Каталог товаров
Доставка
Оплата
Кешбэк
Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров

Как заказать

О компании

8 800 550-00-22

Доставка Оплата Кешбэк Контакты

Загрузить BOM

Избранное Сравнение Корзина

Вход/Регистрация

Избранное

Войти

Каталог товаров

Дискретные полупроводники

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

BSZ067N06LS3GATMA1

BSZ067N06LS3GATMA1

BSZ067N06LS3GATMA1

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
BSZ067N06LS3GATMA1
Описание:
MOSFET N-CH 60V 14A/20A 8TSDSONВсе характеристики

Минимальная цена BSZ067N06LS3GATMA1 при покупке от 1 шт 292.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSZ067N06LS3GATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики BSZ067N06LS3GATMA1

Package
Tape & Reel (TR)
Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
14A (Ta), 20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.7mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 35µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5100 pF @ 30 V
Рассеивание мощности (Макс)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
PG-TSDSON-8
Корпус
8-PowerVDFN
Base Product Number
BSZ067

Техническая документация

BSZ067N06LS3GATMA1.pdf

pdf. 0 kb

В избранное
В сравнение

5629 шт
3-6 недель

Количество
Цена
1
292 ₽
10
211 ₽
100
151 ₽
1000
112 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
BSZ067N06LS3GATMA1
Описание:
MOSFET N-CH 60V 14A/20A 8TSDSONВсе характеристики

Минимальная цена BSZ067N06LS3GATMA1 при покупке от 1 шт 292.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSZ067N06LS3GATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики BSZ067N06LS3GATMA1

Package
Tape & Reel (TR)
Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
14A (Ta), 20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.7mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 35µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5100 pF @ 30 V
Рассеивание мощности (Макс)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
PG-TSDSON-8
Корпус
8-PowerVDFN
Base Product Number
BSZ067

Техническая документация

BSZ067N06LS3GATMA1.pdf

pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары

Похожие товары

MCQ4822-TP MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOP

163Кешбэк 24 балла

NVMFS6H848NLWFT1G MOSFET N-CH 80V 13A/59A 5DFN

205Кешбэк 30 баллов

SQ2361ES-T1_BE3 MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3

185Кешбэк 27 баллов

FQB46N15TM N-CHANNEL POWER MOSFET

268Кешбэк 40 баллов

NVMYS003N08LHTWG T8 80V LL LFPAK

547Кешбэк 82 балла

SI3420A-TP MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23

79Кешбэк 11 баллов

BSS123W RFG Транзистор: 100V, 0.16A, SINGLE N-CHANNEL PO

41Кешбэк 6 баллов

NVTFS014P04M8LTAG MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN

226Кешбэк 33 балла

MMFTN123 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

29.4Кешбэк 4 балла

BUK6D77-60EX MOSFET N-CH 60V 3.4A/10.6A 6DFN

76Кешбэк 11 баллов

GT100N12D5 N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.

375Кешбэк 56 баллов

SQD100N04-3M6L_GE3 MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA

379Кешбэк 56 баллов

RJ1G08CGNTLL MOSFET N-CH 40V 80A LPTL

529Кешбэк 79 баллов

SISS28DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S

266Кешбэк 39 баллов

NVTFS016N06CTAG MOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN

281Кешбэк 42 балла

2SK4146-S19-AY N-CHANNEL POWER MOSFET

325Кешбэк 48 баллов

IRFS640A N-CHANNEL POWER MOSFET

135Кешбэк 20 баллов

SIUD412ED-T1-GE3 MOSFET N-CH 12V 500MA PPAK 0806

44Кешбэк 6 баллов

GT088N06T N60V,RD(MAX)<9M@10V,RD(MAX)<13M@

259Кешбэк 38 баллов

SSM3J375F,LF MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI

63Кешбэк 9 баллов

AOB125A60L MOSFET N-CH 600V 28A TO263

978Кешбэк 146 баллов

IPP80N08S2L07AKSA1 MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3

610Кешбэк 91 балл

IPW60R125CPFKSA1 MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3

1 364Кешбэк 204 балла

UPA2731T1A-E1-AZ P-CHANNEL POWER MOSFET

399Кешбэк 59 баллов

ISC030N10NM6ATMA1 TRENCH >=100V PG-TDSON-8

654Кешбэк 98 баллов

TK4K1A60F,S4X X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

244Кешбэк 36 баллов

RSR010N10HZGTL MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3

176Кешбэк 26 баллов

IXFH46N65X3 MOSFET 46A 650V X3 TO247

1 882Кешбэк 282 балла

DMN6068SEQ-13 MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT223 T&R

211Кешбэк 31 балл

SISA72DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8

270Кешбэк 40 баллов

Похожие категории

Все товары

Похожие категории

Транзисторы - Специального назначения

Диоды - мостовые выпрямители

Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ

Транзисторы - JFET

Диоды выпрямительные - Модули

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные

Диоды - выпрямители - одиночные

Диоды силовые

Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки

Динисторы (DIAC, SIDAC)

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором

Тиристоры - SCR - модули

Диоды выпрямительные - Одиночные

Биполярные транзисторы - Одиночные

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы

Транзисторы - IGBT - одиночные

Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением

Биполярные транзисторы

Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)

Диодные мосты - Модули

Диоды выпрямительные - Сборки

Программируемые однопереходные транзисторы

Транзисторы - IGBT - модули

Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)

Диоды - ВЧ

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули

Диодные мосты

Биполярные транзисторы - Сборки

IGBT транзисторы

Триодные тиристоры - Модули

Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET

Принадлежности

Транзисторы - программируемые однопереходные

Полевые транзисторы - Сборки

Тиристоры - TRIACs

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами

Триодные тиристоры - Одиночные

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки

Симисторы - Модули

Высокочастотные полевые транзисторы

Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением

Диоды - выпрямители - массивы

Регулирование тока - диоды, транзисторы

Симисторы

Высокочастотные биполярные транзисторы

Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы

Драйверы питания - Модули

Тиристоры - SCR

Полевые транзисторы - Модули

Высокочастотные диоды

Модули драйверов питания

Полевые транзисторы - Одиночные

Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ

Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные

Варикапы и Варакторы

Транзисторы - Модули

Оставьте оценку на Яндексе

Каталог товаров
Доставка
Оплата
Производители
Акции

Как купить
Кешбэк
Как сделать заказ
Загрузка BOM-листа
Возврат и обмен
Состояние заказа

О компании
Отзывы
Новости
Статьи
Вакансии
Правовая информация
Контакты

8 800 550-00-22

Пн-Пт 9:30 - 17:30

Оставьте оценку на Яндексе

Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.

© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали