Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
BZX55C3V6-TAP
  • В избранное
  • В сравнение
BZX55C3V6-TAP

BZX55C3V6-TAP

BZX55C3V6-TAP
;
BZX55C3V6-TAP

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Артикул:
    BZX55C3V6-TAP
  • Описание:
    Диод: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35Все характеристики

Минимальная цена BZX55C3V6-TAP при покупке от 1 шт 26.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BZX55C3V6-TAP с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BZX55C3V6-TAP

BZX55C3V6-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • Диод Зендер: DIODE ZENER 3.6В 500МВт DO35

Основные параметры:

  • Напряжение зенда: 3.6В
  • Мощность: 500мВт
  • Пакет: DO35

Плюсы:

  • Высокая стабильность напряжения зенда
  • Высокая надежность
  • Компактный размер
  • Высокая скорость отклика

Минусы:

  • Максимальная мощность ограничена (500мВт)
  • Не рекомендуется для высокоточных приложений

Общее назначение:

  • Стабилизация напряжения
  • Обнаружение полупериода напряжения
  • Защита электронных схем от перегрузок

В каких устройствах применяется:

  • Радиоприемники
  • Мобильные устройства
  • Игровые консоли
  • Автомобильные системы
  • Системы управления освещением
Выбрано: Показать

Характеристики BZX55C3V6-TAP

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Tape & Box (TB)
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    3.6 V
  • Допуск
    ±5%
  • Рассеивание мощности
    500 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    85 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    2 µA @ 1 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.5 V @ 200 mA
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 175°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-35 (DO-204AH)
  • Base Product Number
    BZX55C3V6

Техническая документация

 BZX55C3V6-TAP.pdf
pdf. 0 kb
  • 39595 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    26 ₽
  • 100
    7.4 ₽
  • 1000
    6.3 ₽
  • 5000
    6.1 ₽
  • 20000
    4.5 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Артикул:
    BZX55C3V6-TAP
  • Описание:
    Диод: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35Все характеристики

Минимальная цена BZX55C3V6-TAP при покупке от 1 шт 26.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BZX55C3V6-TAP с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BZX55C3V6-TAP

BZX55C3V6-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • Диод Зендер: DIODE ZENER 3.6В 500МВт DO35

Основные параметры:

  • Напряжение зенда: 3.6В
  • Мощность: 500мВт
  • Пакет: DO35

Плюсы:

  • Высокая стабильность напряжения зенда
  • Высокая надежность
  • Компактный размер
  • Высокая скорость отклика

Минусы:

  • Максимальная мощность ограничена (500мВт)
  • Не рекомендуется для высокоточных приложений

Общее назначение:

  • Стабилизация напряжения
  • Обнаружение полупериода напряжения
  • Защита электронных схем от перегрузок

В каких устройствах применяется:

  • Радиоприемники
  • Мобильные устройства
  • Игровые консоли
  • Автомобильные системы
  • Системы управления освещением
Выбрано: Показать

Характеристики BZX55C3V6-TAP

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Tape & Box (TB)
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    3.6 V
  • Допуск
    ±5%
  • Рассеивание мощности
    500 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    85 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    2 µA @ 1 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.5 V @ 200 mA
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 175°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-35 (DO-204AH)
  • Base Product Number
    BZX55C3V6

Техническая документация

 BZX55C3V6-TAP.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    CRZ30(TE85L,Q,M)DIODE ZENER 30V 700MW SFLAT
    141Кешбэк 21 балл
    ACZRM5232B-HFDIODE ZENER 5.6V 500MW SOD123FL
    61Кешбэк 9 баллов
    BZD27C33P R3GДиод: DIODE ZENER 33V 1W SUB SMA
    133Кешбэк 19 баллов
    BZT52H-B2V4,115Диод: DIODE ZENER 2.4V 375MW SOD123F
    41Кешбэк 6 баллов
    MMSZ5251BT1GДиод: DIODE ZENER 22V 500MW SOD123
    25.4Кешбэк 3 балла
    CZRT5231B-HFДиод: DIODE ZENER 5.1V 300MW SOT23
    41Кешбэк 6 баллов
    BZX84C10T-7-FДиод: DIODE ZENER 10V 150MW SOT523
    34Кешбэк 5 баллов
    MMSZ5268BT1DIODE ZENER 82V 500MW SOD123
    26.7Кешбэк 4 балла
    YFZVFHTR3.6BДиод: DIODE ZENER 3.72V 500MW TUMD2M
    83Кешбэк 12 баллов
    MM3Z27BДиод: ZENERDIODE,SOD-323,27V,0.3W,5%
    6.6Кешбэк 1 балл
    ZMY5.1GДиод: ZENERDIODE,MELF,5.1V,1W,5%
    59Кешбэк 8 баллов
    BZX84B24Q-7-FTIGHT TOLERANCE ZENER SOT23 T&R
    37Кешбэк 5 баллов
    PZS5110BAS_R1_00001SILICON ZENER DIODE
    29.6Кешбэк 4 балла
    MMSZ5235B-TPДиод: DIODE ZENER 6.8V 500MW SOD123
    29Кешбэк 4 балла
    GDZ10B-HE3-08Диод: DIODE ZENER 10V 200MW SOD323
    43Кешбэк 6 баллов
    MMBZ5241BLT1GДиод: DIODE ZENER 11V 225MW SOT23-3
    21Кешбэк 3 балла
    BZT52C33-HE3-08DIODE ZENER 33V 410MW SOD123
    21.3Кешбэк 3 балла
    1N5923BДиод: DIODE ZENER
    114Кешбэк 17 баллов
    BZX84W-C5V6XDIODE ZENER 5.6V 275MW SOT323
    37Кешбэк 5 баллов
    BZX84B47-E3-08DIODE ZENER 47V 300MW SOT23-3
    15Кешбэк 2 балла
    TZS4693-GS08Диод: DIODE ZENER 7.5V 500MW SOD80
    56Кешбэк 8 баллов
    DDZ9701Q-7Диод: DIODE ZENER 14V 500MW SOD123
    18.5Кешбэк 2 балла
    BZX84C2V7LYFHT116250MW, 2.7V, SOT-23, AUTOMOTIVE
    56Кешбэк 8 баллов
    MM1Z4741AДиод: ZENERDIODE,SOD-123FL,11V,1W,5%
    31.6Кешбэк 4 балла
    Z2SMB110Диод: DIODE ZENER 110V 2W SMB
    32.4Кешбэк 4 балла
    DDZ9717S-7DIODE ZENER 43V 200MW SOD323
    36Кешбэк 5 баллов
    BZX84-C20,235Диод: DIODE ZENER 20V 250MW TO236AB
    35Кешбэк 5 баллов
    BZX84C15_R1_00001Диод: SOT-23, ZENER
    14.3Кешбэк 2 балла
    1SMB5950B-13DIODE ZENER 110V 3W SMB
    80Кешбэк 12 баллов
    BZX84W-B15XДиод: DIODE ZENER 15V 275MW SOT323
    35Кешбэк 5 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Принадлежности
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Симисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - JFET
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Тиристоры - SCR
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП