    • Беспроводные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики BSZ031NE2LS5ATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    25 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    19A (Ta), 40A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.1mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18.3 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1230 pF @ 12 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.1W (Ta), 30W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TSDSON-8-FL
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Base Product Number
    BSZ031

Техническая документация

 BSZ031NE2LS5ATMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IPZ40N04S5L4R8ATMA1MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
    165Кешбэк 24 балла
    IRFU3607PBFMOSFET N-CH 75V 56A IPAK
    128Кешбэк 19 баллов
    IPL65R230C7AUMA1MOSFET N-CH 650V 10A 4VSON
    559Кешбэк 83 балла
    BSP125H6433XTMA1MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
    89Кешбэк 13 баллов
    IRF6619TR1MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
    333Кешбэк 49 баллов
    IRFR4615TRLPBFMOSFET N-CH 150V 33A DPAK
    291Кешбэк 43 балла
    IPB100N08S207ATMA1MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
    481Кешбэк 72 балла
    IPB100N04S303ATMA1MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
    431Кешбэк 64 балла
    BSZ031NE2LS5ATMA1MOSFET N-CH 25V 19A/40A TSDSON
    250Кешбэк 37 баллов
    IPD60R380P6ATMA1MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
    357Кешбэк 53 балла
    BSZ180P03NS3EGATMA1MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON
    133Кешбэк 19 баллов
    IPD90N08S405ATMA1MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
    363Кешбэк 54 балла
    IRFS7530TRLPBFMOSFET N CH 60V 195A D2PAK
    422Кешбэк 63 балла
    IRF7240TRPBFMOSFET P-CH 40V 10.5A 8SO
    337Кешбэк 50 баллов
    IRFS4229TRLPBFMOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
    803Кешбэк 120 баллов
    IRFH5301TRPBFMOSFET N-CH 30V 35A/100A PQFN
    331Кешбэк 49 баллов
    IRFB4020PBFMOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
    307Кешбэк 46 баллов
    IPB031N08N5ATMA1MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
    709Кешбэк 106 баллов
    IRFR6215TRPBFMOSFET P-CH 150V 13A DPAK
    322Кешбэк 48 баллов
    IPD65R190C7ATMA1MOSFET N-CH 650V 13A TO252-3
    515Кешбэк 77 баллов
    IRFL4310TRPBFMOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
    176Кешбэк 26 баллов
    IRF7341GTRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 5.1A
    416Кешбэк 62 балла
    IPB020N10N5ATMA1MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
    1 094Кешбэк 164 балла
    BSP295H6327XTSA1MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
    187Кешбэк 28 баллов
    BSC265N10LSFGATMA1MOSFET N-CH 100V 6.5A/40A TDSON
    233Кешбэк 34 балла
    IPU60R2K1CEBKMA1MOSFET N-CH 600V 2.3A TO251-3
    42.6Кешбэк 6 баллов
    IRFR3710ZTRLPBFMOSFET N-CH 100V 42A DPAK
    422Кешбэк 63 балла
    BSP129H6327XTSA1MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
    165Кешбэк 24 балла
    IRLS3036TRLPBFТранзистор: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
    798Кешбэк 119 баллов
    BSC0908NSN-CHANNEL POWER MOSFET
    91Кешбэк 13 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - Специального назначения
    Принадлежности
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - Модули
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды силовые
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - TRIACs
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Симисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Драйверы питания - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы
    Транзисторы - JFET
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП