Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
BZT52C3V9 RHG

BZT52C3V9 RHG

BZT52C3V9 RHG
;
BZT52C3V9 RHG

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor Corporation
  • Артикул:
    BZT52C3V9 RHG
  • Описание:
    Диод: DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD123FВсе характеристики

Минимальная цена BZT52C3V9 RHG при покупке от 1 шт 35.50 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BZT52C3V9 RHG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BZT52C3V9 RHG

BZT52C3V9 RHG — это диод зендер с напряжением отсечки 3.9В, произведенный Taiwan Semiconductor Corporation (TSMC). Диод обозначен как DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD123F.

  • Основные параметры:
    • Напряжение отсечки: 3.9В
    • Максимальная мощность: 500 мВт
    • Оболочка: SOD123F
  • Плюсы:
    • Высокая стабильность напряжения при различных температурах.
    • Устойчивость к перепадам напряжения.
    • Малый размер и компактный корпус.
  • Минусы:
    • Не рекомендуется для высокочастотных приложений из-за возможного выгорания.
    • Недостаточно мощный для некоторых высокопроизводительных систем.

Общее назначение: Диод используется для стабилизации напряжения, защиты электронных схем от скачков напряжения и регулирования напряжения в различных приборах.

Применение: Диод зендер BZT52C3V9 RHG может применяться в:

  • Регуляторах напряжения.
  • Защитных цепях от скачков напряжения.
  • Системах управления зарядкой аккумуляторов.
  • Антеннах и приемниках радиосигналов.
Выбрано: Показать

Характеристики BZT52C3V9 RHG

  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    3.9 V
  • Допуск
    ±5%
  • Рассеивание мощности
    500 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    90 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    2.7 µA @ 1 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 10 mA
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOD-123F
  • Исполнение корпуса
    SOD-123F
  • Base Product Number
    BZT52

Техническая документация

BZT52C3V9 RHG.pdf
pdf. 0 kb
  • 3000 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    35.5 ₽
  • 100
    13.4 ₽
  • 1000
    8.6 ₽
  • 6000
    6.3 ₽
  • 15000
    5.5 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor Corporation
  • Артикул:
    BZT52C3V9 RHG
  • Описание:
    Диод: DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD123FВсе характеристики

Минимальная цена BZT52C3V9 RHG при покупке от 1 шт 35.50 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BZT52C3V9 RHG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BZT52C3V9 RHG

BZT52C3V9 RHG — это диод зендер с напряжением отсечки 3.9В, произведенный Taiwan Semiconductor Corporation (TSMC). Диод обозначен как DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD123F.

  • Основные параметры:
    • Напряжение отсечки: 3.9В
    • Максимальная мощность: 500 мВт
    • Оболочка: SOD123F
  • Плюсы:
    • Высокая стабильность напряжения при различных температурах.
    • Устойчивость к перепадам напряжения.
    • Малый размер и компактный корпус.
  • Минусы:
    • Не рекомендуется для высокочастотных приложений из-за возможного выгорания.
    • Недостаточно мощный для некоторых высокопроизводительных систем.

Общее назначение: Диод используется для стабилизации напряжения, защиты электронных схем от скачков напряжения и регулирования напряжения в различных приборах.

Применение: Диод зендер BZT52C3V9 RHG может применяться в:

  • Регуляторах напряжения.
  • Защитных цепях от скачков напряжения.
  • Системах управления зарядкой аккумуляторов.
  • Антеннах и приемниках радиосигналов.
Выбрано: Показать

Характеристики BZT52C3V9 RHG

  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    3.9 V
  • Допуск
    ±5%
  • Рассеивание мощности
    500 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    90 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    2.7 µA @ 1 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 10 mA
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOD-123F
  • Исполнение корпуса
    SOD-123F
  • Base Product Number
    BZT52

Техническая документация

BZT52C3V9 RHG.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории