Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
BYG21MHE3_A/H
  • В избранное
  • В сравнение
BYG21MHE3_A/H

BYG21MHE3_A/H

BYG21MHE3_A/H
;
BYG21MHE3_A/H

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor
  • Артикул:
    BYG21MHE3_A/H
  • Описание:
    DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214ACВсе характеристики

Минимальная цена BYG21MHE3_A/H при покупке от 1 шт 102.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BYG21MHE3_A/H с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BYG21MHE3_A/H

BYG21MHE3_A/H Vishay General Semiconductor DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

  • Основные параметры:
    • Напряжение срабатывания: 1 кВ
    • Ток срабатывания: 1.5 А
    • Форма корпуса: DO214AC
  • Плюсы:
    • Высокая надежность при работе с высокими напряжениями
    • Устойчивость к импульсным перенапряжениям
    • Малый размер и легкий вес корпуса
  • Минусы:
    • Высокие потери при низком токе
    • Не рекомендован для частотных преобразователей
  • Общее назначение:
    • Защита электронных устройств от импульсных перенапряжений
    • Дросселирование в высоковольтных цепях
    • Использование в развязках высокого напряжения
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильных системах
    • Питательных сетях
    • Электроприводах
    • Радиоэлектронной аппаратуре
Выбрано: Показать

Характеристики BYG21MHE3_A/H

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип диода
    Avalanche
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    1000 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    1.5A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.6 V @ 1.5 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    120 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    1 µA @ 1000 V
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    DO-214AC, SMA
  • Исполнение корпуса
    DO-214AC (SMA)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    BYG21

Техническая документация

 BYG21MHE3_A/H.pdf
pdf. 0 kb
  • 515 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    102 ₽
  • 100
    44 ₽
  • 1000
    25 ₽
  • 3600
    20 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor
  • Артикул:
    BYG21MHE3_A/H
  • Описание:
    DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214ACВсе характеристики

Минимальная цена BYG21MHE3_A/H при покупке от 1 шт 102.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BYG21MHE3_A/H с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BYG21MHE3_A/H

BYG21MHE3_A/H Vishay General Semiconductor DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

  • Основные параметры:
    • Напряжение срабатывания: 1 кВ
    • Ток срабатывания: 1.5 А
    • Форма корпуса: DO214AC
  • Плюсы:
    • Высокая надежность при работе с высокими напряжениями
    • Устойчивость к импульсным перенапряжениям
    • Малый размер и легкий вес корпуса
  • Минусы:
    • Высокие потери при низком токе
    • Не рекомендован для частотных преобразователей
  • Общее назначение:
    • Защита электронных устройств от импульсных перенапряжений
    • Дросселирование в высоковольтных цепях
    • Использование в развязках высокого напряжения
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильных системах
    • Питательных сетях
    • Электроприводах
    • Радиоэлектронной аппаратуре
Выбрано: Показать

Характеристики BYG21MHE3_A/H

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип диода
    Avalanche
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    1000 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    1.5A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.6 V @ 1.5 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    120 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    1 µA @ 1000 V
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    DO-214AC, SMA
  • Исполнение корпуса
    DO-214AC (SMA)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    BYG21

Техническая документация

 BYG21MHE3_A/H.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RBR3L60BDDTE25Диод: LOW VF TYPE AUTOMOTIVE SCHOTTKY
    119Кешбэк 17 баллов
    MUR160SDIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA
    83Кешбэк 12 баллов
    BYG10YHE3_A/H1.5A,1600V,STD,AVALANCHE,SMD
    69Кешбэк 10 баллов
    VS-3EYH01HM3/HFRED PT RECTIFIER SLIMSMAW
    87Кешбэк 13 баллов
    STTH30RQ06G-TRДиод: DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK
    521Кешбэк 78 баллов
    V15P8HM3_A/HDIODE SCHOTTKY 80V 15A TO277A
    237Кешбэк 35 баллов
    SB590Диод: SCHOTTKY DO-201 90V 5A
    91Кешбэк 13 баллов
    SGL34-50Диод: SCHOTTKY DO-213AA 50V 0.5A
    18Кешбэк 2 балла
    CDBMS1150-HFDIODE SCHOTTKY 150V 1A SOD-123F
    70Кешбэк 10 баллов
    SUF4007Диод: DIODE UFR MELF 1000V 1A
    59Кешбэк 8 баллов
    CMH07(TE12L,Q,M)DIODE GEN PURP 200V 2A M-FLAT
    148Кешбэк 22 балла
    SBT1040-3GSchottky, 40V, 10A, 0.50V, 135A
    233Кешбэк 34 балла
    RURP1540RECTIFIER, AVALANCHE, 15A, 400V
    306Кешбэк 45 баллов
    RB168L-40TFTE25Диод: SUPER LOW IR TYPE AUTOMOTIVE SCH
    96Кешбэк 14 баллов
    SFAS805GDIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB
    270Кешбэк 40 баллов
    SFAS805GHDIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB
    270Кешбэк 40 баллов
    SFAS806GHDIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
    270Кешбэк 40 баллов
    SFAS808GHDIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
    272Кешбэк 40 баллов
    SDURB1040DIODE GEN PURP 400V D2PAK
    60Кешбэк 9 баллов
    1SS388_R1_00001SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER R
    29.6Кешбэк 4 балла
    SFAS804GDIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
    269Кешбэк 40 баллов
    SFS1008GDIODE GEN PURP 600V 10A TO263AB
    276Кешбэк 41 балл
    SBRFP10U60D1-13Диод: SUPERBARRIERRECTIFIERTO252T&R2.5
    183Кешбэк 27 баллов
    ER2G_R1_00001SMB, SUPER
    94Кешбэк 14 баллов
    ES1G_R1_00001Диод: SMA, SUPER
    59Кешбэк 8 баллов
    FESF16JTHE3_A/PDIODE GEN PURP 600V 16A ITO220AC
    521Кешбэк 78 баллов
    VS-15ETH06STRR-M3DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB
    295Кешбэк 44 балла
    SFAS806GDIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
    270Кешбэк 40 баллов
    1N5400KДиод: DIODE STD DO-15 50V 3A
    53Кешбэк 7 баллов
    S3GSMBДиод: DIODE STD SMB 400V 3A
    48Кешбэк 7 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Симисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диодные мосты
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные диоды
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Модули драйверов питания
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - Специального назначения
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП