Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
BYT56M-TR

BYT56M-TR

BYT56M-TR
;
BYT56M-TR

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена BYT56M-TR при покупке от 1 шт 104.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BYT56M-TR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BYT56M-TR

BYT56M-TR Vishay Semiconductors DIODE AVALANCHE 1000V 3A SOD64

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение срабатывания (VBR): 1000В
    • Максимальный ток срабатывания (ISM): 3А
    • Форм-фактор: SOD64
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение срабатывания до 1000В
    • Высокая способность к разрядам (аваланх-эффект)
    • Устойчивость к импульсным перенапряжениям
    • Компактная форма
  • Минусы:
    • Высокие значения тока срабатывания могут привести к утечкам при нормальных условиях работы
    • Необходимо соблюдать максимальные рабочие температурные условия
  • Общее назначение:
    • Защита электронных устройств от импульсных перенапряжений
    • Замедление процессов восстановления после разрыва контура
    • Использование в системах управления силами
  • Применение в устройствах:
    • Системы управления силами и частотой
    • Защитные цепи для электроники
    • Диоды для высоковольтных приложений
Выбрано: Показать

Характеристики BYT56M-TR

Техническая документация

BYT56M-TR.pdf
pdf. 0 kb
  • 3399 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    104 ₽
  • 100
    89 ₽
  • 2500
    77 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена BYT56M-TR при покупке от 1 шт 104.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BYT56M-TR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BYT56M-TR

BYT56M-TR Vishay Semiconductors DIODE AVALANCHE 1000V 3A SOD64

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение срабатывания (VBR): 1000В
    • Максимальный ток срабатывания (ISM): 3А
    • Форм-фактор: SOD64
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение срабатывания до 1000В
    • Высокая способность к разрядам (аваланх-эффект)
    • Устойчивость к импульсным перенапряжениям
    • Компактная форма
  • Минусы:
    • Высокие значения тока срабатывания могут привести к утечкам при нормальных условиях работы
    • Необходимо соблюдать максимальные рабочие температурные условия
  • Общее назначение:
    • Защита электронных устройств от импульсных перенапряжений
    • Замедление процессов восстановления после разрыва контура
    • Использование в системах управления силами
  • Применение в устройствах:
    • Системы управления силами и частотой
    • Защитные цепи для электроники
    • Диоды для высоковольтных приложений
Выбрано: Показать

Характеристики BYT56M-TR

Техническая документация

BYT56M-TR.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории