Каталог товаров
Доставка
Оплата
Кешбэк
Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров

Как заказать

О компании

8 800 550-00-22

Доставка Оплата Кешбэк Контакты

Загрузить BOM

Избранное Сравнение Корзина

Вход/Регистрация

Избранное

Войти

Каталог товаров

Дискретные полупроводники

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

BUK7Y2R5-40HX

BUK7Y2R5-40HX

BUK7Y2R5-40HX

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
Nexperia USA Inc.
Артикул:
BUK7Y2R5-40HX
Описание:
MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56Все характеристики

Минимальная цена BUK7Y2R5-40HX при покупке от 1 шт 462.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BUK7Y2R5-40HX с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики BUK7Y2R5-40HX

Package
Tape & Reel (TR)
Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5mOhm @ 25A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
3.6V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
79 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+20V, -10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4790 pF @ 25 V
Рассеивание мощности (Макс)
190W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
LFPAK56, Power-SO8
Корпус
SC-100, SOT-669
Base Product Number
BUK7Y2

Техническая документация

BUK7Y2R5-40HX.pdf

pdf. 0 kb

В избранное
В сравнение

1400 шт
3-6 недель

Количество
Цена
1
462 ₽
10
294 ₽
50
222 ₽
100
198 ₽
1500
137 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
Nexperia USA Inc.
Артикул:
BUK7Y2R5-40HX
Описание:
MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56Все характеристики

Минимальная цена BUK7Y2R5-40HX при покупке от 1 шт 462.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BUK7Y2R5-40HX с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики BUK7Y2R5-40HX

Package
Tape & Reel (TR)
Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5mOhm @ 25A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
3.6V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
79 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+20V, -10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4790 pF @ 25 V
Рассеивание мощности (Макс)
190W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
LFPAK56, Power-SO8
Корпус
SC-100, SOT-669
Base Product Number
BUK7Y2

Техническая документация

BUK7Y2R5-40HX.pdf

pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары

Похожие товары

2SB817D P-CHANNEL, MOSFET

361Кешбэк 54 балла

SISH114ADN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 18A/35A PPAK

79Кешбэк 11 баллов

SQD70140EL_GE3 MOSFET N-CH 100V 30A TO252AA

191Кешбэк 28 баллов

SIS429DNT-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 20A PPAK1212-8

125Кешбэк 18 баллов

BSC070N10NS3GATMA1 MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8

397Кешбэк 59 баллов

STL260N4F7 MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT

590Кешбэк 88 баллов

SUP70060E-GE3 MOSFET N-CH 100V 131A TO220AB

456Кешбэк 68 баллов

NTMT090N65S3HF POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE

1 226Кешбэк 183 балла

FDMC007N08LCDC MOSFET N-CH 80V 64A 8PQFN

346Кешбэк 51 балл

C3M0075120J-TR SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7

2 437Кешбэк 365 баллов

SIHF065N60E-GE3 MOSFET N-CH 600V 40A TO220

1 306Кешбэк 195 баллов

DMP6185SEQ-13 MOSFET P-CHANNEL 60V 3A SOT223

112Кешбэк 16 баллов

MMSF1310R2 N-CHANNEL POWER MOSFET

47Кешбэк 7 баллов

RFP4N06 N-CHANNEL POWER MOSFET

76Кешбэк 11 баллов

NVB082N65S3F MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK-3

982Кешбэк 147 баллов

SCT040H65G3AG AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE

2 473Кешбэк 370 баллов

IPD380P06NMATMA1 MOSFET P-CH 60V 35A TO252-3

437Кешбэк 65 баллов

FK10KM-12-A8#B00 N-CHANNEL POWER MOSFET

447Кешбэк 67 баллов

IPP60R120P7XKSA1 MOSFET N-CH 600V 26A TO220-3

614Кешбэк 92 балла

R6004KNX MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM

229Кешбэк 34 балла

G6N02L MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23-3L

9.6Кешбэк 1 балл

DMPH6250SQ-7 MOSFET P-CH 60V 2.4A SOT23 T&R

131Кешбэк 19 баллов

IXFN210N30X3 MOSFET N-CH 300V 210A SOT227B

8 810Кешбэк 1 321 балл

NTMFS4C302NT1G MOSFET N-CH 30V 41A/230A 5DFN

392Кешбэк 58 баллов

PMV60ENEAR MOSFET N-CH 40V 3A TO236AB

119Кешбэк 17 баллов

NVMFS6H848NT1G MOSFET N-CH 80V 13A/57A 5DFN

388Кешбэк 58 баллов

SQ3427AEEV-T1_BE3 MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP

136Кешбэк 20 баллов

TPH9R506PL,LQ MOSFET N-CH 60V 34A 8SOP

218Кешбэк 32 балла

SIHF35N60EF-GE3 MOSFET N-CH 600V 32A TO220

1 319Кешбэк 197 баллов

UF3C065080B7S SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7

2 301Кешбэк 345 баллов

Похожие категории

Все товары

Похожие категории

Тиристоры - SCR

Высокочастотные диоды

Диоды - выпрямители - одиночные

Модули драйверов питания

Триодные тиристоры - Модули

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки

Полевые транзисторы - Сборки

Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ

Транзисторы - Специального назначения

Транзисторы - IGBT - модули

Высокочастотные полевые транзисторы

Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET

IGBT транзисторы

Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)

Биполярные транзисторы - Одиночные

Диоды выпрямительные - Одиночные

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами

Высокочастотные биполярные транзисторы

Симисторы

Тиристоры - TRIACs

Транзисторы - JFET

Динисторы (DIAC, SIDAC)

Диодные мосты - Модули

Диоды - мостовые выпрямители

Полевые транзисторы - Модули

Диоды - ВЧ

Программируемые однопереходные транзисторы

Транзисторы - программируемые однопереходные

Регулирование тока - диоды, транзисторы

Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули

Диоды силовые

Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы

Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные

Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением

Диоды - выпрямители - массивы

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные

Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)

Полевые транзисторы - Одиночные

Диодные мосты

Драйверы питания - Модули

Транзисторы - Модули

Варикапы и Варакторы

Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки

Диоды выпрямительные - Сборки

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором

Биполярные транзисторы - Сборки

Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ

Транзисторы - IGBT - одиночные

Принадлежности

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы

Симисторы - Модули

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные

Биполярные транзисторы

Тиристоры - SCR - модули

Триодные тиристоры - Одиночные

Диоды выпрямительные - Модули

Оставьте оценку на Яндексе

Каталог товаров
Доставка
Оплата
Производители
Акции

Как купить
Кешбэк
Как сделать заказ
Загрузка BOM-листа
Возврат и обмен
Состояние заказа

О компании
Отзывы
Новости
Вакансии
Правовая информация
Контакты

8 800 550-00-22

Пн-Пт 9:30 - 17:30

Оставьте оценку на Яндексе

Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.

© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали