Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
BYG21M
  • В избранное
  • В сравнение
BYG21M

BYG21M

BYG21M
;
BYG21M

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    TAIWAN SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    BYG21M
  • Описание:
    Диод: DIODE AVALANCHE 1.5A DO214ACВсе характеристики

Минимальная цена BYG21M при покупке от 1 шт 74.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BYG21M с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BYG21M

BYG21M TAIWAN SEMICONDUCTOR Диод: DIODE AVALANCHE 1.5A DO214AC

  • Основные параметры:
    • Рейтингный ток (IР): 1.5 А
    • Номинальное напряжение (UН): 30 В
    • Максимальная разность потенциалов (Uмакс): 40 В
    • Коэффициент восстановления (tвос): <10 мс
  • Плюсы:
    • Высокая способность к восстановлению после обратного перехода
    • Устойчивость к импульсным перенапряжениям
    • Минимальная емкость
    • Экономичное использование энергии
  • Минусы:
    • Высокий коэффициент теплового сопротивления
    • Высокие потери при высоких частотах
    • Высокая чувствительность к скачкам напряжения
  • Общее назначение:
    • Защита электронных устройств от обратного напряжения
    • Обратные диоды для блоков питания
    • Защита от импульсных перенапряжений
    • Диоды для преобразования напряжений
  • В каких устройствах применяется:
    • Блоки питания
    • Передатчики радиочастотного диапазона
    • Системы управления силовыми транзисторами
    • Преобразователи напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики BYG21M

  • Тип диода
    Avalanche
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    1.5A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.6 V @ 1.5 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    120 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    1 µA @ 1000 V
  • Емкость @ Vr, F
    13pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    DO-214AC, SMA
  • Исполнение корпуса
    DO-214AC (SMA)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    BYG21

Техническая документация

 BYG21M.pdf
pdf. 0 kb
  • 408 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    74 ₽
  • 100
    32.4 ₽
  • 1000
    20.2 ₽
  • 7500
    18 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    TAIWAN SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    BYG21M
  • Описание:
    Диод: DIODE AVALANCHE 1.5A DO214ACВсе характеристики

Минимальная цена BYG21M при покупке от 1 шт 74.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BYG21M с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BYG21M

BYG21M TAIWAN SEMICONDUCTOR Диод: DIODE AVALANCHE 1.5A DO214AC

  • Основные параметры:
    • Рейтингный ток (IР): 1.5 А
    • Номинальное напряжение (UН): 30 В
    • Максимальная разность потенциалов (Uмакс): 40 В
    • Коэффициент восстановления (tвос): <10 мс
  • Плюсы:
    • Высокая способность к восстановлению после обратного перехода
    • Устойчивость к импульсным перенапряжениям
    • Минимальная емкость
    • Экономичное использование энергии
  • Минусы:
    • Высокий коэффициент теплового сопротивления
    • Высокие потери при высоких частотах
    • Высокая чувствительность к скачкам напряжения
  • Общее назначение:
    • Защита электронных устройств от обратного напряжения
    • Обратные диоды для блоков питания
    • Защита от импульсных перенапряжений
    • Диоды для преобразования напряжений
  • В каких устройствах применяется:
    • Блоки питания
    • Передатчики радиочастотного диапазона
    • Системы управления силовыми транзисторами
    • Преобразователи напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики BYG21M

  • Тип диода
    Avalanche
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    1.5A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.6 V @ 1.5 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    120 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    1 µA @ 1000 V
  • Емкость @ Vr, F
    13pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    DO-214AC, SMA
  • Исполнение корпуса
    DO-214AC (SMA)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    BYG21

Техническая документация

 BYG21M.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RS1MFSHDIODE, FAST, 1A, 1000V
    55Кешбэк 8 баллов
    SS24HDIODE SCHOTTKY 40V 2A DO214AA
    83Кешбэк 12 баллов
    1SS400 RJGDIODE GEN PURP 100V 200MA SOD523
    35Кешбэк 5 баллов
    BAV20WS-G RRGDIODE GEN PURP 150V 200MA SOD323
    33Кешбэк 4 балла
    SSL24HDIODE SCHOTTKY 40V 2A DO214AA
    173Кешбэк 25 баллов
    F1T4GDIODE GEN PURP 400V 1A TS-1
    55Кешбэк 8 баллов
    RS1DLW RVGDIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W
    110Кешбэк 16 баллов
    HS1GFS50NS, 1A, 400V, HIGH EFFICIENT R
    83Кешбэк 12 баллов
    HS2DAL50NS, 2A, 200V, HIGH EFFICIENT R
    96Кешбэк 14 баллов
    RS1GAL150NS, 1A, 400V, FAST RECOVERY R
    72Кешбэк 10 баллов
    1N5399GHДиод: DIODE GEN PURP 1.5A DO204AC
    61Кешбэк 9 баллов
    HS2DFS50NS, 2A, 200V, HIGH EFFICIENT R
    96Кешбэк 14 баллов
    FR156GДиод: DIODE GPP 800V 1.5A DO15
    64Кешбэк 9 баллов
    HS1DALДиод: 50NS, 1A, 200V, HIGH EFFICIENT R
    83Кешбэк 12 баллов
    RS1DFSHMWGDIODE
    57Кешбэк 8 баллов
    1N5398GHDIODE GEN PURP 800V 1.5A DO204AC
    61Кешбэк 9 баллов
    RS2KFS500NS, 2A, 800V, FAST RECOVERY R
    61Кешбэк 9 баллов
    1N5395GDIODE GEN PURP 400V 1.5A DO204AC
    57Кешбэк 8 баллов
    HS2JFS75NS, 2A, 600V, HIGH EFFICIENT R
    96Кешбэк 14 баллов
    FR154GHDIODE GEN PURP 400V 1.5A DO204AC
    64Кешбэк 9 баллов
    1N5395GHDIODE GEN PURP 400V 1.5A DO204AC
    57Кешбэк 8 баллов
    RS1DHDIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
    61Кешбэк 9 баллов
    1N5397GHDIODE GEN PURP 600V 1.5A DO204AC
    57Кешбэк 8 баллов
    BAT43WS RRGДиод: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD323F
    44Кешбэк 6 баллов
    HS2GAL50NS, 2A, 400V, HIGH EFFICIENT R
    96Кешбэк 14 баллов
    S1KALH1A, 800V, STANDARD RECOVERY RECT
    55Кешбэк 8 баллов
    FR154GДиод: DIODE GPP 400V 1.5A DO15
    64Кешбэк 9 баллов
    1N5397GDIODE GEN PURP 600V 1.5A DO204AC
    57Кешбэк 8 баллов
    HS1GAL50NS, 1A, 400V, HIGH EFFICIENT R
    83Кешбэк 12 баллов
    HS2KFS75NS, 2A, 800V, HIGH EFFICIENT R
    85Кешбэк 12 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Тиристоры - SCR
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Высокочастотные биполярные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Симисторы
    Диоды силовые
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - TRIACs
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    IGBT транзисторы
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП