Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
BZT52B8V2-G RHG

BZT52B8V2-G RHG

BZT52B8V2-G RHG
;
BZT52B8V2-G RHG

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена BZT52B8V2-G RHG при покупке от 1 шт 43.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BZT52B8V2-G RHG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BZT52B8V2-G RHG

BZT52B8V2-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation DIODE ZENER 8.2V 410MW SOD123

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение зенера (Vz): 8.2В
    • Максимальная мощность (Pzmax): 410 мВт
    • Форм-фактор корпуса: SOD123
  • Плюсы:
    • Высокая стабильность напряжения при различных температурных условиях.
    • Устойчивость к перенапряжению.
    • Компактный размер корпуса для экономии места на плате.
  • Минусы:
    • Максимальная мощность ограничена, что может ограничить применение в высоковаттных схемах.
    • Требует дополнительного проектирования для обеспечения надлежащего охлаждения при работе с высокими токами.
  • Общее назначение:
    • Стабилизация напряжения.
    • Защита электронных компонентов от перенапряжений.
    • Регулировка напряжения в источниках питания.
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания.
    • Мобильные устройства (смартфоны, планшеты).
    • Автомобили (автомобильные системы зарядки, дисплеи).
    • Электронные часы и другие небольшие устройства.
Выбрано: Показать

Характеристики BZT52B8V2-G RHG

  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    8.2 V
  • Допуск
    ±2%
  • Рассеивание мощности
    410 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    15 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    700 nA @ 5 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    900 mV @ 10 mA
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOD-123
  • Исполнение корпуса
    SOD-123
  • Base Product Number
    BZT52

Техническая документация

BZT52B8V2-G RHG.pdf
pdf. 0 kb
  • 5886 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    43 ₽
  • 100
    16 ₽
  • 1000
    10.4 ₽
  • 6000
    7.7 ₽
  • 15000
    6.7 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена BZT52B8V2-G RHG при покупке от 1 шт 43.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BZT52B8V2-G RHG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BZT52B8V2-G RHG

BZT52B8V2-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation DIODE ZENER 8.2V 410MW SOD123

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение зенера (Vz): 8.2В
    • Максимальная мощность (Pzmax): 410 мВт
    • Форм-фактор корпуса: SOD123
  • Плюсы:
    • Высокая стабильность напряжения при различных температурных условиях.
    • Устойчивость к перенапряжению.
    • Компактный размер корпуса для экономии места на плате.
  • Минусы:
    • Максимальная мощность ограничена, что может ограничить применение в высоковаттных схемах.
    • Требует дополнительного проектирования для обеспечения надлежащего охлаждения при работе с высокими токами.
  • Общее назначение:
    • Стабилизация напряжения.
    • Защита электронных компонентов от перенапряжений.
    • Регулировка напряжения в источниках питания.
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания.
    • Мобильные устройства (смартфоны, планшеты).
    • Автомобили (автомобильные системы зарядки, дисплеи).
    • Электронные часы и другие небольшие устройства.
Выбрано: Показать

Характеристики BZT52B8V2-G RHG

  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    8.2 V
  • Допуск
    ±2%
  • Рассеивание мощности
    410 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    15 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    700 nA @ 5 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    900 mV @ 10 mA
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOD-123
  • Исполнение корпуса
    SOD-123
  • Base Product Number
    BZT52

Техническая документация

BZT52B8V2-G RHG.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории