Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
BZT52H-B4V7,115
  • В избранное
  • В сравнение
BZT52H-B4V7,115

BZT52H-B4V7,115

BZT52H-B4V7,115
;
BZT52H-B4V7,115

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    BZT52H-B4V7,115
  • Описание:
    Диод: DIODE ZENER 4.7V 375MW SOD123FВсе характеристики

Минимальная цена BZT52H-B4V7,115 при покупке от 1 шт 37.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BZT52H-B4V7,115 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BZT52H-B4V7,115

BZT52H-B4V7,115 Nexperia USA Inc.

  • Диод: DIODE ZENER 4.7V 375MW SOD123F

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение зазора (VZN): 4.7 В
  • Максимальная мощность (PMAX): 375 мВт
  • Форм-фактор: SOD123F

Плюсы:

  • Высокая стабильность напряжения зазора.
  • Высокая мощность, что позволяет использовать его в различных приложениях.
  • Компактный размер корпуса (SOD123F).

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с обычными диодами.
  • Требуется дополнительное размещение компонентов для некоторых приложений.

Общее назначение:

  • Стабилизация напряжения.
  • Защита электронных схем от скачков напряжения.
  • Измерение напряжений.

В каких устройствах применяется:

  • Системы управления питания.
  • Автомобильные системы.
  • Электронные часы и другие портативные устройства.
  • Промышленные контроллеры и системы.
Выбрано: Показать

Характеристики BZT52H-B4V7,115

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    4.7 V
  • Допуск
    ±2%
  • Рассеивание мощности
    375 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    78 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    3 µA @ 2 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    900 mV @ 10 mA
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TA)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOD-123F
  • Исполнение корпуса
    SOD-123F
  • Base Product Number
    BZT52H-B4V7

Техническая документация

 BZT52H-B4V7,115.pdf
pdf. 0 kb
  • 1040 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    37 ₽
  • 50
    16.2 ₽
  • 3000
    7.4 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    BZT52H-B4V7,115
  • Описание:
    Диод: DIODE ZENER 4.7V 375MW SOD123FВсе характеристики

Минимальная цена BZT52H-B4V7,115 при покупке от 1 шт 37.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BZT52H-B4V7,115 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BZT52H-B4V7,115

BZT52H-B4V7,115 Nexperia USA Inc.

  • Диод: DIODE ZENER 4.7V 375MW SOD123F

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение зазора (VZN): 4.7 В
  • Максимальная мощность (PMAX): 375 мВт
  • Форм-фактор: SOD123F

Плюсы:

  • Высокая стабильность напряжения зазора.
  • Высокая мощность, что позволяет использовать его в различных приложениях.
  • Компактный размер корпуса (SOD123F).

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с обычными диодами.
  • Требуется дополнительное размещение компонентов для некоторых приложений.

Общее назначение:

  • Стабилизация напряжения.
  • Защита электронных схем от скачков напряжения.
  • Измерение напряжений.

В каких устройствах применяется:

  • Системы управления питания.
  • Автомобильные системы.
  • Электронные часы и другие портативные устройства.
  • Промышленные контроллеры и системы.
Выбрано: Показать

Характеристики BZT52H-B4V7,115

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    4.7 V
  • Допуск
    ±2%
  • Рассеивание мощности
    375 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    78 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    3 µA @ 2 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    900 mV @ 10 mA
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TA)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOD-123F
  • Исполнение корпуса
    SOD-123F
  • Base Product Number
    BZT52H-B4V7

Техническая документация

 BZT52H-B4V7,115.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    TZX3V6B-TAPДиод: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35
    43Кешбэк 6 баллов
    MMSZ5244B-E3-18Диод: DIODE ZENER 14V 500MW SOD123
    28Кешбэк 4 балла
    BZX84C3V3-G3-08DIODE ZENER 3.3V 300MW SOT23-3
    45Кешбэк 6 баллов
    BZX384B3V9-E3-08Диод: DIODE ZENER 3.9V 200MW SOD323
    28Кешбэк 4 балла
    BZX384B43-E3-08DIODE ZENER 43V 200MW SOD323
    50Кешбэк 7 баллов
    GDZ27B-HE3-08Диод: DIODE ZENER 27V 200MW SOD323
    52Кешбэк 7 баллов
    GDZ12B-G3-08DIODE ZENER 12V 200MW SOD323
    62Кешбэк 9 баллов
    BZX85B7V5-TAPДиод: DIODE ZENER 7.5V 1.3W DO41
    43Кешбэк 6 баллов
    GDZ10B-G3-08DIODE ZENER 10V 200MW SOD323
    62Кешбэк 9 баллов
    GDZ11B-E3-08DIODE ZENER 11V 200MW SOD323
    50Кешбэк 7 баллов
    BZX384C2V4-HE3-08DIODE ZENER 2.4V 200MW SOD323
    58Кешбэк 8 баллов
    MMSZ5237C-E3-08DIODE ZENER 8.2V 500MW SOD123
    33.6Кешбэк 5 баллов
    BZT52C11-G3-08DIODE ZENER 11V 410MW SOD123
    56Кешбэк 8 баллов
    BZX384C5V1-HE3-08Диод: DIODE ZENER 5.1V 200MW SOD323
    37Кешбэк 5 баллов
    MMSZ5247B-G3-08DIODE ZENER 17V 500MW SOD123
    56Кешбэк 8 баллов
    PLZ3V0B-G3/HДиод: DIODE ZENER 3.12V 960MW DO219AC
    30Кешбэк 4 балла
    BZD27C3V6P-HE3-08Диод: DIODE ZENER 3.6V 800MW DO219AB
    78Кешбэк 11 баллов
    GDZ2V2B-E3-08DIODE ZENER 2.2V 200MW SOD323
    50Кешбэк 7 баллов
    BZT52C4V3-G3-08DIODE ZENER 4.3V 410MW SOD123
    69Кешбэк 10 баллов
    MMSZ4701-G3-08DIODE ZENER 14V 500MW SOD123
    56Кешбэк 8 баллов
    BZT52C6V2-HE3-08Диод: DIODE ZENER 6.2V 410MW SOD123
    52Кешбэк 7 баллов
    BZT55C4V3-GS08Диод: DIODE ZENER 4.3V 500MW SOD80
    22.4Кешбэк 3 балла
    GDZ5V1B-HE3-08Диод: DIODE ZENER 5.1V 200MW SOD323
    50Кешбэк 7 баллов
    BZD27C68P-M3-08DIODE ZENER 68V 800MW DO219AB
    58Кешбэк 8 баллов
    BZX85B24-TRДиод: DIODE ZENER 24V 1.3W DO41
    18.7Кешбэк 2 балла
    GDZ22B-E3-08DIODE ZENER 22V 200MW SOD323
    50Кешбэк 7 баллов
    BZT52B75-E3-08DIODE ZENER 75V 410MW SOD123
    32Кешбэк 4 балла
    GDZ6V8B-E3-08DIODE ZENER 6.8V 200MW SOD323
    50Кешбэк 7 баллов
    GDZ24B-E3-08DIODE ZENER 24V 200MW SOD323
    50Кешбэк 7 баллов
    1N5261B-TAPДиод: DIODE ZENER 47V 500MW DO35
    24.3Кешбэк 3 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Сборки биполярных транзисторов
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторные модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Модули триодных тиристоров
    Варикапы и Варакторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Одиночные IGBT транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды силовые
    Транзисторы специального назначения
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Симисторы
    Тиристоры - SCR
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды - мостовые выпрямители
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Симисторы - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП