Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
BZM55B4V7-TR
  • В избранное
  • В сравнение
BZM55B4V7-TR

BZM55B4V7-TR

BZM55B4V7-TR
;
BZM55B4V7-TR

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    BZM55B4V7-TR
  • Описание:
    DIODE ZENER 4.7V 500MW MICROMELFВсе характеристики

Минимальная цена BZM55B4V7-TR при покупке от 1 шт 31.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BZM55B4V7-TR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BZM55B4V7-TR

BZM55B4V7-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division DIODE ZENER 4.7V 500MW MICROMELF

  • Основные параметры:
    • Напряжение зазора (Zener voltage): 4.7В
    • Мощность: 500 мВт
    • Формат: Микрофил
  • Плюсы:
    • Высокая стабильность напряжения
    • Компактный размер
    • Высокая мощность при небольших размерах
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Высокое сопротивление при прямом подключении
    • Необходимо учитывать влияние температуры на характеристики
  • Общее назначение:
    • Стабилизация напряжения в электронных цепях
    • Защита от перенапряжений
    • Контроль уровня напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны и смартфоны
    • Игровые консоли
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Медицинское оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики BZM55B4V7-TR

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    4.7 V
  • Рассеивание мощности
    500 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    600 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    500 nA @ 1 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.5 V @ 200 mA
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 175°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    2-SMD, No Lead
  • Исполнение корпуса
    MicroMELF
  • Base Product Number
    BZM55B4V7

Техническая документация

 BZM55B4V7-TR.pdf
pdf. 0 kb
  • 7161 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    31 ₽
  • 25
    17.8 ₽
  • 500
    8.6 ₽
  • 2500
    8 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    BZM55B4V7-TR
  • Описание:
    DIODE ZENER 4.7V 500MW MICROMELFВсе характеристики

Минимальная цена BZM55B4V7-TR при покупке от 1 шт 31.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BZM55B4V7-TR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BZM55B4V7-TR

BZM55B4V7-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division DIODE ZENER 4.7V 500MW MICROMELF

  • Основные параметры:
    • Напряжение зазора (Zener voltage): 4.7В
    • Мощность: 500 мВт
    • Формат: Микрофил
  • Плюсы:
    • Высокая стабильность напряжения
    • Компактный размер
    • Высокая мощность при небольших размерах
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Высокое сопротивление при прямом подключении
    • Необходимо учитывать влияние температуры на характеристики
  • Общее назначение:
    • Стабилизация напряжения в электронных цепях
    • Защита от перенапряжений
    • Контроль уровня напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны и смартфоны
    • Игровые консоли
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Медицинское оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики BZM55B4V7-TR

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    4.7 V
  • Рассеивание мощности
    500 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    600 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    500 nA @ 1 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.5 V @ 200 mA
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 175°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    2-SMD, No Lead
  • Исполнение корпуса
    MicroMELF
  • Base Product Number
    BZM55B4V7

Техническая документация

 BZM55B4V7-TR.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    JANTXV1N6309DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35
    4 335Кешбэк 650 баллов
    CMHZ5239B TR PBFREEДиод: DIODE ZENER 9.1V 500MW SOD123
    67Кешбэк 10 баллов
    1N936BДиод: DIODE ZENER 9V 500MW DO35
    1 139Кешбэк 170 баллов
    JANTX1N4460Диод: DIODE ZENER 6.2V 1.5W DO204AL
    3 150Кешбэк 472 балла
    MMSZ5243C-HE3-08Диод: DIODE ZENER 13V 500MW SOD123
    33.3Кешбэк 4 балла
    MM5Z12VT5GFVOLTAGE REGULATOR DIODES
    54Кешбэк 8 баллов
    BZX79-C6V8,143Диод: DIODE ZENER 6.8V 400MW ALF2
    24Кешбэк 3 балла
    JANTX1N4975Диод: DIODE ZENER 51V 5W AXIAL
    1 243Кешбэк 186 баллов
    SML4739A-E3/5ADIODE ZENER 9.1V 1W DO214AC
    139Кешбэк 20 баллов
    1SMC5352DIODE ZENER 15V 5W DO214AB
    206Кешбэк 30 баллов
    BZV85-C12,133Диод: DIODE ZENER 12V 1W DO41
    22.2Кешбэк 3 балла
    BZX384B33-HE3-08DIODE ZENER 33V 200MW SOD323
    50Кешбэк 7 баллов
    JAN1N4962DIODE ZENER 15V 5W AXIAL
    969Кешбэк 145 баллов
    BZT52C36TQ-7-FДиод: ZENER DIODE SOD523 T&R 3K
    28Кешбэк 4 балла
    1SMA5934_R1_00001SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIOD
    43Кешбэк 6 баллов
    1N5252B/TRVOLTAGE REGULATOR
    765Кешбэк 114 баллов
    MMSZ5263B-7-FДиод: DIODE ZENER 56V 500MW SOD123
    28Кешбэк 4 балла
    1N5231B/TRVOLTAGE REGULATOR
    509Кешбэк 76 баллов
    MMSZ5249BДиод: DIODE ZENER 19V 0.5W 5% UNIDIR
    46Кешбэк 6 баллов
    JANTX1N4623-1Диод: DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35
    741Кешбэк 111 баллов
    JANTX1N4478DIODE ZENER 36V 1.5W DO41
    1 208Кешбэк 181 балл
    UDZVFHTE-1716BДиод: DIODE ZENER 16V 200MW UMD2
    46Кешбэк 6 баллов
    JANTX1N4958DIODE ZENER 10V 5W AXIAL
    1 252Кешбэк 187 баллов
    JANTX1N753AUR-1Диод: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA
    745Кешбэк 111 баллов
    NTE5035AДиод: DIODE ZENER 30V 500 MV DO35
    145Кешбэк 21 балл
    BZX79-B3V6,133DIODE ZENER 3.6V 400MW ALF2
    41Кешбэк 6 баллов
    CMDZ1L8 TR PBFREEДиод: DIODE ZENER 1.8V 250MW SOD323
    76Кешбэк 11 баллов
    PDZVTFTR8.2BDIODE ZENER 8.2V 1W PMDTM
    80Кешбэк 12 баллов
    BZT52HC10WF-7Диод: DIODE ZENER 10V 375MW SOD123F
    26Кешбэк 3 балла
    BZT52C12-E3-08Диод: DIODE ZENER 12V 410MW SOD123
    18Кешбэк 2 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - Специального назначения
    Драйверы питания - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - TRIACs
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды силовые
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    IGBT транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП