Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
BUK7M6R3-40EX
  • В избранное
  • В сравнение
BUK7M6R3-40EX

BUK7M6R3-40EX

BUK7M6R3-40EX
;
BUK7M6R3-40EX

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NEXPERIA
  • Артикул:
    BUK7M6R3-40EX
  • Описание:
    MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK33Все характеристики

Минимальная цена BUK7M6R3-40EX при покупке от 1 шт 224.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BUK7M6R3-40EX с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BUK7M6R3-40EX

BUK7M6R3-40EX NEXPERIA MOSFET N-Ч 40В 70А LFPAK33

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 40В
    • Номинальный ток (ID(on)): 70А
    • Форм-фактор: LFPAK33
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения/выключения
    • Низкий ток срабатывания (Ron)
    • Высокая надежность
    • Малый размер
  • Минусы:
    • Необходимо учитывать температурный коэффициент
    • Требуется правильная охлаждение при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Переключение высоких токов
    • Изоляция логических цепей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Системы питания
    • Мобильные устройства
    • Инверторы и преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики BUK7M6R3-40EX

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    70A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.3mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    28.1 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1912 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    79W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    LFPAK33
  • Корпус
    SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
  • Base Product Number
    BUK7M6

Техническая документация

 BUK7M6R3-40EX.pdf
pdf. 0 kb
  • 1491 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    224 ₽
  • 10
    169 ₽
  • 100
    142 ₽
  • 500
    121 ₽
  • 1500
    109 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NEXPERIA
  • Артикул:
    BUK7M6R3-40EX
  • Описание:
    MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK33Все характеристики

Минимальная цена BUK7M6R3-40EX при покупке от 1 шт 224.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BUK7M6R3-40EX с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BUK7M6R3-40EX

BUK7M6R3-40EX NEXPERIA MOSFET N-Ч 40В 70А LFPAK33

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 40В
    • Номинальный ток (ID(on)): 70А
    • Форм-фактор: LFPAK33
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения/выключения
    • Низкий ток срабатывания (Ron)
    • Высокая надежность
    • Малый размер
  • Минусы:
    • Необходимо учитывать температурный коэффициент
    • Требуется правильная охлаждение при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Переключение высоких токов
    • Изоляция логических цепей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Системы питания
    • Мобильные устройства
    • Инверторы и преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики BUK7M6R3-40EX

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    70A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.3mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    28.1 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1912 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    79W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    LFPAK33
  • Корпус
    SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
  • Base Product Number
    BUK7M6

Техническая документация

 BUK7M6R3-40EX.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BUK9516-55A,127MOSFET N-CH 55V 66A TO220AB
    116Кешбэк 17 баллов
    PSMN030-60YS,115MOSFET N-CH 60V 29A LFPAK56
    97Кешбэк 14 баллов
    PMN30UNXMOSFET N-CH 30V 4.5A 6TSOP
    77Кешбэк 11 баллов
    PMPB12UNEXMOSFET N-CH 20V 11.4A 6DFN
    120Кешбэк 18 баллов
    PSMN3R4-30BLE,118MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
    559Кешбэк 83 балла
    PSMN026-80YS,115MOSFET N-CH 80V 34A LFPAK56
    223Кешбэк 33 балла
    PSMN1R4-30YLDXMOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
    324Кешбэк 48 баллов
    BUK7Y19-100EXMOSFET N-CH 100V LFPAK56-SO8
    410Кешбэк 61 балл
    BUK7Y9R9-80EXMOSFET N-CH 80V 89A LFPAK56
    473Кешбэк 70 баллов
    PSMN5R6-60YLXMOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
    287Кешбэк 43 балла
    PHB27NQ10T,118MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
    289Кешбэк 43 балла
    BUK9Y8R7-60E,115MOSFET N-CH 60V 86A LFPAK56
    309Кешбэк 46 баллов
    PSMN005-30K,518MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
    132Кешбэк 19 баллов
    PSMN9R1-30YL,115MOSFET N-CH 30V 57A LFPAK56
    160Кешбэк 24 балла
    PSMN017-80BS,118MOSFET N-CH 80V 50A D2PAK
    392Кешбэк 58 баллов
    PMPB15XPHMOSFET P-CH 12V 8.2A DFN2020MD-6
    136Кешбэк 20 баллов
    BUK7107-55AIE,118MOSFET N-CH 55V 75A SOT426
    708Кешбэк 106 баллов
    BUK9606-75B,118MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
    942Кешбэк 141 балл
    BSS138PW,115Транзистор: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
    37Кешбэк 5 баллов
    PHB29N08T,118MOSFET N-CH 75V 27A D2PAK
    226Кешбэк 33 балла
    PSMN0R7-25YLDXMOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56
    671Кешбэк 100 баллов
    PSMN6R3-120PSMOSFET N-CH 120V 70A TO220AB
    968Кешбэк 145 баллов
    PSMN5R2-60YLXMOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
    351Кешбэк 52 балла
    BSP220,115MOSFET P-CH 200V 225MA SOT223
    289Кешбэк 43 балла
    PMPB20ENZMOSFET N-CH 30V 7.2A DFN2020MD-6
    129Кешбэк 19 баллов
    BUK953R5-60E,127MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
    202Кешбэк 30 баллов
    BUK9540-100A,127MOSFET N-CH 100V 39A TO220AB
    189Кешбэк 28 баллов
    BUK9Y11-80EXMOSFET N-CH 80V 84A LFPAK56
    392Кешбэк 58 баллов
    BUK9Y6R0-60E,115MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
    473Кешбэк 70 баллов
    PSMN1R6-30PL,127MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
    423Кешбэк 63 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Диодные мосты
    Тиристоры - SCR
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные диоды
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Драйверы питания - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - JFET
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП