Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диодные мосты
BU1006A-M3/45
  • В избранное
  • В сравнение
BU1006A-M3/45

BU1006A-M3/45

BU1006A-M3/45
;
BU1006A-M3/45

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Артикул:
    BU1006A-M3/45
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1P 600V 10A BUВсе характеристики

Минимальная цена BU1006A-M3/45 при покупке от 1 шт 556.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BU1006A-M3/45 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BU1006A-M3/45

BU1006A-M3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BRIDGE RECT 1P 600В 10А BU

  • Основные параметры:
    • Рейтингное напряжение: 600В
    • Рейтингный ток: 10А
    • Количество полупроводников: 6
    • Тип: мостовая резисторная схема (BRIDGE RECT)
    • Количество параллельных диодов: 1
  • Плюсы:
    • Высокая надежность благодаря использованию шести диодов
    • Высокий ток пропускания
    • Устойчивость к обратному напряжению
    • Минимальное внутреннее сопротивление
  • Минусы:
    • Высокие требования к установке и теплоотводу из-за высокого тока пропускания
    • Занимает больше места по сравнению с одиночными диодами
  • Общее назначение:
    • Преобразование переменного тока в постоянный
    • Использование в источниках питания
    • Для работы с высокими напряжениями и токами
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Промышленном оборудовании
    • Электронных приборах
    • Системах энергоснабжения
    • Источниках питания для различных устройств
Выбрано: Показать

Характеристики BU1006A-M3/45

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    10 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 5 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 600 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, BU
  • Исполнение корпуса
    isoCINK+™ BU
  • Base Product Number
    BU1006

Техническая документация

 BU1006A-M3/45.pdf
pdf. 0 kb
  • 686 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    556 ₽
  • 20
    305 ₽
  • 100
    249 ₽
  • 500
    215 ₽
  • 1000
    173 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Артикул:
    BU1006A-M3/45
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1P 600V 10A BUВсе характеристики

Минимальная цена BU1006A-M3/45 при покупке от 1 шт 556.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BU1006A-M3/45 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BU1006A-M3/45

BU1006A-M3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BRIDGE RECT 1P 600В 10А BU

  • Основные параметры:
    • Рейтингное напряжение: 600В
    • Рейтингный ток: 10А
    • Количество полупроводников: 6
    • Тип: мостовая резисторная схема (BRIDGE RECT)
    • Количество параллельных диодов: 1
  • Плюсы:
    • Высокая надежность благодаря использованию шести диодов
    • Высокий ток пропускания
    • Устойчивость к обратному напряжению
    • Минимальное внутреннее сопротивление
  • Минусы:
    • Высокие требования к установке и теплоотводу из-за высокого тока пропускания
    • Занимает больше места по сравнению с одиночными диодами
  • Общее назначение:
    • Преобразование переменного тока в постоянный
    • Использование в источниках питания
    • Для работы с высокими напряжениями и токами
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Промышленном оборудовании
    • Электронных приборах
    • Системах энергоснабжения
    • Источниках питания для различных устройств
Выбрано: Показать

Характеристики BU1006A-M3/45

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    10 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 5 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 600 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, BU
  • Исполнение корпуса
    isoCINK+™ BU
  • Base Product Number
    BU1006

Техническая документация

 BU1006A-M3/45.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    GBU1001BRIDGE RECT 1PHASE 100V 10A GBU
    200Кешбэк 30 баллов
    GBJ2006BRIDGE RECT 1PHASE 600V 20A GBJ
    339Кешбэк 50 баллов
    BU1510-E3/45BRIDGE RECT 1P 1KV 3.4A BU
    608Кешбэк 91 балл
    GBU6005BRIDGE RECT 1PHASE 50V 6A GBU
    145Кешбэк 21 балл
    DF10S-TBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DF-S
    142Кешбэк 21 балл
    GBU402BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A GBU
    275Кешбэк 41 балл
    B380C800DM-E3/45BRIDGE RECT 1P 600V 900MA DFM
    139Кешбэк 20 баллов
    VS-26MB100ABRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A D-34
    1 215Кешбэк 182 балла
    GSIB15A60-E3/45BRIDGE RECT 1P 600V 3.5A GSIB-5S
    630Кешбэк 94 балла
    W06G-E4/51BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A WOG
    199Кешбэк 29 баллов
    W02G-E4/51BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1.5A WOG
    191Кешбэк 28 баллов
    SDB105-TPBRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A SDB-1
    104Кешбэк 15 баллов
    GSIB2560-E3/45BRIDGE RECT 1P 600V 3.5A GSIB-5S
    509Кешбэк 76 баллов
    KBPC1502WBRIDGE RECT 1P 200V 15A KBPC-W
    693Кешбэк 103 балла
    GBPC5010-GДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 50A GBPC
    1 091Кешбэк 163 балла
    GBU801-GBRIDGE RECT 1PHASE 100V 8A GBU
    389Кешбэк 58 баллов
    GBU8G-E3/51BRIDGE RECT 1PHASE 400V 3.9A GBU
    299Кешбэк 44 балла
    GBU4ABRIDGE RECT 1PHASE 50V 4A GBU
    389Кешбэк 58 баллов
    BR82BRIDGE RECT 1PHASE 200V 8A BR-8
    374Кешбэк 56 баллов
    BU1006A5S-E3/45BRIDGE RECT 1P 600V 3A BU-5S
    534Кешбэк 80 баллов
    GSIB2060-E3/45Диод: BRIDGE RECT 1P 600V 3.5A GSIB-5S
    713Кешбэк 106 баллов
    GBU4A-E3/45BRIDGE RECT 1PHASE 50V 3A GBU
    211Кешбэк 31 балл
    KBP206G-GBRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A KBP
    204Кешбэк 30 баллов
    GBPC610-E4/51BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3A GBPC6
    661Кешбэк 99 баллов
    GBU4K-E3/51Диод: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A GBU
    417Кешбэк 62 балла
    GSIB2580N-M3/45Диод: BRIDGE RECT 1P 800V 25A GSIB-5S
    874Кешбэк 131 балл
    KBP202GBRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A KBP
    84Кешбэк 12 баллов
    VS-1KAB10EBRIDGE RECT 1P 100V 1.2A D-38
    526Кешбэк 78 баллов
    G3SBA60-M3/45BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
    456Кешбэк 68 баллов
    GBU4J-E3/45BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A GBU
    432Кешбэк 64 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Принадлежности
    Тиристоры - TRIACs
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Модули драйверов питания
    IGBT транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - SCR
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Триодные тиристоры - Модули
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Симисторы
    Диоды силовые
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП