Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
BZV55-B2V7,115
  • В избранное
  • В сравнение
BZV55-B2V7,115

BZV55-B2V7,115

BZV55-B2V7,115
;
BZV55-B2V7,115

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    BZV55-B2V7,115
  • Описание:
    Диод: DIODE ZENER 2.7V 500MW LLDSВсе характеристики

Минимальная цена BZV55-B2V7,115 при покупке от 1 шт 41.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BZV55-B2V7,115 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BZV55-B2V7,115

BZV55-B2V7,115 Nexperia USA Inc.

  • Диод: DIODE ZENER 2.7V 500MW LLDS

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение зенера: 2.7 В
  • Максимальная мощность: 500 мВт
  • Форм-фактор: LLDS (Ланцетообразный с плоскими концами)

Плюсы:

  • Высокая стабильность напряжения
  • Высокая скорость отклика
  • Устойчивость к перенапряжению
  • Малый размер и легкость установки

Минусы:

  • Меньшая мощность по сравнению с традиционными диодами
  • Высокие цены по сравнению с обычными диодами

Общее назначение:

  • Стабилизация напряжения в электронных цепях
  • Защита от перенапряжений
  • Согласование нагрузок

В каких устройствах применяется:

  • Мобильные телефоны и другие портативные устройства
  • Автомобили и автомобильные системы
  • Электронные устройства управления
  • Компьютеры и серверы
Выбрано: Показать

Характеристики BZV55-B2V7,115

  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    2.7 V
  • Допуск
    ±2%
  • Рассеивание мощности
    500 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    100 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    20 µA @ 1 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    900 mV @ 10 mA
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 200°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
  • Исполнение корпуса
    LLDS; MiniMelf

Техническая документация

 BZV55-B2V7,115.pdf
pdf. 0 kb
  • 2592 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    41 ₽
  • 50
    18 ₽
  • 2500
    8.5 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    BZV55-B2V7,115
  • Описание:
    Диод: DIODE ZENER 2.7V 500MW LLDSВсе характеристики

Минимальная цена BZV55-B2V7,115 при покупке от 1 шт 41.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BZV55-B2V7,115 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BZV55-B2V7,115

BZV55-B2V7,115 Nexperia USA Inc.

  • Диод: DIODE ZENER 2.7V 500MW LLDS

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение зенера: 2.7 В
  • Максимальная мощность: 500 мВт
  • Форм-фактор: LLDS (Ланцетообразный с плоскими концами)

Плюсы:

  • Высокая стабильность напряжения
  • Высокая скорость отклика
  • Устойчивость к перенапряжению
  • Малый размер и легкость установки

Минусы:

  • Меньшая мощность по сравнению с традиционными диодами
  • Высокие цены по сравнению с обычными диодами

Общее назначение:

  • Стабилизация напряжения в электронных цепях
  • Защита от перенапряжений
  • Согласование нагрузок

В каких устройствах применяется:

  • Мобильные телефоны и другие портативные устройства
  • Автомобили и автомобильные системы
  • Электронные устройства управления
  • Компьютеры и серверы
Выбрано: Показать

Характеристики BZV55-B2V7,115

  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    2.7 V
  • Допуск
    ±2%
  • Рассеивание мощности
    500 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    100 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    20 µA @ 1 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    900 mV @ 10 mA
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 200°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
  • Исполнение корпуса
    LLDS; MiniMelf

Техническая документация

 BZV55-B2V7,115.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NTE5084AДиод: DIODE ZENER 30V 1W DO35
    159Кешбэк 23 балла
    NTE5068AДиод: DIODE ZENER 4.3V 1W DO35
    161Кешбэк 24 балла
    NTE5071AДиод: DIODE ZENER 6.8V 1W DO35
    174Кешбэк 26 баллов
    NTE5011AДиод: DIODE ZENER 5.6V 500 MV DO35
    176Кешбэк 26 баллов
    NTE5074AДиод: DIODE ZENER 11V 1W DO35
    176Кешбэк 26 баллов
    NTE5008AДиод: DIODE ZENER 4.3V 500 MV DO35
    198Кешбэк 29 баллов
    NTE5000AДиод: DIODE ZENER 2.4V 500 MV DO35
    198Кешбэк 29 баллов
    NTE5105AДиод: DIODE ZENER 200V 1W DO35
    211Кешбэк 31 балл
    NTE5098AДиод: DIODE ZENER 130V 1W DO35
    215Кешбэк 32 балла
    NTE5097AДиод: DIODE ZENER 120V 1W DO35
    250Кешбэк 37 баллов
    NTE5155AДиод: DIODE ZENER 91V 5W DO35
    258Кешбэк 38 баллов
    NTE5139AДиод: DIODE ZENER 27V 5W DO35
    258Кешбэк 38 баллов
    NTE5121AДиод: DIODE ZENER 7.5V 5W DO35
    258Кешбэк 38 баллов
    NTE5135AДиод: DIODE ZENER 20V 5W DO35
    258Кешбэк 38 баллов
    NTE5133AДиод: DIODE ZENER 18V 5W DO35
    258Кешбэк 38 баллов
    NTE5053AДиод: DIODE ZENER 130V 500 MV DO35
    276Кешбэк 41 балл
    NTE5010T1Диод: DIODE ZENER 5.1V 500 MV DO35
    319Кешбэк 47 баллов
    NTE5021T1Диод: DIODE ZENER 12V 500 MV DO35
    319Кешбэк 47 баллов
    NTE5159AДиод: DIODE ZENER 130V 5W DO35
    435Кешбэк 65 баллов
    NTE5064AДиод: DIODE ZENER 2.8V 1W DO35
    439Кешбэк 65 баллов
    NTE5161AДиод: DIODE ZENER 150V 5W DO35
    439Кешбэк 65 баллов
    NTE5065AДиод: DIODE ZENER 3V 1W DO35
    439Кешбэк 65 баллов
    NTE5063AДиод: DIODE ZENER 2.7V 1W DO35
    439Кешбэк 65 баллов
    NTE5181AKDIODE ZENER 6.8V 10W DO4
    2 297Кешбэк 344 балла
    NTE5182AKDIODE ZENER 7.5V 10W DO4
    2 297Кешбэк 344 балла
    NTE5183AKDIODE ZENER 8.2V 10W DO4
    2 297Кешбэк 344 балла
    NTE5226AKDIODE ZENER 150V 10W DO4
    2 612Кешбэк 391 балл
    NTE5247AKDIODE ZENER 6.8V 50W DO5
    3 835Кешбэк 575 баллов
    NTE5276ADIODE ZENER 51V 50W DO5
    4 150Кешбэк 622 балла
    NTE5241AKDIODE ZENER 4.3V 50W DO5
    7 133Кешбэк 1 069 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Симисторы - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    IGBT транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Принадлежности
    Варикапы и Варакторы
    Диодные мосты
    Тиристоры - SCR - модули
    Модули драйверов питания
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - Специального назначения
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - JFET
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды силовые
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП