Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
BZT52C3V6-TP
  • В избранное
  • В сравнение
BZT52C3V6-TP

BZT52C3V6-TP

BZT52C3V6-TP
;
BZT52C3V6-TP

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
  • Артикул:
    BZT52C3V6-TP
  • Описание:
    Диод: DIODE ZENER 3.6V 200MW SOD123Все характеристики

Минимальная цена BZT52C3V6-TP при покупке от 1 шт 21.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BZT52C3V6-TP с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BZT52C3V6-TP

BZT52C3V6-TP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS Диод: DIODE ZENER 3.6V 200MW SOD123

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 3.6 В
    • Максимальная мощность: 200 мВт
    • Форм-фактор: SOD123
  • Плюсы:
    • Высокая стабильность напряжения
    • Компактный размер
    • Высокая надежность
    • Легкость интеграции в схемы
  • Минусы:
    • Максимальная мощность ограничена (200 мВт)
    • Не подходит для высокопроизводительных приложений
  • Общее назначение:
    • Стабилизация напряжения
    • Обрезка напряжения
    • Защита электронных компонентов от перенапряжений
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны
    • Ноутбуки
    • Телевизоры
    • Автомобильные системы
    • Инверторы и преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики BZT52C3V6-TP

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    3.6 V
  • Допуск
    ±6%
  • Рассеивание мощности
    200 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    90 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 1 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    900 mV @ 10 mA
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOD-123
  • Исполнение корпуса
    SOD-123
  • Base Product Number
    BZT52C3V6

Техническая документация

 BZT52C3V6-TP.pdf
pdf. 0 kb
  • 665 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    21 ₽
  • 100
    5.7 ₽
  • 1000
    3.1 ₽
  • 6000
    2.5 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
  • Артикул:
    BZT52C3V6-TP
  • Описание:
    Диод: DIODE ZENER 3.6V 200MW SOD123Все характеристики

Минимальная цена BZT52C3V6-TP при покупке от 1 шт 21.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BZT52C3V6-TP с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BZT52C3V6-TP

BZT52C3V6-TP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS Диод: DIODE ZENER 3.6V 200MW SOD123

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 3.6 В
    • Максимальная мощность: 200 мВт
    • Форм-фактор: SOD123
  • Плюсы:
    • Высокая стабильность напряжения
    • Компактный размер
    • Высокая надежность
    • Легкость интеграции в схемы
  • Минусы:
    • Максимальная мощность ограничена (200 мВт)
    • Не подходит для высокопроизводительных приложений
  • Общее назначение:
    • Стабилизация напряжения
    • Обрезка напряжения
    • Защита электронных компонентов от перенапряжений
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны
    • Ноутбуки
    • Телевизоры
    • Автомобильные системы
    • Инверторы и преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики BZT52C3V6-TP

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    3.6 V
  • Допуск
    ±6%
  • Рассеивание мощности
    200 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    90 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 1 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    900 mV @ 10 mA
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOD-123
  • Исполнение корпуса
    SOD-123
  • Base Product Number
    BZT52C3V6

Техническая документация

 BZT52C3V6-TP.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MMSZ4691-TPДиод: DIODE ZENER 6.2V 500MW SOD123
    16.7Кешбэк 2 балла
    DFLZ39-TPДиод: DIODE ZENER 39V 1W SOD123FL
    37.4Кешбэк 5 баллов
    MMSZ4705-TPДиод: DIODE ZENER 18V 500MW SOD123
    21Кешбэк 3 балла
    BZT52C3V9-TPДиод: DIODE ZENER 3.9V 200MW SOD123
    16.6Кешбэк 2 балла
    MMSZ4697-TPДиод: DIODE ZENER 10V 500MW SOD123
    13Кешбэк 1 балл
    BZX84C18-TPДиод: DIODE ZENER 18V 350MW SOT23
    21Кешбэк 3 балла
    BZX84C15-TPДиод: DIODE ZENER 15V 350MW SOT23
    16.8Кешбэк 2 балла
    SMAZ5V6-TPДиод: DIODE ZENER 5.6V 1W DO214AC
    43.5Кешбэк 6 баллов
    BZT52C7V5-TPДиод: DIODE ZENER 7.5V 200MW SOD123
    22Кешбэк 3 балла
    BZX84C39-TPДиод: DIODE ZENER 39V 350MW SOT23
    16.6Кешбэк 2 балла
    MMSZ5245B-TPДиод: DIODE ZENER 15V 500MW SOD123
    16.7Кешбэк 2 балла
    DFLZ12-TPДиод: DIODE ZENER 12V 1W SOD123FL
    49Кешбэк 7 баллов
    BZT52C12-TPДиод: DIODE ZENER 12V 200MW SOD123
    16.7Кешбэк 2 балла
    BZT52B11-TPДиод: DIODE ZENER 11V 410MW SOD123
    4.9Кешбэк 1 балл
    BZT52C24-TPДиод: DIODE ZENER 24V 200MW SOD123
    17Кешбэк 2 балла
    BZT52C9V1S-TPДиод: DIODE ZENER 9.1V 200MW SOD323
    21Кешбэк 3 балла
    BZT52C4V7-TPДиод: DIODE ZENER 4.7V 200MW SOD123
    16.6Кешбэк 2 балла
    BZX84C47-TPДиод: DIODE ZENER 47V 350MW SOT23
    3.35Кешбэк 1 балл
    BZT52C3V0-TPДиод: DIODE ZENER 3V 200MW SOD123
    22Кешбэк 3 балла
    BZT52C3V6-TPДиод: DIODE ZENER 3.6V 200MW SOD123
    21Кешбэк 3 балла
    BZX84C5V1-TPДиод: DIODE ZENER 5.1V 350MW SOT23
    9.3Кешбэк 1 балл
    BZT52C13-TPДиод: DIODE ZENER 13V 200MW SOD123
    16.5Кешбэк 2 балла
    BZT52B6V2-TPДиод: DIODE ZENER 6.2V 410MW SOD123
    6.8Кешбэк 1 балл
    MMSZ5243B-TPДиод: DIODE ZENER 13V 500MW SOD123
    29.6Кешбэк 4 балла
    MMSZ4699-TPДиод: DIODE ZENER 12V 500MW SOD123
    29Кешбэк 4 балла
    BZT52B15-TPДиод: DIODE ZENER 15V 410MW SOD123
    34Кешбэк 5 баллов
    BZT52C16-TPДиод: DIODE ZENER 16V 500MW SOD123
    21.3Кешбэк 3 балла
    BZT52C2V7-TPДиод: DIODE ZENER 2.7V 200MW SOD123
    18.3Кешбэк 2 балла
    BZT52C2V7S-TPДиод: DIODE ZENER 2.7V 200MW SOD323
    16.6Кешбэк 2 балла
    BZX84C22-TPДиод: DIODE ZENER 22V 350MW SOT23
    2.46Кешбэк 1 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - JFET
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Одиночные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Модули драйверов питания
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Модули триодных тиристоров
    Диоды - ВЧ
    Одиночные IGBT транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды силовые
    Транзисторные модули
    Симисторы
    IGBT транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Высокочастотные диоды
    Диодные мосты
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Симисторы - Модули
    Сборки биполярных транзисторов
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - TRIACs
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП