Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
CE3512K2-C1
CE3512K2-C1

CE3512K2-C1

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    CEL
  • Артикул:
    CE3512K2-C1
  • Описание:
    Транзистор: RF FET 4V 12GHZ 4MICROXВсе характеристики

Минимальная цена CE3512K2-C1 при покупке от 1 шт 324.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить CE3512K2-C1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики CE3512K2-C1

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    pHEMT FET
  • Частота
    12GHz
  • Усиление
    13.7dB
  • Тестовое напряжение
    2 V
  • Current Rating (Amps)
    15mA
  • Уровень шума
    0.5dB
  • Тестовый ток
    10 mA
  • Мощность передачи
    125mW
  • Нормальное напряжение
    4 V
  • Корпус
    4-Micro-X
  • Исполнение корпуса
    4-Micro-X
  • Base Product Number
    CE3512
Техническая документация
 CE3512K2-C1.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 14548 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    324 ₽
  • 10
    237 ₽
  • 25
    216 ₽
  • 100
    192 ₽
  • 500
    174 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    CEL
  • Артикул:
    CE3512K2-C1
  • Описание:
    Транзистор: RF FET 4V 12GHZ 4MICROXВсе характеристики

Минимальная цена CE3512K2-C1 при покупке от 1 шт 324.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить CE3512K2-C1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики CE3512K2-C1

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    pHEMT FET
  • Частота
    12GHz
  • Усиление
    13.7dB
  • Тестовое напряжение
    2 V
  • Current Rating (Amps)
    15mA
  • Уровень шума
    0.5dB
  • Тестовый ток
    10 mA
  • Мощность передачи
    125mW
  • Нормальное напряжение
    4 V
  • Корпус
    4-Micro-X
  • Исполнение корпуса
    4-Micro-X
  • Base Product Number
    CE3512
Техническая документация
 CE3512K2-C1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SCH1305-TL-EPCH 1.8V DRIVE SERIES
    15.5Кешбэк 2 балла
    MRFX600GSR5Транзистор: TRANS LDMOS 600W 400 MHZ 65V
    38 307Кешбэк 5 746 баллов
    FSS262-TL-ENCH 4V DRIVE SERIES
    89Кешбэк 13 баллов
    EC4304C-TLPCH 1.5V DRIVE SERIES
    35Кешбэк 5 баллов
    BLP15H9S10GZТранзистор: BLP15H9S10G/SOT1483/REELDP
    4 281Кешбэк 642 балла
    PTFC270101M-V1-R1KТранзистор: RFP-LD10M
    1 948Кешбэк 292 балла
    CGHV40320D-GP4Транзистор: RF MOSFET HEMT 50V DIE
    113 420Кешбэк 17 013 баллов
    NE3512S02-T1D-AТранзистор: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    186Кешбэк 27 баллов
    GTVA101K42EV-V1-R0Транзистор: GAN HEMT 50V 1400W 0.96-1.4GHZ
    392 198Кешбэк 58 829 баллов
    BLC10G18XS-301AVTZТранзистор: BLC10G18XS-301AVT/SOT1275/TRAYDP
    11 620Кешбэк 1 743 балла
    CPH3449-TL-ENCH 2.5V DRIVE SERIES
    33Кешбэк 4 балла
    GTRA362802FC-V1-R0Транзистор: 280W, GAN HEMT, 48V, 3400-3600MH
    33 419Кешбэк 5 012 баллов
    BLM9D2527-20ABZRF MOSFET LDMOS SOT1462-1
    6 312Кешбэк 946 баллов
    CPH6602-TL-EТранзистор: NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
    45Кешбэк 6 баллов
    BLF989SUТранзистор: BLF989S/SOT539/TRAY
    36 885Кешбэк 5 532 балла
    BLF0910H6LS500UТранзистор: RF FET LDMOS 65V 14.8DB SOT12751
    27 929Кешбэк 4 189 баллов
    2SK3072-TB-ENCH 4V DRIVE SERIES
    56Кешбэк 8 баллов
    RF2L16180CB4Транзистор: 180 W, 28 V, 1.3 TO 1.6 GHZ RF P
    33 421Кешбэк 5 013 баллов
    WP2806008UHТранзистор: RF GaN HEMT 28V DC ~ 6GHZ, 8W
    8 631Кешбэк 1 294 балла
    2SK2552-T1-ASMALL SIGNAL FET
    43Кешбэк 6 баллов
    B10G3741N55DZТранзистор: IC 28V LDMOS RF SOT1462-1
    6 664Кешбэк 999 баллов
    CPH3438-TL-ENCH 4V DRIVE SERIES
    83Кешбэк 12 баллов
    EC4301C-TLPCH 1.5V DRIVE SERIES
    15.5Кешбэк 2 балла
    CGH60030D-GP4RF MOSFET HEMT 28V DIE
    31 742Кешбэк 4 761 балл
    BLA9H0912L-700UТранзистор: BLA9H0912L-700/SOT502/TRAY
    83 014Кешбэк 12 452 балла
    BLA8H0910L-500UТранзистор: RF MOSFET LDMOS 50V SOT502A
    91 533Кешбэк 13 729 баллов
    NE3515S02-T1D-AТранзистор: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    170Кешбэк 25 баллов
    GTRA384802FC-V1-R0Транзистор: GAN HEMT 48V 480W 3800MHZ
    40 103Кешбэк 6 015 баллов
    CGH60008D-GP4Транзистор: RF MOSFET HEMT 28V DIE
    8 609Кешбэк 1 291 балл
    BLM9D2327-26BZBLM9D2327-26B/SOT1462/REELDP
    5 746Кешбэк 861 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Драйверы питания - Модули
    Принадлежности
    Диоды силовые
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Симисторы - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - выпрямители - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Тиристоры - SCR
    Триодные тиристоры - Модули
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - Специального назначения
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Сборки
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП