Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Триодные тиристоры - Одиночные
BT150S-600R,118
  • В избранное
  • В сравнение
BT150S-600R,118

BT150S-600R,118

BT150S-600R,118
;
BT150S-600R,118

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    WeEn Semiconductors
  • Артикул:
    BT150S-600R,118
  • Описание:
    NOW WEEN - BT150S-600R - SILICONВсе характеристики

Минимальная цена BT150S-600R,118 при покупке от 1 шт 232.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BT150S-600R,118 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BT150S-600R,118

BT150S-600R, 118 WeEn Semiconductors NOW WEEN - BT150S-600R - SILICON

  • Тип: Кремниевые полупроводниковые транзисторы
  • Класс: Силовой полупроводниковый транзистор
  • Рейтинг напряжения: 600 В
  • Рейтинг тока: 150 А
  • Тип соединения: NPN
  • Материал: Кремний
  • Плюсы:
  • Высокая надежность
  • Высокие параметры стабильности
  • Прочность при высоких температурах
  • Минусы:
  • Высокое энергетическое сопротивление
  • Необходимость использования дополнительных охлаждающих устройств при больших нагрузках
  • Общее назначение: Используются для управления токами в силовых цепях, регулирования напряжений и тока, защиты электронных устройств от перегрузок и скачков напряжения.
  • В каких устройствах применяются:
  • Силовые преобразователи
  • Автомобильная электроника
  • Инверторы
  • Буст-конвертеры
  • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики BT150S-600R,118

  • Обратное напряжение
    600 V
  • Отпирающее напряжение на управляющем электроде(Vgt) (Макс)
    1 V
  • Отпирающий ток управления (Igt)
    200 µA
  • Напряжение в открытом состоянии (Vtm) (Макс)
    1.8 V
  • Средняя величина прямого тока (It (AV))
    2.5 A
  • Среднеквадратичное значение прямого тока (It (RMS))
    4 A
  • Максимальный ток удержания (Ih)
    6 mA
  • Ток тиристора в закрытом состоянии (Макс)
    500 µA
  • Максимальный ток перегрузки 50, 60Hz (Itsm)
    35A, 38A
  • Тип Тиристора
    Sensitive Gate
  • Рабочая температура
    125°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Исполнение корпуса
    DPAK

Техническая документация

 BT150S-600R,118.pdf
pdf. 0 kb
  • 2258 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    232 ₽
  • 10
    146 ₽
  • 500
    75 ₽
  • 7500
    51 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    WeEn Semiconductors
  • Артикул:
    BT150S-600R,118
  • Описание:
    NOW WEEN - BT150S-600R - SILICONВсе характеристики

Минимальная цена BT150S-600R,118 при покупке от 1 шт 232.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BT150S-600R,118 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BT150S-600R,118

BT150S-600R, 118 WeEn Semiconductors NOW WEEN - BT150S-600R - SILICON

  • Тип: Кремниевые полупроводниковые транзисторы
  • Класс: Силовой полупроводниковый транзистор
  • Рейтинг напряжения: 600 В
  • Рейтинг тока: 150 А
  • Тип соединения: NPN
  • Материал: Кремний
  • Плюсы:
  • Высокая надежность
  • Высокие параметры стабильности
  • Прочность при высоких температурах
  • Минусы:
  • Высокое энергетическое сопротивление
  • Необходимость использования дополнительных охлаждающих устройств при больших нагрузках
  • Общее назначение: Используются для управления токами в силовых цепях, регулирования напряжений и тока, защиты электронных устройств от перегрузок и скачков напряжения.
  • В каких устройствах применяются:
  • Силовые преобразователи
  • Автомобильная электроника
  • Инверторы
  • Буст-конвертеры
  • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики BT150S-600R,118

  • Обратное напряжение
    600 V
  • Отпирающее напряжение на управляющем электроде(Vgt) (Макс)
    1 V
  • Отпирающий ток управления (Igt)
    200 µA
  • Напряжение в открытом состоянии (Vtm) (Макс)
    1.8 V
  • Средняя величина прямого тока (It (AV))
    2.5 A
  • Среднеквадратичное значение прямого тока (It (RMS))
    4 A
  • Максимальный ток удержания (Ih)
    6 mA
  • Ток тиристора в закрытом состоянии (Макс)
    500 µA
  • Максимальный ток перегрузки 50, 60Hz (Itsm)
    35A, 38A
  • Тип Тиристора
    Sensitive Gate
  • Рабочая температура
    125°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Исполнение корпуса
    DPAK

Техническая документация

 BT150S-600R,118.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    VS-ST380CH06C0SCR 600V 2220A TO200AB
    20 646Кешбэк 3 096 баллов
    VS-ST300S20P0PBFSCR 2KV 470A TO209AE
    30 910Кешбэк 4 636 баллов
    EC103D1,412SCR 400V 800MA TO92-3
    44Кешбэк 6 баллов
    BT169B,126SCR 200V 800MA TO92-3
    67Кешбэк 10 баллов
    BT168G,112SCR 600V 800MA TO92-3
    68Кешбэк 10 баллов
    BT169D/01,112SCR 400V 800MA TO92-3
    69Кешбэк 10 баллов
    BT169G,112SCR 600V 800MA TO92-3
    73Кешбэк 10 баллов
    BT169D,116SCR 400V 800MA TO92-3
    74Кешбэк 11 баллов
    BT169D,126SCR 400V 800MA TO92-3
    74Кешбэк 11 баллов
    BT169D,112SCR 400V 800MA TO92-3
    74Кешбэк 11 баллов
    BT169D/DG,126SCR 400V 800MA TO92-3
    78Кешбэк 11 баллов
    BT169D-L,112SCR 400V 800MA TO92-3
    78Кешбэк 11 баллов
    BT149D,112SCR 400V 800MA TO92-3
    79Кешбэк 11 баллов
    BT169D-L,116SCR 400V 800MA TO92-3
    80Кешбэк 12 баллов
    BT151U-650C,127SCR 650V 12A IPAK
    82Кешбэк 12 баллов
    BT149D,126SCR 400V 800MA TO92-3
    83Кешбэк 12 баллов
    BT149G,126SCR 600V 800MA TO92-3
    83Кешбэк 12 баллов
    BT149G,412SCR 600V 800MA TO92-3
    85Кешбэк 12 баллов
    BT168GWF,115SCR 600V 1A SC73
    90Кешбэк 13 баллов
    EC103D1,116NOW WEEN - EC103D1 - SILICON CON
    93Кешбэк 13 баллов
    MCR08BT1,115SCR 200V 800MA SC73
    104Кешбэк 15 баллов
    BT148-400R,127Тиристор: SCR 400V 4A SOT82-3
    120Кешбэк 18 баллов
    BT148-600R,127SCR 600V 4A SOT82-3
    124Кешбэк 18 баллов
    BT151-500C,127SCR 500V 12A TO220AB
    132Кешбэк 19 баллов
    BT148W-600R,115Тиристор: SCR 600V 1A SC73
    146Кешбэк 21 балл
    BT151-650L,127SCR 650V 12A TO220AB
    154Кешбэк 23 балла
    BT258-500R,127SCR 500V 8A TO220AB
    168Кешбэк 25 баллов
    BT258-600R,127SCR 600V 8A TO220AB
    168Кешбэк 25 баллов
    BT151-500R,127Тиристор: SCR 500V 12A TO220AB
    176Кешбэк 26 баллов
    BT151X-650R,127SCR 650V 12A TO220-3
    185Кешбэк 27 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - SCR - модули
    Симисторы - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Симисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диодные мосты
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Диоды силовые
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Тиристоры - SCR
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - ВЧ
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП