BZT52B12-E3-08

BZT52B12-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

• Диод: Зенеровский диод
• Напряжение зенера: 12 В
• Максимальная мощность: 410 мВт
• Пакет: SOD123

Основные параметры:

• Напряжение зенера (Vz): 12 В ± 5%
• Максимальное напряжение обратного удара (VRWM): 20 В
• Максимальный ток зазора (IZM): 100 мА
• Максимальный ток прямого удара (IFSM): 100 мА

Плюсы:

• Высокая точность регулирования напряжения
• Малый размер и легкий вес
• Высокая надежность и долгий срок службы
• Устойчивость к воздействию электромагнитных помех

Минусы:

• Высокое энергетическое затраты при работе в режиме зазора
• Замедленный темп восстановления после зазора

Общее назначение:

• Регулировка напряжения в электронных схемах
• Защита от обратного удара
• Снижение уровня шумов и помех

В каких устройствах применяется:

• Мобильные устройства
• Телевизоры и мониторы
• Автомобили и автомобилестроение
• Промышленное оборудование
• Компьютеры и периферийное оборудование