Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды выпрямительные - Одиночные
BYG10K-E3/TR3
  • В избранное
  • В сравнение
BYG10K-E3/TR3

BYG10K-E3/TR3

BYG10K-E3/TR3
;
BYG10K-E3/TR3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Артикул:
    BYG10K-E3/TR3
  • Описание:
    DIODE AVALANCHE 800V 1.5AВсе характеристики

Минимальная цена BYG10K-E3/TR3 при покупке от 1 шт 70.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BYG10K-E3/TR3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BYG10K-E3/TR3

BYG10K-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DIODE AVALANCHE 800В 1,5А

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение срабатывания: 800В
    • Рейтингный ток: 1,5А
    • Тип диода: арктический
    • Максимальная мощность: 625мВт
  • Плюсы:
    • Высокое значение номинального напряжения
    • Устойчивость к обратному напряжению
    • Малый размер и легкость применения в компактных устройствах
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Высокий уровень тепловыделения при работе
    • Необходимо соблюдение условий охлаждения
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от импульсных перенапряжений
    • Измерение напряжений (в качестве диодного моста)
    • Переключение низковольтных сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Электропитание и преобразования
    • Инверторы
    • Питание цифровых устройств
    • Защита электронных компонентов
Выбрано: Показать

Характеристики BYG10K-E3/TR3

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип диода
    Avalanche
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    800 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    1.5A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.15 V @ 1.5 A
  • Скорость
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    4 µs
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    1 µA @ 800 V
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    DO-214AC, SMA
  • Исполнение корпуса
    DO-214AC (SMA)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    BYG10

Техническая документация

 BYG10K-E3/TR3.pdf
pdf. 0 kb
  • 9300 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    70 ₽
  • 100
    37.6 ₽
  • 1000
    23.7 ₽
  • 7500
    15.6 ₽
  • 22500
    15.2 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Артикул:
    BYG10K-E3/TR3
  • Описание:
    DIODE AVALANCHE 800V 1.5AВсе характеристики

Минимальная цена BYG10K-E3/TR3 при покупке от 1 шт 70.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BYG10K-E3/TR3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BYG10K-E3/TR3

BYG10K-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DIODE AVALANCHE 800В 1,5А

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение срабатывания: 800В
    • Рейтингный ток: 1,5А
    • Тип диода: арктический
    • Максимальная мощность: 625мВт
  • Плюсы:
    • Высокое значение номинального напряжения
    • Устойчивость к обратному напряжению
    • Малый размер и легкость применения в компактных устройствах
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Высокий уровень тепловыделения при работе
    • Необходимо соблюдение условий охлаждения
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от импульсных перенапряжений
    • Измерение напряжений (в качестве диодного моста)
    • Переключение низковольтных сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Электропитание и преобразования
    • Инверторы
    • Питание цифровых устройств
    • Защита электронных компонентов
Выбрано: Показать

Характеристики BYG10K-E3/TR3

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип диода
    Avalanche
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    800 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    1.5A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.15 V @ 1.5 A
  • Скорость
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    4 µs
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    1 µA @ 800 V
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    DO-214AC, SMA
  • Исполнение корпуса
    DO-214AC (SMA)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    BYG10

Техническая документация

 BYG10K-E3/TR3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FFPF08S60STTUDIODE GEN PURP 600V 8A TO220F-2L
    123Кешбэк 18 баллов
    MMSD914DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123
    12.9Кешбэк 1 балл
    1N3595DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35
    18.4Кешбэк 2 балла
    MMSD4148T3GДиод: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123
    22Кешбэк 3 балла
    NTS245SFT3GDIODE SCHOTTKY 45V 2A SOD123FL
    20.2Кешбэк 3 балла
    BAS19LT1Диод: DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23
    7.4Кешбэк 1 балл
    DSK10C-AT1DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
    22Кешбэк 3 балла
    NSVR0240P2T5GDIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOD923
    33Кешбэк 4 балла
    BAS16WT1GТранзистор: DIODE GEN PURP 100V 200MA SC70-3
    18.4Кешбэк 2 балла
    1N4003RLGДиод: DIODE GEN PURP 200V 1A DO41
    31Кешбэк 4 балла
    MBRD330T4GDIODE SCHOTTKY 30V 3A DPAK
    112Кешбэк 16 баллов
    M1MA152KT1GDIODE GEN PURP 80V 100MA SC59
    27.6Кешбэк 4 балла
    MMSD914T1
    12.2Кешбэк 1 балл
    DS135ADDIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
    27.6Кешбэк 4 балла
    NRVB5100MFST1GДиод: DIODE SCHOTTKY 100V 5A 5DFN
    64Кешбэк 9 баллов
    MBRM120LT3GДиод: DIODE SCHOTTKY 20V 1A POWERMITE
    61Кешбэк 9 баллов
    MBR120ESFT3GDIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123FL
    97Кешбэк 14 баллов
    DSF10TC-BTDIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
    22Кешбэк 3 балла
    NRVA4007T3GDIODE GEN PURP 1000V 1A SMA
    29.4Кешбэк 4 балла
    1N4005GДиод: DIODE GEN PURP 600V 1A DO41
    25.7Кешбэк 3 балла
    SBAS116LT1GДиод: DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3
    18.4Кешбэк 2 балла
    MUR260RLGDIODE GEN PURP 600V 2A AXIAL
    53Кешбэк 7 баллов
    SMMSD4148T1GДиод: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123
    25.7Кешбэк 3 балла
    SBR80520LT1GДиод: DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD123
    75Кешбэк 11 баллов
    NRVBAF360T3GДиод: DIODE SCHOTTKY 60V 4A SMA-FL
    136Кешбэк 20 баллов
    FDLL914ARECTIFIER DIODE, 0.2A, 100V, DO-
    18.4Кешбэк 2 балла
    NSR02L30NXT5GDIODE SCHOTTKY 30V 200MA 2DSN
    68Кешбэк 10 баллов
    1N5402RLDIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
    70Кешбэк 10 баллов
    1N4003GДиод: DIODE GEN PURP 200V 1A DO41
    27.6Кешбэк 4 балла
    FDLL914Диод: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD80
    18.4Кешбэк 2 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Триодные тиристоры - Модули
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - Специального назначения
    Высокочастотные диоды
    Диоды - ВЧ
    Принадлежности
    Транзисторы - JFET
    Модули драйверов питания
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Варикапы и Варакторы
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Симисторы
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП