Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
BZD27C6V8P-HE3-08
  • В избранное
  • В сравнение
BZD27C6V8P-HE3-08

BZD27C6V8P-HE3-08

BZD27C6V8P-HE3-08
;
BZD27C6V8P-HE3-08

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    BZD27C6V8P-HE3-08
  • Описание:
    DIODE ZENER 6.8V 800MW DO219ABВсе характеристики

Минимальная цена BZD27C6V8P-HE3-08 при покупке от 1 шт 75.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BZD27C6V8P-HE3-08 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BZD27C6V8P-HE3-08

BZD27C6V8P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DIODE ZENER 6.8В 800МВт DO219AB

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение срабатывания (VZ) - 6.8В
    • Максимальная мощность при переходном процессе (PТ) - 800 мВт
    • Форма корпуса - DO219AB
  • Плюсы:
    • Высокая точность срабатывания
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Долгий срок службы
    • Надежность
  • Минусы:
    • Высокая цена по сравнению с другими типами диодов
    • Меньше подходит для высокочастотных приложений
  • Общее назначение:
    • Способствование стабилизации напряжения
    • Защита электронных схем от перенапряжений
    • Использование в блоках питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны и смартфоны
    • Планшеты и ноутбуки
    • Автомобильные системы
    • Телевизоры и аудиосистемы
    • Блоки питания
Выбрано: Показать

Характеристики BZD27C6V8P-HE3-08

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    6.8 V
  • Рассеивание мощности
    800 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    3 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 3 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.2 V @ 200 mA
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 175°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    DO-219AB
  • Исполнение корпуса
    DO-219AB (SMF)
  • Base Product Number
    BZD27C6V8

Техническая документация

 BZD27C6V8P-HE3-08.pdf
pdf. 0 kb
  • 16944 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    75 ₽
  • 100
    42 ₽
  • 1000
    28.7 ₽
  • 10000
    22.6 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    BZD27C6V8P-HE3-08
  • Описание:
    DIODE ZENER 6.8V 800MW DO219ABВсе характеристики

Минимальная цена BZD27C6V8P-HE3-08 при покупке от 1 шт 75.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BZD27C6V8P-HE3-08 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BZD27C6V8P-HE3-08

BZD27C6V8P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DIODE ZENER 6.8В 800МВт DO219AB

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение срабатывания (VZ) - 6.8В
    • Максимальная мощность при переходном процессе (PТ) - 800 мВт
    • Форма корпуса - DO219AB
  • Плюсы:
    • Высокая точность срабатывания
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Долгий срок службы
    • Надежность
  • Минусы:
    • Высокая цена по сравнению с другими типами диодов
    • Меньше подходит для высокочастотных приложений
  • Общее назначение:
    • Способствование стабилизации напряжения
    • Защита электронных схем от перенапряжений
    • Использование в блоках питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны и смартфоны
    • Планшеты и ноутбуки
    • Автомобильные системы
    • Телевизоры и аудиосистемы
    • Блоки питания
Выбрано: Показать

Характеристики BZD27C6V8P-HE3-08

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    6.8 V
  • Рассеивание мощности
    800 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    3 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 3 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.2 V @ 200 mA
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 175°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    DO-219AB
  • Исполнение корпуса
    DO-219AB (SMF)
  • Base Product Number
    BZD27C6V8

Техническая документация

 BZD27C6V8P-HE3-08.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    TZX14B-TAPДиод: DIODE ZENER 14V 500MW DO35
    24Кешбэк 3 балла
    TZX4V3A-TRДиод: DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35
    42Кешбэк 6 баллов
    1N4758A-TRДиод: DIODE ZENER 56V 1.3W DO41
    42Кешбэк 6 баллов
    TZMC24-GS18Диод: DIODE ZENER 24V 500MW SOD80
    29.4Кешбэк 4 балла
    BZX84C68-G3-08DIODE ZENER 68V 300MW SOT23-3
    48Кешбэк 7 баллов
    MMSZ5238B-E3-18Диод: DIODE ZENER 8.7V 500MW SOD123
    40.5Кешбэк 6 баллов
    TZX16A-TRДиод: DIODE ZENER 16V 500MW DO35
    25.7Кешбэк 3 балла
    MMSZ5245C-E3-18DIODE ZENER 15V 500MW SOD123
    18.4Кешбэк 2 балла
    BZX85B9V1-TRДиод: DIODE ZENER 9.1V 1.3W DO41
    53Кешбэк 7 баллов
    BZD27C20P-M3-08Диод: DIODE ZENER 20V 800MW DO219AB
    57Кешбэк 8 баллов
    GDZ2V4B-E3-08Диод: DIODE ZENER 2.4V 200MW SOD323
    27.6Кешбэк 4 балла
    GDZ2V0B-G3-18DIODE ZENER 2V 200MW SOD323
    33Кешбэк 4 балла
    BZX55B3V9-TAPДиод: DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35
    24Кешбэк 3 балла
    1N4741A-TAPДиод: DIODE ZENER 11V 1.3W DO41
    40.5Кешбэк 6 баллов
    BZD27C6V8P-HE3-08DIODE ZENER 6.8V 800MW DO219AB
    75Кешбэк 11 баллов
    1N4756A-TAPДиод: DIODE ZENER 47V 1.3W DO41
    57Кешбэк 8 баллов
    BZT52B12-G3-08Диод: DIODE ZENER 12V 410MW SOD123
    53Кешбэк 7 баллов
    BZT52B10-E3-08Диод: DIODE ZENER 10V 410MW SOD123
    25.7Кешбэк 3 балла
    BZX84C33-G3-08DIODE ZENER 33V 300MW SOT23-3
    48Кешбэк 7 баллов
    MMSZ4702-E3-08DIODE ZENER 15V 500MW SOD123
    25.7Кешбэк 3 балла
    MMSZ5226B-G3-08Диод: DIODE ZENER 3.3V 500MW SOD123
    31Кешбэк 4 балла
    TZX16C-TAPДиод: DIODE ZENER 16V 500MW DO35
    24Кешбэк 3 балла
    TZX9V1C-TAPДиод: DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35
    18.4Кешбэк 2 балла
    BZX55B20-TRДиод: DIODE ZENER 20V 500MW DO35
    24Кешбэк 3 балла
    MMSZ4699-E3-18Диод: DIODE ZENER 12V 500MW SOD123
    27.6Кешбэк 4 балла
    BZX85B5V1-TAPДиод: DIODE ZENER 5.1V 1.3W DO41
    61Кешбэк 9 баллов
    BZX84B6V2-G3-08DIODE ZENER 6.2V 300MW SOT23-3
    29.4Кешбэк 4 балла
    TZS4679-GS08Диод: DIODE ZENER 2V 500MW SOD80
    25.7Кешбэк 3 балла
    BZX384B3V9-E3-08Диод: DIODE ZENER 3.9V 200MW SOD323
    27.6Кешбэк 4 балла
    BZM55B11-TRDIODE ZENER 11V 500MW MICROMELF
    59Кешбэк 8 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - SCR
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    IGBT транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды силовые
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Драйверы питания - Модули
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Симисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Принадлежности
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - ВЧ
    Симисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП