Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
BUK6D210-60EX
  • В избранное
  • В сравнение
BUK6D210-60EX

BUK6D210-60EX

BUK6D210-60EX
;
BUK6D210-60EX

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    BUK6D210-60EX
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 2.1A/5.7A 6DFNВсе характеристики

Минимальная цена BUK6D210-60EX при покупке от 1 шт 74.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BUK6D210-60EX с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BUK6D210-60EX

Основные параметры:

  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N-канал (N-CH)
  • Максимальное напряжение сток-исток (Vds): 60 В
  • Максимальный постоянный ток стока (Id): 2.1 А (при Ta=25°C), 5.7 А (при Tc=25°C) - здесь указаны два значения, вероятно, для разных температурных условий или режимов работы.
  • Корпус: 6DFN (Dual Flat No-leads) - компактный корпус для поверхностного монтажа.
  • Производитель: Nexperia USA Inc.
  • SKU: BUK6D210-60EX

Плюсы:

  • Компактный размер: Корпус 6DFN обеспечивает малую площадь на печатной плате, что важно для миниатюрных устройств.
  • Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Предполагается, что у MOSFET этого класса должно быть относительно низкое Rds(on) для минимизации потерь мощности и нагрева.
  • Высокая скорость переключения: MOSFET обычно обладают высокой скоростью переключения, что делает их подходящими для импульсных приложений.
  • Широкий диапазон применения: MOSFET на 60 В с такими токами подходят для многих низковольтных и среднемощных приложений.

Минусы:

  • Ограниченная мощность: Ток 2.1 А / 5.7 А указывает на применение в среднемощных или маломощных схемах. Для более мощных приложений потребуются другие транзисторы.
  • Чувствительность к электростатическому разряду (ESD): Как и большинство MOSFET, этот транзистор может быть чувствителен к ESD, что требует осторожности при обращении.
  • Теплоотвод: В компактном корпусе 6DFN рассеивание тепла может быть ограничено, что требует внимательного проектирования теплоотвода, особенно при работе на максимальных токах.

Общее назначение:

BUK6D210-60EX представляет собой N-канальный MOSFET, предназначенный для использования в качестве ключа или усилителя в низковольтных и среднемощных электронных схемах. Он подходит для управления нагрузками, коммутации питания и в качестве компонента DC-DC преобразователей.

В каких устройствах применяется:

  • Устройства с питанием от батарей: Смартфоны, планшеты, носимая электроника, портативные устройства.
  • DC-DC преобразователи: Для эффективного преобразования напряжения в различных электронных устройствах.
  • Драйверы моторов: Управление маломощными двигателями постоянного тока.
  • Светодиодное освещение: Управление светодиодными лентами или отдельными светодиодами.
  • Автомобильная электроника: Вспомогательные системы, где требуется управление низковольтными нагрузками.
  • Источники питания: Коммутация и регулирование напряжения в различных источниках питания.
  • Промышленная автоматика: Управление небольшими реле, соленоидами или индикаторами.
Выбрано: Показать

Характеристики BUK6D210-60EX

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.1A (Ta), 5.7A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    210mOhm @ 2.1A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.7V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    3.8 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    110 pF @ 30 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2W (Ta), 15W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    DFN2020MD-6
  • Корпус
    6-UDFN Exposed Pad
  • Base Product Number
    BUK6D210

Техническая документация

 BUK6D210-60EX.pdf
pdf. 0 kb
  • 5903 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    74 ₽
  • 100
    33 ₽
  • 1000
    26 ₽
  • 6000
    19.3 ₽
  • 15000
    18 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    BUK6D210-60EX
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 2.1A/5.7A 6DFNВсе характеристики

Минимальная цена BUK6D210-60EX при покупке от 1 шт 74.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BUK6D210-60EX с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BUK6D210-60EX

Основные параметры:

  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N-канал (N-CH)
  • Максимальное напряжение сток-исток (Vds): 60 В
  • Максимальный постоянный ток стока (Id): 2.1 А (при Ta=25°C), 5.7 А (при Tc=25°C) - здесь указаны два значения, вероятно, для разных температурных условий или режимов работы.
  • Корпус: 6DFN (Dual Flat No-leads) - компактный корпус для поверхностного монтажа.
  • Производитель: Nexperia USA Inc.
  • SKU: BUK6D210-60EX

Плюсы:

  • Компактный размер: Корпус 6DFN обеспечивает малую площадь на печатной плате, что важно для миниатюрных устройств.
  • Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Предполагается, что у MOSFET этого класса должно быть относительно низкое Rds(on) для минимизации потерь мощности и нагрева.
  • Высокая скорость переключения: MOSFET обычно обладают высокой скоростью переключения, что делает их подходящими для импульсных приложений.
  • Широкий диапазон применения: MOSFET на 60 В с такими токами подходят для многих низковольтных и среднемощных приложений.

Минусы:

  • Ограниченная мощность: Ток 2.1 А / 5.7 А указывает на применение в среднемощных или маломощных схемах. Для более мощных приложений потребуются другие транзисторы.
  • Чувствительность к электростатическому разряду (ESD): Как и большинство MOSFET, этот транзистор может быть чувствителен к ESD, что требует осторожности при обращении.
  • Теплоотвод: В компактном корпусе 6DFN рассеивание тепла может быть ограничено, что требует внимательного проектирования теплоотвода, особенно при работе на максимальных токах.

Общее назначение:

BUK6D210-60EX представляет собой N-канальный MOSFET, предназначенный для использования в качестве ключа или усилителя в низковольтных и среднемощных электронных схемах. Он подходит для управления нагрузками, коммутации питания и в качестве компонента DC-DC преобразователей.

В каких устройствах применяется:

  • Устройства с питанием от батарей: Смартфоны, планшеты, носимая электроника, портативные устройства.
  • DC-DC преобразователи: Для эффективного преобразования напряжения в различных электронных устройствах.
  • Драйверы моторов: Управление маломощными двигателями постоянного тока.
  • Светодиодное освещение: Управление светодиодными лентами или отдельными светодиодами.
  • Автомобильная электроника: Вспомогательные системы, где требуется управление низковольтными нагрузками.
  • Источники питания: Коммутация и регулирование напряжения в различных источниках питания.
  • Промышленная автоматика: Управление небольшими реле, соленоидами или индикаторами.
Выбрано: Показать

Характеристики BUK6D210-60EX

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.1A (Ta), 5.7A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    210mOhm @ 2.1A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.7V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    3.8 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    110 pF @ 30 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2W (Ta), 15W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    DFN2020MD-6
  • Корпус
    6-UDFN Exposed Pad
  • Base Product Number
    BUK6D210

Техническая документация

 BUK6D210-60EX.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IMZ120R060M1HXKSA1SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4
    1 856Кешбэк 278 баллов
    IMZ120R140M1HXKSA1SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-4
    1 447Кешбэк 217 баллов
    IPW65R145CFD7AXKSA1MOSFET N-CH 650V 17A TO247-3
    684Кешбэк 102 балла
    IPAN70R450P7SXKSA1MOSFET N-CH 700V 10A TO220
    220Кешбэк 33 балла
    BSZ035N03MSGATMA1MOSFET N-CH 30V 18A/40A 8TSDSON
    282Кешбэк 42 балла
    IPA60R190P6XKSA1Транзистор: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
    421Кешбэк 63 балла
    IPA65R280E6XKSA1MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-FP
    567Кешбэк 85 баллов
    IPW65R041CFD7XKSA1650V FET COOLMOS TO247
    1 616Кешбэк 242 балла
    IPA60R125CFD7XKSA1MOSFET N-CH 600V 11A TO220
    624Кешбэк 93 балла
    IPA126N10NM3SXKSA1MOSFET N-CH 100V 39A TO220
    472Кешбэк 70 баллов
    SPP18P06PHXKSA1MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3
    378Кешбэк 56 баллов
    IPA60R600P7SXKSA1MOSFET N-CH 600V 6A TO220
    255Кешбэк 38 баллов
    IPAN70R750P7SXKSA1MOSFET N-CH 700V 6.5A TO220
    107Кешбэк 16 баллов
    IMZA65R039M1HXKSA1SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
    1 647Кешбэк 247 баллов
    IPW60R125C6FKSA1MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
    856Кешбэк 128 баллов
    IPW80R290C3AXKSA1MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3
    1 291Кешбэк 193 балла
    IPA50R250CPXKSA1MOSFET N-CH 500V 13A TO220-FP
    461Кешбэк 69 баллов
    IPW65R018CFD7XKSA1650 V COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION
    2 998Кешбэк 449 баллов
    IPW65R041CFDFKSA2MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3
    2 199Кешбэк 329 баллов
    IQE065N10NM5ATMA1TRENCH >=100V PG-TSON-8
    552Кешбэк 82 балла
    IPZA60R080P7XKSA1MOSFET N-CH 600V 37A TO247-4
    902Кешбэк 135 баллов
    IPP039N10N5AKSA1MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
    647Кешбэк 97 баллов
    IPWS65R050CFD7AXKSA1MOSFET N-CH 650V 45A TO247-3-41
    1 734Кешбэк 260 баллов
    IPA80R1K4CEXKSA2MOSFET N-CH 800V 3.9A TO220
    292Кешбэк 43 балла
    IPA80R650CEXKSA2MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3F
    484Кешбэк 72 балла
    IPA60R600P6XKSA1MOSFET N-CH 600V 4.9A TO220-FP
    174Кешбэк 26 баллов
    IPA60R180P7SXKSA1MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220
    235Кешбэк 35 баллов
    IPS80R600P7AKMA1MOSFET N-CH 800V 8A TO251-3
    584Кешбэк 87 баллов
    IPU95R750P7AKMA1MOSFET N-CH 950V 9A TO251-3
    346Кешбэк 51 балл
    IMZA65R057M1HXKSA1SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
    1 364Кешбэк 204 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Принадлежности
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - SCR - модули
    Варикапы и Варакторы
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП