Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
CE3514M4-C2
  • В избранное
  • В сравнение
CE3514M4-C2

CE3514M4-C2

CE3514M4-C2
;
CE3514M4-C2

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    CEL
  • Артикул:
    CE3514M4-C2
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET PHEMT FET 2VВсе характеристики

Минимальная цена CE3514M4-C2 при покупке от 1 шт 239.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить CE3514M4-C2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание CE3514M4-C2

CE3514M4-C2 CEL Транзистор: RF MOSFET PHEMT FET 2V

  • Основные параметры:
    • Тип: RF MOSFET PHEMT FET
    • Номинальное напряжение: 2В
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Высокий коэффициент усиления
    • Высокая частота работы
    • Устойчивость к шумам и помехам
    • Низкое сопротивление резистора ввода
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию системы
    • Высокая стоимость
  • Общее назначение:
    • Радиоэлектронная аппаратура (RF)
    • Системы связи
    • Цифровые радиоизмерительные приборы
    • Системы управления и автоматики
  • Применение:
    • В телевизионных приемниках
    • В мобильных телефонах
    • В радиостанциях
    • В системах спутниковой связи
Выбрано: Показать

Характеристики CE3514M4-C2

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    pHEMT FET
  • Частота
    12GHz
  • Усиление
    12.2dB
  • Тестовое напряжение
    2 V
  • Current Rating (Amps)
    68mA
  • Уровень шума
    0.62dB
  • Тестовый ток
    15 mA
  • Мощность передачи
    125mW
  • Нормальное напряжение
    4 V
  • Корпус
    4-SMD, Flat Leads
  • Исполнение корпуса
    4-Super Mini Mold
  • Base Product Number
    CE3514

Техническая документация

 CE3514M4-C2.pdf
pdf. 0 kb
  • 50465 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    239 ₽
  • 10
    174 ₽
  • 100
    140 ₽
  • 500
    126 ₽
  • 2500
    117 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    CEL
  • Артикул:
    CE3514M4-C2
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET PHEMT FET 2VВсе характеристики

Минимальная цена CE3514M4-C2 при покупке от 1 шт 239.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить CE3514M4-C2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание CE3514M4-C2

CE3514M4-C2 CEL Транзистор: RF MOSFET PHEMT FET 2V

  • Основные параметры:
    • Тип: RF MOSFET PHEMT FET
    • Номинальное напряжение: 2В
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Высокий коэффициент усиления
    • Высокая частота работы
    • Устойчивость к шумам и помехам
    • Низкое сопротивление резистора ввода
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию системы
    • Высокая стоимость
  • Общее назначение:
    • Радиоэлектронная аппаратура (RF)
    • Системы связи
    • Цифровые радиоизмерительные приборы
    • Системы управления и автоматики
  • Применение:
    • В телевизионных приемниках
    • В мобильных телефонах
    • В радиостанциях
    • В системах спутниковой связи
Выбрано: Показать

Характеристики CE3514M4-C2

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    pHEMT FET
  • Частота
    12GHz
  • Усиление
    12.2dB
  • Тестовое напряжение
    2 V
  • Current Rating (Amps)
    68mA
  • Уровень шума
    0.62dB
  • Тестовый ток
    15 mA
  • Мощность передачи
    125mW
  • Нормальное напряжение
    4 V
  • Корпус
    4-SMD, Flat Leads
  • Исполнение корпуса
    4-Super Mini Mold
  • Base Product Number
    CE3514

Техническая документация

 CE3514M4-C2.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    WP4806025UHТранзистор: RF GaN HEMT 48V DC ~ 6GHZ, 25W
    25 268Кешбэк 3 790 баллов
    WP2806045UHТранзистор: RF GaN HEMT 28V DC ~ 6GHZ, 45W
    28 047Кешбэк 4 207 баллов
    WPGM0206012Транзистор: RF GAN HEMT MMIC 2pcs/pack
    92 633Кешбэк 13 894 балла
    WPGM1517050Транзистор: RF GAN HEMT MMIC 2pcs/pack
    173 687Кешбэк 26 053 балла
    SP6122ACUМикросхема: LOW VOLTAGE PFET BUCK CONTROLLER
    91Кешбэк 13 баллов
    2SK1482-T-AZSMALL SIGNAL FET
    111Кешбэк 16 баллов
    MRF300ANТранзистор: RF MOSFET LDMOS 50V TO247
    14 110Кешбэк 2 116 баллов
    MRF1K50HR5Транзистор: HIGH POWER RF TRANSISTOR
    71 219Кешбэк 10 682 балла
    2SK2552-T1-ASMALL SIGNAL FET
    41Кешбэк 6 баллов
    2SK853A(1)-T1-AТранзистор: SMALL SIGNAL FET
    43Кешбэк 6 баллов
    2SK3718-T1-AТранзистор: N-CHANNEL J-FET
    44.5Кешбэк 6 баллов
    2SK852-T1-AТранзистор: SMALL SIGNAL FET
    46Кешбэк 6 баллов
    2SK852-T2-AТранзистор: SMALL SIGNAL FET
    46Кешбэк 6 баллов
    2SK3749(91)-T1-AТранзистор: SMALL SIGNAL FET
    50Кешбэк 7 баллов
    UPA608T(0)-T1-AТранзистор: SMALL SIGNAL FET
    50Кешбэк 7 баллов
    UPA608T-T1-AТранзистор: SMALL SIGNAL FET
    50Кешбэк 7 баллов
    UPA509TA-T2-AТранзистор: SMALL SIGNAL FET
    54Кешбэк 8 баллов
    2SK3230-T1-ASMALL SIGNAL FET
    59Кешбэк 8 баллов
    2SK238-T1B-AТранзистор: RF SMALL SIGNAL FET
    65Кешбэк 9 баллов
    2SK3105-T1B-ASMALL SIGNAL FET
    135Кешбэк 20 баллов
    NE3515S02-T1D-AТранзистор: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    163Кешбэк 24 балла
    NE3512S02-T1D-AТранзистор: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    178Кешбэк 26 баллов
    2SK3984-ZK-E1-AZSMALL SIGNAL FET
    196Кешбэк 29 баллов
    NE3513M04-T2B-AТранзистор: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    220Кешбэк 33 балла
    NE3503M04-T2B-AТранзистор: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    224Кешбэк 33 балла
    NE3517S03-T1D-AТранзистор: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    308Кешбэк 46 баллов
    2SK3113-Z-E1-AZSMALL SIGNAL FET
    322Кешбэк 48 баллов
    MWT-PH33FТранзистор: TRANS ALGAAS/INGAAS PHEMT
    3 211Кешбэк 481 балл
    MWT-5FТранзистор: GAAS MESFET
    12 933Кешбэк 1 939 баллов
    MWT-PH8FТранзистор: TRANS ALGAAS/INGAAS PHEMT
    16 024Кешбэк 2 403 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Принадлежности
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Высокочастотные диоды
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Драйверы питания - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - ВЧ
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Симисторы - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП