Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диодные мосты
BU1206-E3/45
  • В избранное
  • В сравнение
BU1206-E3/45

BU1206-E3/45

BU1206-E3/45
;
BU1206-E3/45

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Артикул:
    BU1206-E3/45
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1P 600V 3.4A BUВсе характеристики

Минимальная цена BU1206-E3/45 при покупке от 1 шт 547.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BU1206-E3/45 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BU1206-E3/45

BU1206-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BRIDGE RECT 1P 600В 3,4А BU

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение: 600В
    • Максимальный ток: 3,4А
    • Количество полупроводниковых элементов: 4
    • Тип: мостовой резистор
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Экономичность в использовании
    • Малый размер и легкость установки
  • Минусы:
    • Необходимость дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Могут быть чувствительны к скачкам напряжения
  • Общее назначение:
    • Преобразование переменного тока в постоянный
    • Защита электронных устройств от обратного тока
    • Снижение уровня шума в системах питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Питание бытовой техники
    • Инверторы
    • Промышленные преобразователи
    • Радиоэлектронные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики BU1206-E3/45

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    3.4 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.05 V @ 6 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 600 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, BU
  • Исполнение корпуса
    isoCINK+™ BU
  • Base Product Number
    BU1206

Техническая документация

 BU1206-E3/45.pdf
pdf. 0 kb
  • 7 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    547 ₽
  • 10
    354 ₽
  • 100
    245 ₽
  • 800
    233 ₽
  • 1600
    226 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Артикул:
    BU1206-E3/45
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1P 600V 3.4A BUВсе характеристики

Минимальная цена BU1206-E3/45 при покупке от 1 шт 547.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BU1206-E3/45 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BU1206-E3/45

BU1206-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BRIDGE RECT 1P 600В 3,4А BU

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение: 600В
    • Максимальный ток: 3,4А
    • Количество полупроводниковых элементов: 4
    • Тип: мостовой резистор
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Экономичность в использовании
    • Малый размер и легкость установки
  • Минусы:
    • Необходимость дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Могут быть чувствительны к скачкам напряжения
  • Общее назначение:
    • Преобразование переменного тока в постоянный
    • Защита электронных устройств от обратного тока
    • Снижение уровня шума в системах питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Питание бытовой техники
    • Инверторы
    • Промышленные преобразователи
    • Радиоэлектронные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики BU1206-E3/45

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    3.4 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.05 V @ 6 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 600 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, BU
  • Исполнение корпуса
    isoCINK+™ BU
  • Base Product Number
    BU1206

Техническая документация

 BU1206-E3/45.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DF005S-TBRIDGE RECT 1PHASE 50V 1A DF-S
    115Кешбэк 17 баллов
    DF06S-TBRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DF-S
    115Кешбэк 17 баллов
    DF02S-TBRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DF-S
    117Кешбэк 17 баллов
    DF04S-TBRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A DF-S
    118Кешбэк 17 баллов
    DF1502S-TBRIDGE RECT 1P 200V 1.5A DF-S
    120Кешбэк 18 баллов
    DF1510S-TДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.5A DF-S
    127Кешбэк 19 баллов
    SDA006-7BRIDGE RECT 3P 75V 215MA SOT363
    130Кешбэк 19 баллов
    DF10MBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DFM
    132Кешбэк 19 баллов
    DF1504S-TBRIDGE RECT 1P 400V 1.5A DF-S
    133Кешбэк 19 баллов
    DF08MДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 800KV 1A DFM
    133Кешбэк 19 баллов
    DF08S-TBRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DF-S
    133Кешбэк 19 баллов
    KBP201GДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A KBP
    134Кешбэк 20 баллов
    DF15005S-TBRIDGE RECT 1PHASE 50V 1.5A DF-S
    137Кешбэк 20 баллов
    KBP01GBRIDGE RECT 1PHASE 100V 1.5A KBP
    138Кешбэк 20 баллов
    KBP02GBRIDGE RECT 1PHASE 200V 1.5A KBP
    138Кешбэк 20 баллов
    KBP005GBRIDGE RECT 1PHASE 50V 1.5A KBP
    138Кешбэк 20 баллов
    DF1501S-TBRIDGE RECT 1P 100V 1.5A DF-S
    141Кешбэк 21 балл
    DF10S-TBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DF-S
    142Кешбэк 21 балл
    KBP04GBRIDGE RECT 1PHASE 400V 1.5A KBP
    143Кешбэк 21 балл
    KBP06GBRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A KBP
    152Кешбэк 22 балла
    KBP08GBRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A KBP
    156Кешбэк 23 балла
    DF1506S-TBRIDGE RECT 1P 600V 1.5A DF-S
    161Кешбэк 24 балла
    SBR05M60BLP-7BRIDGE RECT 1P 60V 500MA DFN3030
    161Кешбэк 24 балла
    DF1508S-TBRIDGE RECT 1P 800V 1.5A DF-S
    170Кешбэк 25 баллов
    KBP10GBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.5A KBP
    185Кешбэк 27 баллов
    RH06-TBRIDGE RECT 1P 600V 500MA 4-DIP
    200Кешбэк 30 баллов
    RH04-TBRIDGE RECT 1P 400V 500MA 4-DIP
    217Кешбэк 32 балла
    DF02SBRIDGE RECT 1PHASE 200KV 1A DFS
    233Кешбэк 34 балла
    DF15005SBRIDGE RECT 1PHASE 50V 1.5A DF-S
    241Кешбэк 36 баллов
    KBJ408GДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A KBJ
    246Кешбэк 36 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды силовые
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диодные мосты
    Модули драйверов питания
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    IGBT транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - SCR
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП