Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
BZT52B5V1-G3-18
  • В избранное
  • В сравнение
BZT52B5V1-G3-18

BZT52B5V1-G3-18

BZT52B5V1-G3-18
;
BZT52B5V1-G3-18

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    BZT52B5V1-G3-18
  • Описание:
    Диод: DIODE ZENER 5.1V 410MW SOD123Все характеристики

Минимальная цена BZT52B5V1-G3-18 при покупке от 1 шт 35.50 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BZT52B5V1-G3-18 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BZT52B5V1-G3-18

BZT52B5V1-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • Диод: Зенеровский диод
  • Номинальное напряжение: 5.1 В
  • Максимальная мощность: 410 мВт
  • Тип корпуса: SOD123

Основные параметры:

  • Уставочный ток: не указан, но обычно для зенеровских диодов он составляет несколько миллиампер
  • Предел рабочей температуры: от -55°C до +150°C
  • Частота работы: до 100 МГц

Плюсы:

  • Высокая стабильность напряжения при изменении температуры
  • Малый размер и легкость корпуса SOD123
  • Высокая надежность

Минусы:

  • Низкая мощность (максимум 410 мВт)
  • Высокие потери при работе вне зоне зенерирования

Общее назначение:

  • Стабилизация напряжения в схемах
  • Защита электронных компонентов от перенапряжений
  • Создание постоянного напряжения с помощью обратного зенерирования

Применение:

  • Мобильные устройства
  • Автомобильные системы
  • Радиоэлектроника
  • Информационные технологии
Выбрано: Показать

Характеристики BZT52B5V1-G3-18

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    5.1 V
  • Допуск
    ±2%
  • Рассеивание мощности
    410 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    30 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    100 nA @ 800 mV
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOD-123
  • Исполнение корпуса
    SOD-123
  • Base Product Number
    BZT52B5V1

Техническая документация

 BZT52B5V1-G3-18.pdf
pdf. 0 kb
  • 11097 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    35.5 ₽
  • 100
    10.6 ₽
  • 1000
    9.1 ₽
  • 10000
    9 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    BZT52B5V1-G3-18
  • Описание:
    Диод: DIODE ZENER 5.1V 410MW SOD123Все характеристики

Минимальная цена BZT52B5V1-G3-18 при покупке от 1 шт 35.50 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BZT52B5V1-G3-18 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BZT52B5V1-G3-18

BZT52B5V1-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • Диод: Зенеровский диод
  • Номинальное напряжение: 5.1 В
  • Максимальная мощность: 410 мВт
  • Тип корпуса: SOD123

Основные параметры:

  • Уставочный ток: не указан, но обычно для зенеровских диодов он составляет несколько миллиампер
  • Предел рабочей температуры: от -55°C до +150°C
  • Частота работы: до 100 МГц

Плюсы:

  • Высокая стабильность напряжения при изменении температуры
  • Малый размер и легкость корпуса SOD123
  • Высокая надежность

Минусы:

  • Низкая мощность (максимум 410 мВт)
  • Высокие потери при работе вне зоне зенерирования

Общее назначение:

  • Стабилизация напряжения в схемах
  • Защита электронных компонентов от перенапряжений
  • Создание постоянного напряжения с помощью обратного зенерирования

Применение:

  • Мобильные устройства
  • Автомобильные системы
  • Радиоэлектроника
  • Информационные технологии
Выбрано: Показать

Характеристики BZT52B5V1-G3-18

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    5.1 V
  • Допуск
    ±2%
  • Рассеивание мощности
    410 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    30 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    100 nA @ 800 mV
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOD-123
  • Исполнение корпуса
    SOD-123
  • Base Product Number
    BZT52B5V1

Техническая документация

 BZT52B5V1-G3-18.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    ZM4753A-GS08Диод: DIODE ZENER 36V 1W DO213AB
    50Кешбэк 7 баллов
    BZX384C22-E3-18DIODE ZENER 22V 200MW SOD323
    45Кешбэк 6 баллов
    BZX384C68-E3-08Диод: DIODE ZENER 68V 200MW SOD323
    26Кешбэк 3 балла
    SML4751-E3/5ADIODE ZENER 30V 1W DO214AC
    101Кешбэк 15 баллов
    TZS4715-GS08Диод: DIODE ZENER 36V 500MW SOD80
    32Кешбэк 4 балла
    SML4742A-E3/61Диод: DIODE ZENER 12V 1W DO214AC
    75Кешбэк 11 баллов
    ZMY9V1-GS08DIODE ZENER 9.1V 1W DO213AB
    77Кешбэк 11 баллов
    BZG05C18-HM3-08DIODE ZENER 18V 1.25W DO214AC
    114Кешбэк 17 баллов
    BZG04-24-HM3-08Диод: DIODE ZENER 30V 1.25W DO214AC
    32Кешбэк 4 балла
    SML4762-E3/5ADIODE ZENER 82V 1W DO214AC
    170Кешбэк 25 баллов
    BZG04-100-M3-18DIODE ZENER 120V 1.25W DO214AC
    157Кешбэк 23 балла
    ZM4731A-GS08DIODE ZENER 4.3V 1W DO213AB
    41Кешбэк 6 баллов
    PLZ11B-G3/HDIODE ZENER 11V 500MW DO219AC
    52Кешбэк 7 баллов
    BZG03C43-HM3-08Диод: DIODE ZENER 43V 1.25W DO214AC
    148Кешбэк 22 балла
    BZX84C7V5-HE3-08DIODE ZENER 7.5V 300MW SOT23-3
    45Кешбэк 6 баллов
    BZX584C3V0-HG3-08Диод: DIODE ZENER AUTO 300MW SOD523
    52Кешбэк 7 баллов
    MMSZ5240C-E3-18Диод: DIODE ZENER 10V 500MW SOD123
    58Кешбэк 8 баллов
    ZPY7V5-TRДиод: DIODE ZENER 7.5V 1.3W DO41
    50Кешбэк 7 баллов
    BZX84C2V4-G3-08Диод: DIODE ZENER 2.4V 300MW SOT23-3
    49Кешбэк 7 баллов
    BZX584C7V5-HG3-08Диод: DIODE ZENER AUTO 300MW SOD523
    33.6Кешбэк 5 баллов
    BZX384B4V7-E3-18Диод: DIODE ZENER 4.7V 200MW SOD323
    18.7Кешбэк 2 балла
    BZX384B27-E3-08DIODE ZENER 27V 200MW SOD323
    45Кешбэк 6 баллов
    ZMY15-GS18Диод: DIODE ZENER 15V 1W DO213AB
    77Кешбэк 11 баллов
    SML4751-E3/61Диод: DIODE ZENER 30V 1W DO214AC
    62Кешбэк 9 баллов
    TZX18A-TAPДиод: DIODE ZENER 18V 500MW DO35
    24.3Кешбэк 3 балла
    BZX384B18-E3-18DIODE ZENER 18V 200MW SOD323
    28Кешбэк 4 балла
    BZX84C7V5-G3-08Диод: DIODE ZENER 7.5V 300MW SOT23-3
    28Кешбэк 4 балла
    ZPY24-TRДиод: DIODE ZENER 24V 1.3W DO41
    82Кешбэк 12 баллов
    BZX84B18-E3-18Диод: DIODE ZENER 18V 300MW SOT23-3
    56Кешбэк 8 баллов
    GDZ2V0B-G3-08Диод: DIODE ZENER 2V 200MW SOD323
    26Кешбэк 3 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды силовые
    Симисторы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Сборки биполярных транзисторов
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы специального назначения
    Тиристоры - SCR
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    IGBT транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диодные мосты
    Модули драйверов питания
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторные модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - JFET
    Диоды - выпрямители - массивы
    Одиночные триодные тиристоры
    Одиночные биполярные транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП