Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
BZT52C6V8 RHG

BZT52C6V8 RHG

BZT52C6V8 RHG
;
BZT52C6V8 RHG

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor Corporation
  • Артикул:
    BZT52C6V8 RHG
  • Описание:
    Диод: DIODE ZENER 6.8V 500MW SOD123FВсе характеристики

Минимальная цена BZT52C6V8 RHG при покупке от 1 шт 35.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BZT52C6V8 RHG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BZT52C6V8 RHG

BZT52C6V8 RHG — это диод зендерного типа с характеристиками:

  • Номинальное напряжение зендера (VZN): 6,8 В
  • Максимальный ток при номинальном напряжении (IZN): 500 мА
  • Форм-фактор: SOD123F

Плюсы:

  • Устойчивость к обратному напряжению: Диод эффективно блокирует обратное напряжение.
  • Коротковременные нагрузки: Может выдерживать коротковременные высокие напряжения и токи.
  • Малый размер: Форм-фактор SOD123F позволяет использовать его в компактных устройствах.

Минусы:

  • Погрешность: Зендерные диоды могут иметь небольшую погрешность в номинальном напряжении.
  • Температурная зависимость: Номинальное напряжение может изменяться при изменении температуры.

Общее назначение:

  • Установка стабильного обратного напряжения в электронных цепях.
  • Защита от обратного напряжения.
  • Стабилизация напряжения в источниках питания.

Применение в устройствах:

  • Системах питания.
  • Цифровой электронике.
  • Аналоговой электронике.
  • Автомобильной электронике.
Выбрано: Показать

Характеристики BZT52C6V8 RHG

  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    6.8 V
  • Допуск
    ±5%
  • Рассеивание мощности
    500 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    15 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    1.8 µA @ 4 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 10 mA
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOD-123F
  • Исполнение корпуса
    SOD-123F
  • Base Product Number
    BZT52

Техническая документация

BZT52C6V8 RHG.pdf
pdf. 0 kb
  • 5999 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    35 ₽
  • 100
    13.3 ₽
  • 1000
    8.5 ₽
  • 6000
    6.2 ₽
  • 15000
    5.4 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor Corporation
  • Артикул:
    BZT52C6V8 RHG
  • Описание:
    Диод: DIODE ZENER 6.8V 500MW SOD123FВсе характеристики

Минимальная цена BZT52C6V8 RHG при покупке от 1 шт 35.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BZT52C6V8 RHG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BZT52C6V8 RHG

BZT52C6V8 RHG — это диод зендерного типа с характеристиками:

  • Номинальное напряжение зендера (VZN): 6,8 В
  • Максимальный ток при номинальном напряжении (IZN): 500 мА
  • Форм-фактор: SOD123F

Плюсы:

  • Устойчивость к обратному напряжению: Диод эффективно блокирует обратное напряжение.
  • Коротковременные нагрузки: Может выдерживать коротковременные высокие напряжения и токи.
  • Малый размер: Форм-фактор SOD123F позволяет использовать его в компактных устройствах.

Минусы:

  • Погрешность: Зендерные диоды могут иметь небольшую погрешность в номинальном напряжении.
  • Температурная зависимость: Номинальное напряжение может изменяться при изменении температуры.

Общее назначение:

  • Установка стабильного обратного напряжения в электронных цепях.
  • Защита от обратного напряжения.
  • Стабилизация напряжения в источниках питания.

Применение в устройствах:

  • Системах питания.
  • Цифровой электронике.
  • Аналоговой электронике.
  • Автомобильной электронике.
Выбрано: Показать

Характеристики BZT52C6V8 RHG

  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    6.8 V
  • Допуск
    ±5%
  • Рассеивание мощности
    500 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    15 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    1.8 µA @ 4 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 10 mA
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOD-123F
  • Исполнение корпуса
    SOD-123F
  • Base Product Number
    BZT52

Техническая документация

BZT52C6V8 RHG.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории