Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
BZM55B8V2-TR3
  • В избранное
  • В сравнение
BZM55B8V2-TR3

BZM55B8V2-TR3

BZM55B8V2-TR3
;
BZM55B8V2-TR3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    BZM55B8V2-TR3
  • Описание:
    DIODE ZENER 8.2V 500MW MICROMELFВсе характеристики

Минимальная цена BZM55B8V2-TR3 при покупке от 1 шт 59.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BZM55B8V2-TR3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BZM55B8V2-TR3

BZM55B8V2-TR3 Vishay Semiconductors DIODE ZENER 8.2V 500MW MICROMELF

  • Основные параметры:
    • Тип: диод зендер
    • Рабочее напряжение: 8.2 В
    • Максимальная мощность: 500 мВт
    • Форм-фактор: микромелф (микропакет)
  • Плюсы:
    • Высокая стабильность напряжения
    • Короткий переходный процесс
    • Низкий смещенный ток
    • Устойчивость к коротким замыканиям
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с обычными диодами
    • Меньше возможностей для регулировки напряжения
  • Общее назначение:
    • Стабилизация напряжения
    • Защита от перенапряжений
    • Регулировка напряжения в источниках питания
  • Применение в устройствах:
    • Системах управления напряжением
    • Мобильных устройствах
    • Автомобильных электрониках
    • Иllumination systems (системах освещения)
Выбрано: Показать

Характеристики BZM55B8V2-TR3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    8.2 V
  • Рассеивание мощности
    500 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    50 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    100 nA @ 6.2 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.5 V @ 200 mA
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 175°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    2-SMD, No Lead
  • Исполнение корпуса
    MicroMELF
  • Base Product Number
    BZM55B8V2

Техническая документация

 BZM55B8V2-TR3.pdf
pdf. 0 kb
  • 9990 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    59 ₽
  • 100
    26 ₽
  • 1000
    12.4 ₽
  • 5000
    9.4 ₽
  • 20000
    6.1 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    BZM55B8V2-TR3
  • Описание:
    DIODE ZENER 8.2V 500MW MICROMELFВсе характеристики

Минимальная цена BZM55B8V2-TR3 при покупке от 1 шт 59.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BZM55B8V2-TR3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BZM55B8V2-TR3

BZM55B8V2-TR3 Vishay Semiconductors DIODE ZENER 8.2V 500MW MICROMELF

  • Основные параметры:
    • Тип: диод зендер
    • Рабочее напряжение: 8.2 В
    • Максимальная мощность: 500 мВт
    • Форм-фактор: микромелф (микропакет)
  • Плюсы:
    • Высокая стабильность напряжения
    • Короткий переходный процесс
    • Низкий смещенный ток
    • Устойчивость к коротким замыканиям
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с обычными диодами
    • Меньше возможностей для регулировки напряжения
  • Общее назначение:
    • Стабилизация напряжения
    • Защита от перенапряжений
    • Регулировка напряжения в источниках питания
  • Применение в устройствах:
    • Системах управления напряжением
    • Мобильных устройствах
    • Автомобильных электрониках
    • Иllumination systems (системах освещения)
Выбрано: Показать

Характеристики BZM55B8V2-TR3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    8.2 V
  • Рассеивание мощности
    500 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    50 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    100 nA @ 6.2 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.5 V @ 200 mA
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 175°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    2-SMD, No Lead
  • Исполнение корпуса
    MicroMELF
  • Base Product Number
    BZM55B8V2

Техническая документация

 BZM55B8V2-TR3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MM3Z4V7Диод: ZENERDIODE,SOD-323,4.7V,0.3W,5%
    20.4Кешбэк 3 балла
    MM3Z5V6Диод: ZENERDIODE,SOD-323,5.6V,0.3W,5%
    18.5Кешбэк 2 балла
    BZX84B33Диод: Zener, 33V, 0.3W, 2%
    10.4Кешбэк 1 балл
    CZRB5365B-HFДиод: DIODE ZENER 36V 5W DO214AA
    195Кешбэк 29 баллов
    MMSZ5233B_R1_00001Диод: SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIOD
    23Кешбэк 3 балла
    BZX38450-C33-QXBZX38450-C33-Q/SOD323/SOD2
    64Кешбэк 9 баллов
    BZX884-C3V3,315DIODE ZENER 3.3V 250MW DFN1006-2
    39Кешбэк 5 баллов
    SMBJ5356B-TPДиод: DIODE ZENER 19V 5W DO214AA
    113Кешбэк 16 баллов
    BZX55C62-TAPДиод: DIODE ZENER 62V 500MW DO35
    41Кешбэк 6 баллов
    NZX4V7D,133Диод: DIODE ZENER 4.8V 500MW ALF2
    43Кешбэк 6 баллов
    BZX84C5V6LT116Диод: DIODE ZENER 5.6V 250MW SSD3
    37Кешбэк 5 баллов
    MM1Z4735AДиод: ZENERDIODE,SOD-123FL,6.2V,1W,5%
    39Кешбэк 5 баллов
    DDZ9687-7Диод: DIODE ZENER 4.31V 500MW SOD123
    50Кешбэк 7 баллов
    TDZVTR15Диод: DIODE ZENER 15V 500MW TUMD2M
    96Кешбэк 14 баллов
    MM1Z4753AДиод: ZENERDIODE,SOD-123FL,36V,1W,5%
    31.5Кешбэк 4 балла
    BZX84C24-E3-18Диод: DIODE ZENER 24V 300MW SOT23-3
    43Кешбэк 6 баллов
    BZX84C7V5LT116Диод: DIODE ZENER 7.5V 250MW SSD3
    37Кешбэк 5 баллов
    KDZTR10BDIODE ZENER 10.3V 1W PMDU
    109Кешбэк 16 баллов
    BZX84C7V5-7-FДиод: DIODE ZENER 7.5V 300MW SOT23-3
    18.5Кешбэк 2 балла
    BZT585B33T-7Диод: DIODE ZENER 33V 350MW SOD523
    23Кешбэк 3 балла
    DDZ43-7DIODE ZENER 43V 500MW SOD123
    26Кешбэк 3 балла
    PZU4.3B2A,115DIODE ZENER 4.3V 320MW SOD323
    43Кешбэк 6 баллов
    MMSZ5238B-TPДиод: DIODE ZENER 8.7V 500MW SOD123
    29.6Кешбэк 4 балла
    BZX84B33VLFHT116DIODE ZENER 33V 250MW SSD3
    50Кешбэк 7 баллов
    MMSZ5249B-E3-08Диод: DIODE ZENER 19V 500MW SOD123
    50Кешбэк 7 баллов
    BZT52-C6V2-AU_R1_000A1SOD-123, ZENER
    20.4Кешбэк 3 балла
    SZMM3Z13VT1GДиод: DIODE ZENER 13.2V 300MW SOD323
    52Кешбэк 7 баллов
    MMSZ5233BT1DIODE ZENER 6V 500MW SOD123
    14Кешбэк 2 балла
    BZT52-C4V3XДиод: DIODE ZENER 4.3V 350MW SOD123
    33.3Кешбэк 4 балла
    BZX84B5V1-TPДиод: DIODE ZENER 5.1V 350MW SOT23
    44.5Кешбэк 6 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Принадлежности
    Диодные мосты
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - JFET
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды силовые
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Модули драйверов питания
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП