Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
BZT52B33-G RHG
  • В избранное
  • В сравнение
BZT52B33-G RHG

BZT52B33-G RHG

BZT52B33-G RHG
;
BZT52B33-G RHG

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor Corporation
  • Артикул:
    BZT52B33-G RHG
  • Описание:
    Диод: DIODE ZENER 33V 410MW SOD123Все характеристики

Минимальная цена BZT52B33-G RHG при покупке от 1 шт 43.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BZT52B33-G RHG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BZT52B33-G RHG

BZT52B33-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation

  • Диод: DIODE ZENER 33V 410MW SOD123

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение зенора: 33 В
  • Максимальная мощность: 410 мВт
  • Форм-фактор: SOD123

Плюсы:

  • Высокая стабильность напряжения при изменениях температуры
  • Устойчивость к коротким замыканиям
  • Компактный размер (форм-фактор SOD123)
  • Высокая скорость отклика

Минусы:

  • Высокое энергетическое сопротивление в диапазоне рабочего напряжения
  • Требует дополнительных компонентов для точного регулирования напряжения

Общее назначение:

  • Стабилизация напряжения в электронных схемах
  • Защита схем от скачков напряжения
  • Измерение напряжений в диапазоне до 33 В

Применение в устройствах:

  • Передатчики и приемники радиосигналов
  • Цифровые устройства
  • Аналоговые схемы
  • Автомобильные системы
  • Мобильные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики BZT52B33-G RHG

  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    33 V
  • Допуск
    ±2%
  • Рассеивание мощности
    410 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    80 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    100 nA @ 23.1 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    900 mV @ 10 mA
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOD-123
  • Исполнение корпуса
    SOD-123
  • Base Product Number
    BZT52

Техническая документация

 BZT52B33-G RHG.pdf
pdf. 0 kb
  • 6000 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    43 ₽
  • 100
    16 ₽
  • 1000
    10.4 ₽
  • 6000
    7.7 ₽
  • 15000
    6.7 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor Corporation
  • Артикул:
    BZT52B33-G RHG
  • Описание:
    Диод: DIODE ZENER 33V 410MW SOD123Все характеристики

Минимальная цена BZT52B33-G RHG при покупке от 1 шт 43.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BZT52B33-G RHG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BZT52B33-G RHG

BZT52B33-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation

  • Диод: DIODE ZENER 33V 410MW SOD123

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение зенора: 33 В
  • Максимальная мощность: 410 мВт
  • Форм-фактор: SOD123

Плюсы:

  • Высокая стабильность напряжения при изменениях температуры
  • Устойчивость к коротким замыканиям
  • Компактный размер (форм-фактор SOD123)
  • Высокая скорость отклика

Минусы:

  • Высокое энергетическое сопротивление в диапазоне рабочего напряжения
  • Требует дополнительных компонентов для точного регулирования напряжения

Общее назначение:

  • Стабилизация напряжения в электронных схемах
  • Защита схем от скачков напряжения
  • Измерение напряжений в диапазоне до 33 В

Применение в устройствах:

  • Передатчики и приемники радиосигналов
  • Цифровые устройства
  • Аналоговые схемы
  • Автомобильные системы
  • Мобильные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики BZT52B33-G RHG

  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    33 V
  • Допуск
    ±2%
  • Рассеивание мощности
    410 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    80 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    100 nA @ 23.1 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    900 mV @ 10 mA
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOD-123
  • Исполнение корпуса
    SOD-123
  • Base Product Number
    BZT52

Техническая документация

 BZT52B33-G RHG.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    JANTXV1N6309DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35
    4 335Кешбэк 650 баллов
    CMHZ5239B TR PBFREEДиод: DIODE ZENER 9.1V 500MW SOD123
    67Кешбэк 10 баллов
    1N936BДиод: DIODE ZENER 9V 500MW DO35
    1 139Кешбэк 170 баллов
    JANTX1N4460Диод: DIODE ZENER 6.2V 1.5W DO204AL
    3 150Кешбэк 472 балла
    MMSZ5243C-HE3-08Диод: DIODE ZENER 13V 500MW SOD123
    33.3Кешбэк 4 балла
    MM5Z12VT5GFVOLTAGE REGULATOR DIODES
    54Кешбэк 8 баллов
    BZX79-C6V8,143Диод: DIODE ZENER 6.8V 400MW ALF2
    24Кешбэк 3 балла
    JANTX1N4975Диод: DIODE ZENER 51V 5W AXIAL
    1 243Кешбэк 186 баллов
    SML4739A-E3/5ADIODE ZENER 9.1V 1W DO214AC
    139Кешбэк 20 баллов
    1SMC5352DIODE ZENER 15V 5W DO214AB
    206Кешбэк 30 баллов
    BZV85-C12,133Диод: DIODE ZENER 12V 1W DO41
    22.2Кешбэк 3 балла
    BZX384B33-HE3-08DIODE ZENER 33V 200MW SOD323
    50Кешбэк 7 баллов
    JAN1N4962DIODE ZENER 15V 5W AXIAL
    969Кешбэк 145 баллов
    BZT52C36TQ-7-FДиод: ZENER DIODE SOD523 T&R 3K
    28Кешбэк 4 балла
    1SMA5934_R1_00001SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIOD
    43Кешбэк 6 баллов
    1N5252B/TRVOLTAGE REGULATOR
    765Кешбэк 114 баллов
    MMSZ5263B-7-FДиод: DIODE ZENER 56V 500MW SOD123
    28Кешбэк 4 балла
    1N5231B/TRVOLTAGE REGULATOR
    509Кешбэк 76 баллов
    MMSZ5249BДиод: DIODE ZENER 19V 0.5W 5% UNIDIR
    46Кешбэк 6 баллов
    JANTX1N4623-1Диод: DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35
    741Кешбэк 111 баллов
    JANTX1N4478DIODE ZENER 36V 1.5W DO41
    1 208Кешбэк 181 балл
    UDZVFHTE-1716BДиод: DIODE ZENER 16V 200MW UMD2
    46Кешбэк 6 баллов
    JANTX1N4958DIODE ZENER 10V 5W AXIAL
    1 252Кешбэк 187 баллов
    JANTX1N753AUR-1Диод: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA
    745Кешбэк 111 баллов
    NTE5035AДиод: DIODE ZENER 30V 500 MV DO35
    145Кешбэк 21 балл
    BZX79-B3V6,133DIODE ZENER 3.6V 400MW ALF2
    41Кешбэк 6 баллов
    CMDZ1L8 TR PBFREEДиод: DIODE ZENER 1.8V 250MW SOD323
    76Кешбэк 11 баллов
    PDZVTFTR8.2BDIODE ZENER 8.2V 1W PMDTM
    80Кешбэк 12 баллов
    BZT52HC10WF-7Диод: DIODE ZENER 10V 375MW SOD123F
    26Кешбэк 3 балла
    BZT52C12-E3-08Диод: DIODE ZENER 12V 410MW SOD123
    18Кешбэк 2 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - JFET
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Симисторы - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Принадлежности
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные диоды
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    IGBT транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR
    Диодные мосты
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Симисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - SCR - модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП