Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
CE3521M4-C2
  • В избранное
  • В сравнение
CE3521M4-C2

CE3521M4-C2

CE3521M4-C2
;
CE3521M4-C2

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    CEL
  • Артикул:
    CE3521M4-C2
  • Описание:
    Транзистор: RF FET 4V 20GHZ SOT343Все характеристики

Минимальная цена CE3521M4-C2 при покупке от 1 шт 560.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить CE3521M4-C2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание CE3521M4-C2

CE3521M4-C2 CEL Транзистор: RF FET 4V 20GHz SOT343

  • Основные параметры:
    • Рабочее напряжение: 4В
    • Рабочая частота: 20ГГц
    • Форм-фактор: SOT343
  • Плюсы:
    • Высокая скорость работы до 20ГГц
    • Компактный размер благодаря форм-фактору SOT343
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Высокие требования к охлаждению при работе на полной мощности
    • Требуется точное подключение для достижения максимальных характеристик
  • Общее назначение:
    • Используется в радиоэлектронных устройствах высокой частоты
    • Подходит для систем передачи и приема сигналов в радиолокации, спутниковой связи и других областях с высокими частотами
  • В каких устройствах применяется:
    • Спутниковые системы связи
    • Радиолокационные системы
    • Устройства для медицинского обследования (МРТ)
    • Системы тестирования и измерений
Выбрано: Показать

Характеристики CE3521M4-C2

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    pHEMT FET
  • Частота
    20GHz
  • Усиление
    11.9dB
  • Тестовое напряжение
    2 V
  • Current Rating (Amps)
    15mA
  • Уровень шума
    1.05dB
  • Тестовый ток
    10 mA
  • Мощность передачи
    125mW
  • Нормальное напряжение
    4 V
  • Корпус
    SC-82A, SOT-343
  • Исполнение корпуса
    4-Super Mini Mold
  • Base Product Number
    CE3521

Техническая документация

 CE3521M4-C2.pdf
pdf. 0 kb
  • 1238 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    560 ₽
  • 10
    355 ₽
  • 25
    302 ₽
  • 100
    241 ₽
  • 250
    211 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    CEL
  • Артикул:
    CE3521M4-C2
  • Описание:
    Транзистор: RF FET 4V 20GHZ SOT343Все характеристики

Минимальная цена CE3521M4-C2 при покупке от 1 шт 560.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить CE3521M4-C2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание CE3521M4-C2

CE3521M4-C2 CEL Транзистор: RF FET 4V 20GHz SOT343

  • Основные параметры:
    • Рабочее напряжение: 4В
    • Рабочая частота: 20ГГц
    • Форм-фактор: SOT343
  • Плюсы:
    • Высокая скорость работы до 20ГГц
    • Компактный размер благодаря форм-фактору SOT343
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Высокие требования к охлаждению при работе на полной мощности
    • Требуется точное подключение для достижения максимальных характеристик
  • Общее назначение:
    • Используется в радиоэлектронных устройствах высокой частоты
    • Подходит для систем передачи и приема сигналов в радиолокации, спутниковой связи и других областях с высокими частотами
  • В каких устройствах применяется:
    • Спутниковые системы связи
    • Радиолокационные системы
    • Устройства для медицинского обследования (МРТ)
    • Системы тестирования и измерений
Выбрано: Показать

Характеристики CE3521M4-C2

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    pHEMT FET
  • Частота
    20GHz
  • Усиление
    11.9dB
  • Тестовое напряжение
    2 V
  • Current Rating (Amps)
    15mA
  • Уровень шума
    1.05dB
  • Тестовый ток
    10 mA
  • Мощность передачи
    125mW
  • Нормальное напряжение
    4 V
  • Корпус
    SC-82A, SOT-343
  • Исполнение корпуса
    4-Super Mini Mold
  • Base Product Number
    CE3521

Техническая документация

 CE3521M4-C2.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    TAV-541+Транзистор: RF MOSFET E-PHEMT 3V FG873
    2 807Кешбэк 421 балл
    TAV-581+Транзистор: RF MOSFET E-PHEMT 3V FG873
    2 807Кешбэк 421 балл
    TAV-551+Транзистор: RF MOSFET E-PHEMT 3V FG873
    2 807Кешбэк 421 балл
    TAV1-331+Транзистор: RF MOSFET D-PHEMT 4V TE2769
    3 066Кешбэк 459 баллов
    TAV2-501+Транзистор: SMT LOW NOISE AMPLIFIER, 400 - 3
    2 553Кешбэк 382 балла
    IGN2729M400R2Транзистор: GAN, RF POWER TRANSISTOR, S-BAND
    159 971Кешбэк 23 995 баллов
    IGN1214M300Транзистор: GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
    185 811Кешбэк 27 871 балл
    IGN0912LM500Транзистор: GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
    158 257Кешбэк 23 738 баллов
    IGN1011L70Транзистор: GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
    47 767Кешбэк 7 165 баллов
    IGN1011L1200Транзистор: GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
    182 175Кешбэк 27 326 баллов
    CPH3337-T-TL-EPCH 2.5V DRIVE SERIES
    39Кешбэк 5 баллов
    CPH3438-TL-ENCH 4V DRIVE SERIES
    80Кешбэк 12 баллов
    CPH3325-TL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    31.6Кешбэк 4 балла
    2SK3491-TL-ENCH 4V DRIVE SERIES
    58Кешбэк 8 баллов
    CPH3441-TL-ENCH 4V DRIVE SERIES
    56Кешбэк 8 баллов
    CPH3338-TL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    39Кешбэк 5 баллов
    CPH6413-TL-ENCH 2.5V DRIVE SERIES
    22.3Кешбэк 3 балла
    SCH1419-TL-ENCH 2.5V DRIVE SERIES
    22.3Кешбэк 3 балла
    CPH3449-TL-ENCH 2.5V DRIVE SERIES
    31.6Кешбэк 4 балла
    MCH6619-TL-EТранзистор: PCH+PCH 4V DRIVE SERIES
    46.5Кешбэк 6 баллов
    CPH5821-TL-EPCH+SBD 4V DRIVE SERIES
    58Кешбэк 8 баллов
    SCH2822-TL-EТранзистор: PCH+SBD 2.5V DRIVE SERIES
    13Кешбэк 1 балл
    MCH6305-H-TL-EPCH 2.5V DRIVE SERIES
    33.5Кешбэк 5 баллов
    CPH6312-TL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    33.5Кешбэк 5 баллов
    CPH3313-TL-EPCH 2.5V DRIVE SERIES
    18.6Кешбэк 2 балла
    CPH3322-TL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    39Кешбэк 5 баллов
    CPH6612-TL-EТранзистор: NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
    56Кешбэк 8 баллов
    MCH6306-TL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    18.6Кешбэк 2 балла
    2SK2539-7-TB-ENCH J-FET
    71Кешбэк 10 баллов
    CPH5870-TL-ENCH+SBD 2.5V DRIVE SERIES
    65Кешбэк 9 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - Специального назначения
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Принадлежности
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Диоды - выпрямители - массивы
    Симисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Модули драйверов питания
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП