Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
BZD17C120P-E3-08
  • В избранное
  • В сравнение
BZD17C120P-E3-08

BZD17C120P-E3-08

BZD17C120P-E3-08
;
BZD17C120P-E3-08

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    BZD17C120P-E3-08
  • Описание:
    DIODE ZENER 120V 800MW DO219ABВсе характеристики

Минимальная цена BZD17C120P-E3-08 при покупке от 1 шт 74.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BZD17C120P-E3-08 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BZD17C120P-E3-08

BZD17C120P-E3-08 — диод зендер от компании Vishay Semiconductors.

  • Напряжение зенда: 120 В
  • Потребляемая мощность: 800 мВт
  • Объемный диэлектрический разъем: DO219AB

Основные параметры:

  • Работает при напряжении до 120 В
  • Максимальная потребляемая мощность 800 мВт
  • Конденсаторное сопротивление

Плюсы:

  • Высокая точность регулирования напряжения
  • Малый размер и легкость интеграции в различные устройства
  • Устойчивость к перегреву

Минусы:

  • Ограниченная мощность (800 мВт)
  • Требует дополнительной защиты от обратного напряжения

Общее назначение:

  • Запирающие диоды для стабилизации напряжения
  • Защита от перенапряжения в электронных цепях
  • Согласование источников питания

Применяется в:

  • Мобильных устройствах
  • Инверторах
  • Диагностических приборах
  • Промышленном оборудовании
Выбрано: Показать

Характеристики BZD17C120P-E3-08

  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    120 V
  • Рассеивание мощности
    800 mW
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    1 µA @ 91 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.2 V @ 200 mA
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    DO-219AB
  • Исполнение корпуса
    DO-219AB (SMF)
  • Base Product Number
    BZD17C120

Техническая документация

 BZD17C120P-E3-08.pdf
pdf. 0 kb
  • 2980 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    74 ₽
  • 100
    32 ₽
  • 1000
    19 ₽
  • 5000
    14.4 ₽
  • 30000
    11 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    BZD17C120P-E3-08
  • Описание:
    DIODE ZENER 120V 800MW DO219ABВсе характеристики

Минимальная цена BZD17C120P-E3-08 при покупке от 1 шт 74.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BZD17C120P-E3-08 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BZD17C120P-E3-08

BZD17C120P-E3-08 — диод зендер от компании Vishay Semiconductors.

  • Напряжение зенда: 120 В
  • Потребляемая мощность: 800 мВт
  • Объемный диэлектрический разъем: DO219AB

Основные параметры:

  • Работает при напряжении до 120 В
  • Максимальная потребляемая мощность 800 мВт
  • Конденсаторное сопротивление

Плюсы:

  • Высокая точность регулирования напряжения
  • Малый размер и легкость интеграции в различные устройства
  • Устойчивость к перегреву

Минусы:

  • Ограниченная мощность (800 мВт)
  • Требует дополнительной защиты от обратного напряжения

Общее назначение:

  • Запирающие диоды для стабилизации напряжения
  • Защита от перенапряжения в электронных цепях
  • Согласование источников питания

Применяется в:

  • Мобильных устройствах
  • Инверторах
  • Диагностических приборах
  • Промышленном оборудовании
Выбрано: Показать

Характеристики BZD17C120P-E3-08

  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    120 V
  • Рассеивание мощности
    800 mW
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    1 µA @ 91 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.2 V @ 200 mA
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    DO-219AB
  • Исполнение корпуса
    DO-219AB (SMF)
  • Base Product Number
    BZD17C120

Техническая документация

 BZD17C120P-E3-08.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RD33ES-T4DIODE ZENER
    13Кешбэк 1 балл
    RD43E(N)-T4DIODE ZENER
    13Кешбэк 1 балл
    RD6.2E(N)-T2DIODE ZENER
    14.8Кешбэк 2 балла
    RD8.2F(10)-T6-AZDIODE ZENER
    61Кешбэк 9 баллов
    RD30F(10)-T6-AZDIODE ZENER
    61Кешбэк 9 баллов
    RD30F-T8-AZDIODE ZENER
    61Кешбэк 9 баллов
    HZ3C3TA-EDIODE ZENER 0.5W
    29.6Кешбэк 4 балла
    HZS24NB2TD-EDIODE ZENER 0.4W
    35Кешбэк 5 баллов
    HZ5CLLTD-EDIODE ZENER 0.25W
    29.6Кешбэк 4 балла
    HZS5A1TA-EDIODE ZENER 0.4W
    29.6Кешбэк 4 балла
    RD2.4ES-AZDIODE ZENER
    14.8Кешбэк 2 балла
    RD8.2JS-AZDIODE ZENER
    14.8Кешбэк 2 балла
    HZ3C1J-EDIODE ZENER
    29.6Кешбэк 4 балла
    HZM2.0NB-JTL-EDIODE ZENER
    41Кешбэк 6 баллов
    HZM16NB1TL-EDIODE ZENER
    41Кешбэк 6 баллов
    HZM16NB3TR-EDIODE ZENER
    41Кешбэк 6 баллов
    HZM27NBTLDIODE ZENER
    80Кешбэк 12 баллов
    HZM3.3NB1TR-EDIODE ZENER
    50Кешбэк 7 баллов
    HZM27NBTL-EDIODE ZENER
    80Кешбэк 12 баллов
    HZM3.3NB2TR-EDIODE ZENER
    50Кешбэк 7 баллов
    HZM5.1NB1TR-EDIODE ZENER
    29.6Кешбэк 4 балла
    HZM5.6NB1JTL-EDIODE ZENER
    29.6Кешбэк 4 балла
    HZM5.1NB3JTL-EDIODE ZENER
    29.6Кешбэк 4 балла
    HZM8.2NB3JTL-EDIODE ZENER
    44.5Кешбэк 6 баллов
    RKZ10B2KG#P1DIODE ZENER 10V
    26Кешбэк 3 балла
    RKZ12B2KG#P1DIODE ZENER
    29.6Кешбэк 4 балла
    RKZ18B2KG#P1DIODE ZENER
    26Кешбэк 3 балла
    HZ9C3TA-EDIODE ZENER 0.5W
    29.6Кешбэк 4 балла
    RD13ES-AZDIODE ZENER
    13Кешбэк 1 балл
    RD9.1JS-AZDIODE ZENER
    14.8Кешбэк 2 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    IGBT транзисторы
    Диодные мосты
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Симисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Симисторы
    Диоды - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды силовые
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - Специального назначения
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП