Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
BZM55B3V9-TR3
  • В избранное
  • В сравнение
BZM55B3V9-TR3

BZM55B3V9-TR3

BZM55B3V9-TR3
;
BZM55B3V9-TR3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Артикул:
    BZM55B3V9-TR3
  • Описание:
    DIODE ZENER 3.9V 500MW MICROMELFВсе характеристики

Минимальная цена BZM55B3V9-TR3 при покупке от 1 шт 33.30 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BZM55B3V9-TR3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BZM55B3V9-TR3

BZM55B3V9-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DIODE ZENER 3.9В 500МВ MICROMELF

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение зенора: 3.9В
    • Максимальная мощность: 500мВт
    • Тип: Микрофильмер (MICROMELF)
  • Плюсы:
    • Малый размер и компактность
    • Высокая надежность и долговечность
    • Высокая скорость отклика
  • Минусы:
    • Меньшая мощность по сравнению с большими диодами зенора
    • Могут быть чувствительны к механическим воздействиям
  • Общее назначение:
    • Защита электронных устройств от переизбыточного напряжения
    • Стабилизация напряжения в схемах
    • Распределение напряжения в цепях
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны и другие портативные устройства
    • Автомобили
    • Компьютеры и периферийное оборудование
    • Игровые приставки и телевизоры
    • Системы управления светом
Выбрано: Показать

Характеристики BZM55B3V9-TR3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    3.9 V
  • Рассеивание мощности
    500 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    600 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    2 µA @ 1 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.5 V @ 200 mA
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 175°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    2-SMD, No Lead
  • Исполнение корпуса
    MicroMELF
  • Base Product Number
    BZM55B3V9

Техническая документация

 BZM55B3V9-TR3.pdf
pdf. 0 kb
  • 9775 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    33.3 ₽
  • 100
    9.6 ₽
  • 1000
    8.3 ₽
  • 5000
    8.1 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Артикул:
    BZM55B3V9-TR3
  • Описание:
    DIODE ZENER 3.9V 500MW MICROMELFВсе характеристики

Минимальная цена BZM55B3V9-TR3 при покупке от 1 шт 33.30 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BZM55B3V9-TR3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BZM55B3V9-TR3

BZM55B3V9-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DIODE ZENER 3.9В 500МВ MICROMELF

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение зенора: 3.9В
    • Максимальная мощность: 500мВт
    • Тип: Микрофильмер (MICROMELF)
  • Плюсы:
    • Малый размер и компактность
    • Высокая надежность и долговечность
    • Высокая скорость отклика
  • Минусы:
    • Меньшая мощность по сравнению с большими диодами зенора
    • Могут быть чувствительны к механическим воздействиям
  • Общее назначение:
    • Защита электронных устройств от переизбыточного напряжения
    • Стабилизация напряжения в схемах
    • Распределение напряжения в цепях
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны и другие портативные устройства
    • Автомобили
    • Компьютеры и периферийное оборудование
    • Игровые приставки и телевизоры
    • Системы управления светом
Выбрано: Показать

Характеристики BZM55B3V9-TR3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    3.9 V
  • Рассеивание мощности
    500 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    600 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    2 µA @ 1 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.5 V @ 200 mA
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 175°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    2-SMD, No Lead
  • Исполнение корпуса
    MicroMELF
  • Base Product Number
    BZM55B3V9

Техническая документация

 BZM55B3V9-TR3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BZX84W-C3V9XDIODE ZENER 3.9V 275MW SOT323
    26Кешбэк 3 балла
    SZMM3Z18VT1GXSZMM3Z18VT1G/SOD323/SOD2
    54Кешбэк 8 баллов
    BZX585-C62,115Диод: DIODE ZENER 62V 300MW SOD523
    52Кешбэк 7 баллов
    BZX79-B3V9,143DIODE ZENER 3.9V 400MW ALF2
    44.5Кешбэк 6 баллов
    PDZ11BGWXДиод: DIODE ZENER 11V 365MW SOD123
    33.3Кешбэк 4 балла
    BZX884-C3V3,315DIODE ZENER 3.3V 250MW DFN1006-2
    39Кешбэк 5 баллов
    PZU4.3B2A,115DIODE ZENER 4.3V 320MW SOD323
    43Кешбэк 6 баллов
    BZT52-C4V3XДиод: DIODE ZENER 4.3V 350MW SOD123
    33.3Кешбэк 4 балла
    PZU4.7B2A,115Диод: DIODE ZENER 4.7V 320MW SOD323
    29.6Кешбэк 4 балла
    BZX84W-C51XDIODE ZENER 51V 275MW SOT323
    37Кешбэк 5 баллов
    PZU5.1B,115Диод: DIODE ZENER 5.1V 310MW SOD323F
    50Кешбэк 7 баллов
    PDZ5.1BGWXДиод: DIODE ZENER 5.1V 365MW SOD123
    22.2Кешбэк 3 балла
    PZU7.5B,115Диод: DIODE ZENER 7.5V 310MW SOD323F
    50Кешбэк 7 баллов
    MM3Z22VT1GXVOLTAGE REGULATOR DIODES
    24Кешбэк 3 балла
    BZX84J-C43,115Диод: DIODE ZENER 43V 550MW SOD323F
    57Кешбэк 8 баллов
    BZX585-B2V4,115Диод: DIODE ZENER 2.4V 300MW SOD523
    57Кешбэк 8 баллов
    PZU2.7B,115DIODE ZENER 2.7V 310MW SOD323F
    63Кешбэк 9 баллов
    MM3Z30VT1GXVOLTAGE REGULATOR DIODES
    24Кешбэк 3 балла
    PZU3.9B2,115Диод: DIODE ZENER 3.9V 310MW SOD323F
    54Кешбэк 8 баллов
    BZT52-C36XДиод: DIODE ZENER 36V 350MW SOD123
    43Кешбэк 6 баллов
    PZU6.2B,115Диод: DIODE ZENER 6.2V 310MW SOD323F
    50Кешбэк 7 баллов
    MM3Z62VT1GXVOLTAGE REGULATOR DIODES
    35Кешбэк 5 баллов
    BZT52H-B16,115Диод: DIODE ZENER 16V 375MW SOD123F
    41Кешбэк 6 баллов
    PDZ6.8BGWXДиод: DIODE ZENER 6.8V 365MW SOD123
    22.2Кешбэк 3 балла
    BZX585-B15,115Диод: DIODE ZENER 15V 300MW SOD523
    61Кешбэк 9 баллов
    BZT52-C20XДиод: DIODE ZENER 20V 350MW SOD123
    43Кешбэк 6 баллов
    BZX38450-C2V4XBZX38450-C2V4/SOD323/SOD2
    44.5Кешбэк 6 баллов
    TDZ13J,115Диод: DIODE ZENER 13V 500MW SOD323F
    54Кешбэк 8 баллов
    BZX79-C27,113Диод: DIODE ZENER 27V 400MW ALF2
    22.2Кешбэк 3 балла
    PZU8.2B1A,115Диод: DIODE ZENER 8.2V 320MW SOD323
    43Кешбэк 6 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    IGBT транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Симисторы
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды силовые
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Принадлежности
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП