Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
C3M0065090J-TR
  • В избранное
  • В сравнение
C3M0065090J-TR

C3M0065090J-TR

C3M0065090J-TR
;
C3M0065090J-TR

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Wolfspeed, Inc.
  • Артикул:
    C3M0065090J-TR
  • Описание:
    Транзистор: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7Все характеристики

Минимальная цена C3M0065090J-TR при покупке от 1 шт 4168.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить C3M0065090J-TR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание C3M0065090J-TR

C3M0065090J-TR Wolfspeed, Inc. Транзистор: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 900В
    • Номинальный ток: 35А
    • Тип: N-канальный SICFET (SiC MOSFET)
    • Пакет: D2PAK-7
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Низкое сопротивление при включенном состоянии
    • Высокая термическая стабильность
    • Малый размер и легкий вес
    • Высокая эффективность при работе в высокочастотных режимах
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными транзисторами
    • Необходимость специального оборудования для монтажа и тестирования
    • Сложность в проектировании систем с использованием SiC компонентов
  • Общее назначение:
    • Применяется в системах с высокой мощностью и частотой
    • Используется в промышленных и автомобильных приложениях
    • Работает в условиях высоких температур и напряжений
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы зарядки и управления двигателем
    • Питание и преобразование энергии в промышленности
    • Энергосберегающие решения для бытовой техники
    • Системы питания и управления в сетях связи
Выбрано: Показать

Характеристики C3M0065090J-TR

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    900 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    35A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    15V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    78mOhm @ 20A, 15V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.1V @ 5mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    30 nC @ 15 V
  • Vgs (Max)
    +19V, -8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    660 pF @ 600 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    113W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D2PAK-7
  • Корпус
    TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Base Product Number
    C3M0065090

Техническая документация

 C3M0065090J-TR.pdf
pdf. 0 kb
  • 756 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    4 168 ₽
  • 10
    2 989 ₽
  • 100
    2 636 ₽
  • 800
    2 154 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Wolfspeed, Inc.
  • Артикул:
    C3M0065090J-TR
  • Описание:
    Транзистор: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7Все характеристики

Минимальная цена C3M0065090J-TR при покупке от 1 шт 4168.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить C3M0065090J-TR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание C3M0065090J-TR

C3M0065090J-TR Wolfspeed, Inc. Транзистор: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 900В
    • Номинальный ток: 35А
    • Тип: N-канальный SICFET (SiC MOSFET)
    • Пакет: D2PAK-7
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Низкое сопротивление при включенном состоянии
    • Высокая термическая стабильность
    • Малый размер и легкий вес
    • Высокая эффективность при работе в высокочастотных режимах
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными транзисторами
    • Необходимость специального оборудования для монтажа и тестирования
    • Сложность в проектировании систем с использованием SiC компонентов
  • Общее назначение:
    • Применяется в системах с высокой мощностью и частотой
    • Используется в промышленных и автомобильных приложениях
    • Работает в условиях высоких температур и напряжений
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы зарядки и управления двигателем
    • Питание и преобразование энергии в промышленности
    • Энергосберегающие решения для бытовой техники
    • Системы питания и управления в сетях связи
Выбрано: Показать

Характеристики C3M0065090J-TR

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    900 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    35A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    15V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    78mOhm @ 20A, 15V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.1V @ 5mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    30 nC @ 15 V
  • Vgs (Max)
    +19V, -8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    660 pF @ 600 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    113W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D2PAK-7
  • Корпус
    TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Base Product Number
    C3M0065090

Техническая документация

 C3M0065090J-TR.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FDN339ANMOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
    69Кешбэк 10 баллов
    IRFR420TRLPBFMOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
    233Кешбэк 34 балла
    TN2510N8-GMOSFET N-CH 100V 730MA TO243AA
    250Кешбэк 37 баллов
    IRFR5305TRLPBFТранзистор: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
    209Кешбэк 31 балл
    STU6N65M2MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
    289Кешбэк 43 балла
    IRF6713STRPBFMOSFET N-CH 25V 22A/95A DIRECTFT
    295Кешбэк 44 балла
    DMTH6010LPSQ-13MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060
    300Кешбэк 45 баллов
    CSD18540Q5BTMOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
    767Кешбэк 115 баллов
    SIRA10DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
    168Кешбэк 25 баллов
    ATP405-TL-HMOSFET N-CH 100V 40A ATPAK
    463Кешбэк 69 баллов
    STL30N10F7Транзистор: MOSFET N-CH 100V 30A POWERFLAT
    167Кешбэк 25 баллов
    DMP2130LDM-7MOSFET P-CH 20V 3.4A SOT-26
    122Кешбэк 18 баллов
    STL21N65M5MOSFET N-CH 650V 17A PWRFLAT HV
    508Кешбэк 76 баллов
    SIHP12N60E-E3MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
    439Кешбэк 65 баллов
    2N7002E-T1-GE3Транзистор: MOSFET N-CH 60V 240MA TO236
    77Кешбэк 11 баллов
    MTP3055VLТранзистор: MOSFET N-CH 60V 12A TO220-3
    378Кешбэк 56 баллов
    TPH12008NH,L1QMOSFET N-CH 80V 24A 8SOP
    230Кешбэк 34 балла
    SI3438DV-T1-E3MOSFET N-CH 40V 7.4A 6TSOP
    304Кешбэк 45 баллов
    PSMN5R0-80PS,127MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB
    974Кешбэк 146 баллов
    AO3400AТранзистор: MOSFET N-CH 30V 5.7A SOT23-3L
    76Кешбэк 11 баллов
    BUK9675-55A,118MOSFET N-CH 55V 20A D2PAK
    332Кешбэк 49 баллов
    CSD19502Q5BTMOSFET N-CH 80V 100A 8VSON
    652Кешбэк 97 баллов
    SI7868ADP-T1-E3MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
    999Кешбэк 149 баллов
    IRFU9214PBFТранзистор: MOSFET P-CH 250V 2.7A TO251AA
    383Кешбэк 57 баллов
    BSZ0501NSIATMA1MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
    296Кешбэк 44 балла
    SI7686DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
    426Кешбэк 63 балла
    AUIRFR4615TRLMOSFET N-CH 150V 33A DPAK
    537Кешбэк 80 баллов
    AOD480MOSFET N-CH 30V 25A TO252
    72Кешбэк 10 баллов
    FDMC7660DCMOSFET N-CH 30V 30A/40A DLCOOL33
    319Кешбэк 47 баллов
    AUIRF8739L2TRMOSFET N-CH 40V 57A DIRECTFET
    1 573Кешбэк 235 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Триодные тиристоры - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Принадлежности
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
    Драйверы питания - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Симисторы
    IGBT транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП