Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
BZD27C4V7P-HE3-08
  • В избранное
  • В сравнение
BZD27C4V7P-HE3-08

BZD27C4V7P-HE3-08

BZD27C4V7P-HE3-08
;
BZD27C4V7P-HE3-08

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    BZD27C4V7P-HE3-08
  • Описание:
    DIODE ZENER 4.7V 800MW DO219ABВсе характеристики

Минимальная цена BZD27C4V7P-HE3-08 при покупке от 1 шт 78.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BZD27C4V7P-HE3-08 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BZD27C4V7P-HE3-08

BZD27C4V7P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DIODE ZENER 4.7V 800MW DO219AB

  • Основные параметры:
    • Напряжение зенера: 4.7В
    • Максимальная мощность: 800мВт
    • Форм-фактор: DO219AB
  • Плюсы:
    • Высокая стабильность напряжения
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Компактный размер
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с обычными диодами
    • Необходимость соблюдения условий охлаждения при работе на максимальной мощности
  • Общее назначение:
    • Стабилизация напряжения в электронных цепях
    • Защита от подавления импульсов
    • Регулировка напряжения в источниках питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны и другие портативные устройства
    • Автомобильные системы
    • Компьютеры и серверы
    • Источники питания
    • Телевизоры и другие бытовые приборы
Выбрано: Показать

Характеристики BZD27C4V7P-HE3-08

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    4.7 V
  • Рассеивание мощности
    800 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    7 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 1 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.2 V @ 200 mA
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 175°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    DO-219AB
  • Исполнение корпуса
    DO-219AB (SMF)
  • Base Product Number
    BZD27C4V7

Техническая документация

 BZD27C4V7P-HE3-08.pdf
pdf. 0 kb
  • 25916 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    78 ₽
  • 100
    43 ₽
  • 1000
    29.5 ₽
  • 10000
    23.3 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    BZD27C4V7P-HE3-08
  • Описание:
    DIODE ZENER 4.7V 800MW DO219ABВсе характеристики

Минимальная цена BZD27C4V7P-HE3-08 при покупке от 1 шт 78.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BZD27C4V7P-HE3-08 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BZD27C4V7P-HE3-08

BZD27C4V7P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DIODE ZENER 4.7V 800MW DO219AB

  • Основные параметры:
    • Напряжение зенера: 4.7В
    • Максимальная мощность: 800мВт
    • Форм-фактор: DO219AB
  • Плюсы:
    • Высокая стабильность напряжения
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Компактный размер
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с обычными диодами
    • Необходимость соблюдения условий охлаждения при работе на максимальной мощности
  • Общее назначение:
    • Стабилизация напряжения в электронных цепях
    • Защита от подавления импульсов
    • Регулировка напряжения в источниках питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны и другие портативные устройства
    • Автомобильные системы
    • Компьютеры и серверы
    • Источники питания
    • Телевизоры и другие бытовые приборы
Выбрано: Показать

Характеристики BZD27C4V7P-HE3-08

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    4.7 V
  • Рассеивание мощности
    800 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    7 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 1 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.2 V @ 200 mA
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 175°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    DO-219AB
  • Исполнение корпуса
    DO-219AB (SMF)
  • Base Product Number
    BZD27C4V7

Техническая документация

 BZD27C4V7P-HE3-08.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MMSZ33T1DIODE ZENER 33V 500MW SOD123
    7.4Кешбэк 1 балл
    MM3Z68VT1DIODE ZENER VREG 300MW SOD323
    7.4Кешбэк 1 балл
    MM3Z62VT1DIODE ZENER 300MW SOD323
    7.4Кешбэк 1 балл
    SZBZX84C22LT1DIODE ZENER
    14.8Кешбэк 2 балла
    SZBZX84C3V9LT1DIODE ZENER
    14.8Кешбэк 2 балла
    SZBZX84C56LT1DIODE ZENER
    7.4Кешбэк 1 балл
    MMBZ5262ELT1DIODE ZENER
    13Кешбэк 1 балл
    BZX84C27ET1DIODE ZENER 27V 225MW SOT23-3
    7.4Кешбэк 1 балл
    MMSZ3V3ET1DIODE ZENER 3.3V 500MW SOD123
    7.4Кешбэк 1 балл
    MM5Z9V1T1GДиод: DIODE ZENER 9.1V 500MW SOD523
    22.2Кешбэк 3 балла
    MMBZ5226BLT1GДиод: DIODE ZENER 3.3V 225MW SOT23-3
    18.5Кешбэк 2 балла
    MMSZ5240BT3GДиод: DIODE ZENER 10V 500MW SOD123
    18.5Кешбэк 2 балла
    MMBZ5234ELT1DIODE ZENER 6.2V 225MW SOT23-3
    11.1Кешбэк 1 балл
    1N5250BДиод: DIODE ZENER 20V 500MW
    18.5Кешбэк 2 балла
    BZX85C10Диод: DIODE ZENER 10V 1W DO204AL
    29.6Кешбэк 4 балла
    SZBZX84C47LT3GДиод: DIODE ZENER 47V 225MW SOT23-3
    18.5Кешбэк 2 балла
    MMSZ5245ET1GDIODE ZENER 15V 500MW SOD123
    18.5Кешбэк 2 балла
    SZMMBZ5245ELT1GDIODE ZENER 15V 225MW SOT23-3
    65Кешбэк 9 баллов
    BZX84C18LT3GДиод: DIODE ZENER 18V 225MW SOT23-3
    18.5Кешбэк 2 балла
    1N5243BДиод: DIODE ZENER 13V 500MW
    18.5Кешбэк 2 балла
    SZMMSZ4684T1GДиод: DIODE ZENER 3.3V 500MW SOD123
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MM5Z11VT5GDIODE ZENER 11V 500MW SOD523
    37Кешбэк 5 баллов
    MMSZ4691T1GДиод: DIODE ZENER 6.2V 500MW SOD123
    29.6Кешбэк 4 балла
    1N5232BTADIODE ZENER 5.6V 500MW DO35
    5.6Кешбэк 1 балл
    1PMT5927BT1GDIODE ZENER 12V 3.2W POWERMITE
    120Кешбэк 18 баллов
    MMBZ5261BLT1GDIODE ZENER 47V 225MW SOT23-3
    20.4Кешбэк 3 балла
    NZ9F5V1ST5GДиод: DIODE ZENER 5.1V 250MW SOD923
    50Кешбэк 7 баллов
    MZP4729ARLGDIODE ZENER 3.6V 3W AXIAL
    56Кешбэк 8 баллов
    SZMMSZ3V0T1GDIODE ZENER 3V 500MW SOD123
    50Кешбэк 7 баллов
    MMSZ5237ET1GДиод: DIODE ZENER 8.2V 500MW SOD123
    22.2Кешбэк 3 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Принадлежности
    Тиристоры - SCR - модули
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Симисторы
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - IGBT - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    IGBT транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - Модули
    Симисторы - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды силовые
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные диоды
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП