Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
BZT52B11-G RHG
  • В избранное
  • В сравнение
BZT52B11-G RHG

BZT52B11-G RHG

BZT52B11-G RHG
;
BZT52B11-G RHG

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor Corporation
  • Артикул:
    BZT52B11-G RHG
  • Описание:
    DIODE ZENER 11V 410MW SOD123Все характеристики

Минимальная цена BZT52B11-G RHG при покупке от 1 шт 43.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BZT52B11-G RHG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BZT52B11-G RHG

BZT52B11-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation DIODE ZENER 11V 410MW SOD123 — это диод зендер с характеристиками:

  • Номинальное напряжение зендера (VZN): 11 В
  • Максимальная мощность (Pmax): 410 мВт
  • Пакет: SOD123

Основные параметры:

  • Тип: Зендер
  • Назначение: Устойчивое регулирование напряжения
  • Ток: Максимальный ток зендера зависит от мощности и сопротивления нагрузки

Плюсы:

  • Высокая точность регулирования напряжения
  • Устойчивость к перепадам напряжения
  • Компактный размер благодаря пакету SOD123

Минусы:

  • Низкая мощность (максимум 410 мВт)
  • Требует дополнительного охлаждения при работе на полной мощности
  • Не рекомендуется для высокочастотных применений

Общее назначение:

  • Регулировка напряжения в электронных устройствах
  • Защита от скачков напряжения
  • Стабилизация напряжения в источниках питания

Применяется в:

  • Мобильных устройствах
  • Электронных часах
  • Игровых приставках
  • Процессорных блоках питания
Выбрано: Показать

Характеристики BZT52B11-G RHG

  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    11 V
  • Допуск
    ±2%
  • Рассеивание мощности
    410 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    20 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    100 nA @ 8 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    900 mV @ 10 mA
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOD-123
  • Исполнение корпуса
    SOD-123
  • Base Product Number
    BZT52

Техническая документация

 BZT52B11-G RHG.pdf
pdf. 0 kb
  • 6000 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    43 ₽
  • 100
    16 ₽
  • 1000
    10.3 ₽
  • 6000
    7.7 ₽
  • 15000
    6.7 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor Corporation
  • Артикул:
    BZT52B11-G RHG
  • Описание:
    DIODE ZENER 11V 410MW SOD123Все характеристики

Минимальная цена BZT52B11-G RHG при покупке от 1 шт 43.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BZT52B11-G RHG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BZT52B11-G RHG

BZT52B11-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation DIODE ZENER 11V 410MW SOD123 — это диод зендер с характеристиками:

  • Номинальное напряжение зендера (VZN): 11 В
  • Максимальная мощность (Pmax): 410 мВт
  • Пакет: SOD123

Основные параметры:

  • Тип: Зендер
  • Назначение: Устойчивое регулирование напряжения
  • Ток: Максимальный ток зендера зависит от мощности и сопротивления нагрузки

Плюсы:

  • Высокая точность регулирования напряжения
  • Устойчивость к перепадам напряжения
  • Компактный размер благодаря пакету SOD123

Минусы:

  • Низкая мощность (максимум 410 мВт)
  • Требует дополнительного охлаждения при работе на полной мощности
  • Не рекомендуется для высокочастотных применений

Общее назначение:

  • Регулировка напряжения в электронных устройствах
  • Защита от скачков напряжения
  • Стабилизация напряжения в источниках питания

Применяется в:

  • Мобильных устройствах
  • Электронных часах
  • Игровых приставках
  • Процессорных блоках питания
Выбрано: Показать

Характеристики BZT52B11-G RHG

  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    11 V
  • Допуск
    ±2%
  • Рассеивание мощности
    410 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    20 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    100 nA @ 8 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    900 mV @ 10 mA
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOD-123
  • Исполнение корпуса
    SOD-123
  • Base Product Number
    BZT52

Техническая документация

 BZT52B11-G RHG.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MMSZ33T1DIODE ZENER 33V 500MW SOD123
    7.4Кешбэк 1 балл
    MM3Z68VT1DIODE ZENER VREG 300MW SOD323
    7.4Кешбэк 1 балл
    MM3Z62VT1DIODE ZENER 300MW SOD323
    7.4Кешбэк 1 балл
    SZBZX84C22LT1DIODE ZENER
    14.8Кешбэк 2 балла
    SZBZX84C3V9LT1DIODE ZENER
    14.8Кешбэк 2 балла
    SZBZX84C56LT1DIODE ZENER
    7.4Кешбэк 1 балл
    MMBZ5262ELT1DIODE ZENER
    13Кешбэк 1 балл
    BZX84C27ET1DIODE ZENER 27V 225MW SOT23-3
    7.4Кешбэк 1 балл
    MMSZ3V3ET1DIODE ZENER 3.3V 500MW SOD123
    7.4Кешбэк 1 балл
    MM5Z9V1T1GДиод: DIODE ZENER 9.1V 500MW SOD523
    22.2Кешбэк 3 балла
    MMBZ5226BLT1GДиод: DIODE ZENER 3.3V 225MW SOT23-3
    18.5Кешбэк 2 балла
    MMSZ5240BT3GДиод: DIODE ZENER 10V 500MW SOD123
    18.5Кешбэк 2 балла
    MMBZ5234ELT1DIODE ZENER 6.2V 225MW SOT23-3
    11.1Кешбэк 1 балл
    1N5250BДиод: DIODE ZENER 20V 500MW
    18.5Кешбэк 2 балла
    BZX85C10Диод: DIODE ZENER 10V 1W DO204AL
    29.6Кешбэк 4 балла
    SZBZX84C47LT3GДиод: DIODE ZENER 47V 225MW SOT23-3
    18.5Кешбэк 2 балла
    MMSZ5245ET1GDIODE ZENER 15V 500MW SOD123
    18.5Кешбэк 2 балла
    SZMMBZ5245ELT1GDIODE ZENER 15V 225MW SOT23-3
    65Кешбэк 9 баллов
    BZX84C18LT3GДиод: DIODE ZENER 18V 225MW SOT23-3
    18.5Кешбэк 2 балла
    1N5243BДиод: DIODE ZENER 13V 500MW
    18.5Кешбэк 2 балла
    SZMMSZ4684T1GДиод: DIODE ZENER 3.3V 500MW SOD123
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MM5Z11VT5GDIODE ZENER 11V 500MW SOD523
    37Кешбэк 5 баллов
    MMSZ4691T1GДиод: DIODE ZENER 6.2V 500MW SOD123
    29.6Кешбэк 4 балла
    1N5232BTADIODE ZENER 5.6V 500MW DO35
    5.6Кешбэк 1 балл
    1PMT5927BT1GDIODE ZENER 12V 3.2W POWERMITE
    120Кешбэк 18 баллов
    MMBZ5261BLT1GDIODE ZENER 47V 225MW SOT23-3
    20.4Кешбэк 3 балла
    NZ9F5V1ST5GДиод: DIODE ZENER 5.1V 250MW SOD923
    50Кешбэк 7 баллов
    MZP4729ARLGDIODE ZENER 3.6V 3W AXIAL
    56Кешбэк 8 баллов
    SZMMSZ3V0T1GDIODE ZENER 3V 500MW SOD123
    50Кешбэк 7 баллов
    MMSZ5237ET1GДиод: DIODE ZENER 8.2V 500MW SOD123
    22.2Кешбэк 3 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диодные мосты - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Модули драйверов питания
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные диоды
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Принадлежности
    Симисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Драйверы питания - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Симисторы - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП