Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
BUK9M9R1-40EX

BUK9M9R1-40EX

BUK9M9R1-40EX
;
BUK9M9R1-40EX

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена BUK9M9R1-40EX при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BUK9M9R1-40EX с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BUK9M9R1-40EX

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    64A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.3mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.1V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    16.2 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2048 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    75W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    LFPAK33
  • Корпус
    SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
  • Base Product Number
    BUK9M9

Техническая документация

BUK9M9R1-40EX.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена BUK9M9R1-40EX при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BUK9M9R1-40EX с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BUK9M9R1-40EX

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    64A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.3mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.1V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    16.2 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2048 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    75W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    LFPAK33
  • Корпус
    SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
  • Base Product Number
    BUK9M9

Техническая документация

BUK9M9R1-40EX.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории