Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
C3M0060065D

C3M0060065D

C3M0060065D
;
C3M0060065D

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена C3M0060065D при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить C3M0060065D с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики C3M0060065D

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    37A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    15V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    79mOhm @ 13.2A, 15V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.6V @ 5mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    46 nC @ 15 V
  • Vgs (Max)
    +15V, -4V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1020 pF @ 600 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    150W (Tc)
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    C3M0060065

Техническая документация

C3M0060065D.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена C3M0060065D при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить C3M0060065D с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики C3M0060065D

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    37A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    15V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    79mOhm @ 13.2A, 15V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.6V @ 5mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    46 nC @ 15 V
  • Vgs (Max)
    +15V, -4V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1020 pF @ 600 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    150W (Tc)
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    C3M0060065

Техническая документация

C3M0060065D.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории