Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
C3M0065090J
  • В избранное
  • В сравнение
C3M0065090J

C3M0065090J

C3M0065090J
;
C3M0065090J

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Wolfspeed(CREE)
  • Артикул:
    C3M0065090J
  • Описание:
    Транзистор: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7Все характеристики

Минимальная цена C3M0065090J при покупке от 1 шт 2991.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить C3M0065090J с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание C3M0065090J

C3M0065090J Wolfspeed (CREE) Транзистор: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7

  • Основные параметры:
    • Тип: SiCFET (Silicon Carbide FET)
    • Тип полярности: N-канальный
    • Номинальное напряжение: 900В
    • Номинальный ток: 35А
    • Пакет: D2PAK-7
  • Плюсы:
    • Высокая частота работы
    • Высокий коэффициент трансформации
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер и вес
    • Энергоэффективность
  • Минусы:
    • Высокая стоимость
    • Сложность в проектировании и монтаже
    • Необходимость специального оборудования для производства
  • Общее назначение:
    • Использование в высоковольтных системах
    • Применение в трансформаторах и инверторах
    • Работа в условиях высокой температуры
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Системы энергоснабжения
    • Микроволновые печи
    • Индукционные печи
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики C3M0065090J

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    900 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    35A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    15V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    78mOhm @ 20A, 15V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.1V @ 5mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    30 nC @ 15 V
  • Vgs (Max)
    +19V, -8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    660 pF @ 600 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    113W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D2PAK-7
  • Корпус
    TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Base Product Number
    C3M0065090

Техническая документация

 C3M0065090J.pdf
pdf. 0 kb
  • 52 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    2 991 ₽
  • 10
    2 686 ₽
  • 50
    2 459 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Wolfspeed(CREE)
  • Артикул:
    C3M0065090J
  • Описание:
    Транзистор: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7Все характеристики

Минимальная цена C3M0065090J при покупке от 1 шт 2991.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить C3M0065090J с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание C3M0065090J

C3M0065090J Wolfspeed (CREE) Транзистор: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7

  • Основные параметры:
    • Тип: SiCFET (Silicon Carbide FET)
    • Тип полярности: N-канальный
    • Номинальное напряжение: 900В
    • Номинальный ток: 35А
    • Пакет: D2PAK-7
  • Плюсы:
    • Высокая частота работы
    • Высокий коэффициент трансформации
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер и вес
    • Энергоэффективность
  • Минусы:
    • Высокая стоимость
    • Сложность в проектировании и монтаже
    • Необходимость специального оборудования для производства
  • Общее назначение:
    • Использование в высоковольтных системах
    • Применение в трансформаторах и инверторах
    • Работа в условиях высокой температуры
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Системы энергоснабжения
    • Микроволновые печи
    • Индукционные печи
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики C3M0065090J

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    900 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    35A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    15V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    78mOhm @ 20A, 15V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.1V @ 5mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    30 nC @ 15 V
  • Vgs (Max)
    +19V, -8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    660 pF @ 600 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    113W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D2PAK-7
  • Корпус
    TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Base Product Number
    C3M0065090

Техническая документация

 C3M0065090J.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    STP24N60M2MOSFET N-CH 600V 18A TO220
    633Кешбэк 94 балла
    STU9N60M2MOSFET N-CH 600V 5.5A IPAK
    346Кешбэк 51 балл
    STF19NF20MOSFET N-CH 200V 15A TO220FP
    320Кешбэк 48 баллов
    STP10NK70ZMOSFET N-CH 700V 8.6A TO220AB
    397Кешбэк 59 баллов
    STP5NK50ZFPMOSFET N-CH 500V 4.4A TO220FP
    477Кешбэк 71 балл
    STP6NK90ZТранзистор: MOSFET N-CH 900V 5.8A TO220AB
    702Кешбэк 105 баллов
    STP9NK70ZFPMOSFET N-CH 700V 7.5A TO220FP
    635Кешбэк 95 баллов
    STW56N60M2-4MOSFET N-CH 600V 52A TO247-4L
    1 783Кешбэк 267 баллов
    STP105N3LLMOSFET N-CH 30V 80A TO220
    196Кешбэк 29 баллов
    STW40NF20MOSFET N-CH 200V 40A TO247-3
    957Кешбэк 143 балла
    STF9NK90ZMOSFET N-CH 900V 8A TO220FP
    456Кешбэк 68 баллов
    STP9NK90ZMOSFET N-CH 900V 8A TO220AB
    346Кешбэк 51 балл
    STW21N90K5MOSFET N-CH 900V 18.5A TO247-3
    1 525Кешбэк 228 баллов
    STP40NF10Транзистор: MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB
    344Кешбэк 51 балл
    STP12NK80ZMOSFET N-CH 800V 10.5A TO220AB
    514Кешбэк 77 баллов
    STP11NM50NMOSFET N-CH 500V 8.5A TO220AB
    320Кешбэк 48 баллов
    STP55NF06FPТранзистор: MOSFET N-CH 60V 50A TO220FP
    350Кешбэк 52 балла
    STP4N150MOSFET N-CH 1500V 4A TO220AB
    805Кешбэк 120 баллов
    STU4N62K3MOSFET N-CH 620V 3.8A IPAK
    269Кешбэк 40 баллов
    STD5NK40Z-1MOSFET N-CH 400V 3A IPAK
    351Кешбэк 52 балла
    STP18NM80MOSFET N-CH 800V 17A TO220AB
    1 239Кешбэк 185 баллов
    STP18N60M2Транзистор: MOSFET N-CH 600V 13A TO220
    451Кешбэк 67 баллов
    STP5NK80ZMOSFET N-CH 800V 4.3A TO220AB
    479Кешбэк 71 балл
    STF33N60M2MOSFET N-CH 600V 26A TO220FP
    717Кешбэк 107 баллов
    STP20NM60MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
    635Кешбэк 95 баллов
    STI18N65M2MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK
    400Кешбэк 60 баллов
    STP120N4F6MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
    330Кешбэк 49 баллов
    STW7NK90ZMOSFET N-CH 900V 5.8A TO247-3
    516Кешбэк 77 баллов
    STF34NM60NMOSFET N-CH 600V 31.5A TO220FP
    1 207Кешбэк 181 балл
    STP11N65M2MOSFET N-CH 650V 7A TO220
    406Кешбэк 60 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторные модули
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные диоды
    Диодные мосты
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - TRIACs
    Модули драйверов питания
    Транзисторы специального назначения
    Симисторы
    Диоды - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Сборки биполярных транзисторов
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды силовые
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - SCR - модули
    IGBT транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - выпрямители - массивы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП