Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
BZT52C11LP-7
  • В избранное
  • В сравнение
BZT52C11LP-7

BZT52C11LP-7

BZT52C11LP-7
;
BZT52C11LP-7

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    BZT52C11LP-7
  • Описание:
    Диод: DIODE ZENER 11V 250MW 2DFNВсе характеристики

Минимальная цена BZT52C11LP-7 при покупке от 1 шт 50.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BZT52C11LP-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BZT52C11LP-7

BZT52C11LP-7 Diodes Incorporated Диод: DIODE ZENER 11V 250MW 2DFN

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 11 В
    • Максимальная мощность: 250 мВт
    • Пакет: 2DFN (0.9x1.0 мм)
  • Плюсы:
    • Высокая стабилизация напряжения
    • Компактный размер пакета
    • Высокая надежность
  • Минусы:
    • Малая мощность, не подходит для больших нагрузок
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких рабочих температурах
  • Общее назначение:
    • Стабилизация напряжения в электронных схемах
    • Защита от обратного напряжения
    • Согласование сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны и смартфоны
    • Ноутбуки и персональные компьютеры
    • Автомобили и автомобильное оборудование
    • Промышленные устройства и системы
Выбрано: Показать

Характеристики BZT52C11LP-7

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    11 V
  • Допуск
    ±5%
  • Рассеивание мощности
    250 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    20 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    100 nA @ 8 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    900 mV @ 10 mA
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    0402 (1006 Metric)
  • Исполнение корпуса
    X1-DFN1006-2
  • Base Product Number
    BZT52

Техническая документация

 BZT52C11LP-7.pdf
pdf. 0 kb
  • 73 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    50 ₽
  • 10
    33 ₽
  • 100
    17 ₽
  • 3000
    13.6 ₽
  • 6000
    11 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    BZT52C11LP-7
  • Описание:
    Диод: DIODE ZENER 11V 250MW 2DFNВсе характеристики

Минимальная цена BZT52C11LP-7 при покупке от 1 шт 50.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BZT52C11LP-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BZT52C11LP-7

BZT52C11LP-7 Diodes Incorporated Диод: DIODE ZENER 11V 250MW 2DFN

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 11 В
    • Максимальная мощность: 250 мВт
    • Пакет: 2DFN (0.9x1.0 мм)
  • Плюсы:
    • Высокая стабилизация напряжения
    • Компактный размер пакета
    • Высокая надежность
  • Минусы:
    • Малая мощность, не подходит для больших нагрузок
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких рабочих температурах
  • Общее назначение:
    • Стабилизация напряжения в электронных схемах
    • Защита от обратного напряжения
    • Согласование сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны и смартфоны
    • Ноутбуки и персональные компьютеры
    • Автомобили и автомобильное оборудование
    • Промышленные устройства и системы
Выбрано: Показать

Характеристики BZT52C11LP-7

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    11 V
  • Допуск
    ±5%
  • Рассеивание мощности
    250 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    20 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    100 nA @ 8 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    900 mV @ 10 mA
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    0402 (1006 Metric)
  • Исполнение корпуса
    X1-DFN1006-2
  • Base Product Number
    BZT52

Техническая документация

 BZT52C11LP-7.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    TZX14A-TRДиод: DIODE ZENER 14V 500MW DO35
    25.7Кешбэк 3 балла
    BZT52C3V3-E3-18DIODE ZENER 3.3V 410MW SOD123
    27.6Кешбэк 4 балла
    ZM4736A-GS08Диод: DIODE ZENER 6.8V 1W DO213AB
    39Кешбэк 5 баллов
    TZX3V9C-TRДиод: DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35
    25.7Кешбэк 3 балла
    1N5243B-TAPДиод: DIODE ZENER 13V 500MW DO35
    31Кешбэк 4 балла
    BZX584C3V3-HG3-08Диод: DIODE ZENER AUTO 300MW SOD523
    33Кешбэк 4 балла
    1N4749A-TAPДиод: DIODE ZENER 24V 1.3W DO204AL
    33Кешбэк 4 балла
    ZPY39-TRДиод: DIODE ZENER 39V 1.3W DO41
    66Кешбэк 9 баллов
    PLZ4V3A-G3/HДиод: DIODE ZENER 4.17V 960MW DO219AC
    48Кешбэк 7 баллов
    TZX15A-TRДиод: DIODE ZENER 15V 500MW DO35
    25.7Кешбэк 3 балла
    TZX5V6E-TRДиод: DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35
    25.7Кешбэк 3 балла
    PLZ7V5A-G3/HДиод: DIODE ZENER 7.04V 960MW DO219AC
    29.4Кешбэк 4 балла
    BZX85B43-TRДиод: DIODE ZENER 43V 1.3W DO41
    42Кешбэк 6 баллов
    BZX84C9V1-E3-08DIODE ZENER 9.1V 300MW SOT23-3
    24Кешбэк 3 балла
    PLZ10D-G3/HDIODE ZENER 10V 500MW DO219AC
    31Кешбэк 4 балла
    BZD27C3V9P-E3-08Диод: DIODE ZENER 3.9V 800MW DO219AB
    18.4Кешбэк 2 балла
    PLZ9V1A-G3/HДиод: DIODE ZENER 8.51V 960MW DO219AC
    29.4Кешбэк 4 балла
    BZX85B75-TRДиод: DIODE ZENER 75V 1.3W DO41
    42Кешбэк 6 баллов
    1N5225B-TAPДиод: DIODE ZENER 3V 500MW DO35
    18.4Кешбэк 2 балла
    BZX55B75-TAPДиод: DIODE ZENER 75V 500MW DO35
    24Кешбэк 3 балла
    BZX85B7V5-TRДиод: DIODE ZENER 7.5V 1.3W DO41
    25.7Кешбэк 3 балла
    BZD27C100P-HE3-08Диод: DIODE ZENER 100V 800MW DO219AB
    129Кешбэк 19 баллов
    TZX18C-TRДиод: DIODE ZENER 18V 500MW DO35
    24Кешбэк 3 балла
    MMSZ5242C-E3-08DIODE ZENER 12V 500MW SOD123
    33Кешбэк 4 балла
    ZPY27-TAPДиод: DIODE ZENER 27V 1.3W DO41
    66Кешбэк 9 баллов
    BZX384B5V1-G3-08Диод: DIODE ZENER 5.1V 200MW SOD323
    51Кешбэк 7 баллов
    MMSZ5229B-E3-08DIODE ZENER 4.3V 500MW SOD123
    27.6Кешбэк 4 балла
    1N5256B-TRДиод: DIODE ZENER 30V 500MW DO35
    20.2Кешбэк 3 балла
    BZX84C15-G3-08Диод: DIODE ZENER 15V 300MW SOT23-3
    18.4Кешбэк 2 балла
    MMSZ5228B-E3-08Диод: DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD123
    27.6Кешбэк 4 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Триодные тиристоры - Модули
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диодные мосты
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные диоды
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    IGBT транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Принадлежности
    Диоды силовые
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - ВЧ
    Драйверы питания - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП