Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
CG2H40010F
  • В избранное
  • В сравнение
CG2H40010F

CG2H40010F

CG2H40010F
;
CG2H40010F

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    MACOM Technology Solutions
  • Артикул:
    CG2H40010F
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440166Все характеристики

Минимальная цена CG2H40010F при покупке от 1 шт 18695.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить CG2H40010F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание CG2H40010F

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Маркировка: CG2H40010F
      • Производитель: MACOM Technology Solutions
      • Тип: RF MOSFET HEMT
      • Номинальное напряжение: 28В
      • Потребляемая мощность: 440166 (данные не раскрываются полностью)
    • Плюсы:
      • Высокая скорость передачи данных
      • Устойчивость к помехам
      • Высокая надежность при работе в широком диапазоне температур
      • Эффективная работа на высоких частотах
    • Минусы:
      • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
      • Требуют специального оборудования для монтажа и тестирования
    • Общее назначение:
      • Использование в радиосвязи и радиоэлектронных устройствах
      • Аналоговые и цифровые радиочастотные системы
      • Системы спутниковой связи
      • Беспроводные сети и устройства
    • В каких устройствах применяется:
      • Мобильные телефоны и смартфоны
      • Спутниковые системы связи
      • Автомобильные системы навигации и связь
      • Беспроводные сети Wi-Fi и Bluetooth
      • Датчики и системы контроля
Выбрано: Показать

Характеристики CG2H40010F

  • Тип транзистора
    HEMT
  • Частота
    8GHz
  • Усиление
    16.5dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Тестовый ток
    100 mA
  • Нормальное напряжение
    120 V
  • Корпус
    440166
  • Исполнение корпуса
    440166
  • Base Product Number
    CG2H40010

Техническая документация

 CG2H40010F.pdf
pdf. 0 kb
  • 210 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    18 695 ₽
  • 10
    15 659 ₽
  • 50
    14 444 ₽
  • 100
    14 068 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    MACOM Technology Solutions
  • Артикул:
    CG2H40010F
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440166Все характеристики

Минимальная цена CG2H40010F при покупке от 1 шт 18695.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить CG2H40010F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание CG2H40010F

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Маркировка: CG2H40010F
      • Производитель: MACOM Technology Solutions
      • Тип: RF MOSFET HEMT
      • Номинальное напряжение: 28В
      • Потребляемая мощность: 440166 (данные не раскрываются полностью)
    • Плюсы:
      • Высокая скорость передачи данных
      • Устойчивость к помехам
      • Высокая надежность при работе в широком диапазоне температур
      • Эффективная работа на высоких частотах
    • Минусы:
      • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
      • Требуют специального оборудования для монтажа и тестирования
    • Общее назначение:
      • Использование в радиосвязи и радиоэлектронных устройствах
      • Аналоговые и цифровые радиочастотные системы
      • Системы спутниковой связи
      • Беспроводные сети и устройства
    • В каких устройствах применяется:
      • Мобильные телефоны и смартфоны
      • Спутниковые системы связи
      • Автомобильные системы навигации и связь
      • Беспроводные сети Wi-Fi и Bluetooth
      • Датчики и системы контроля
Выбрано: Показать

Характеристики CG2H40010F

  • Тип транзистора
    HEMT
  • Частота
    8GHz
  • Усиление
    16.5dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Тестовый ток
    100 mA
  • Нормальное напряжение
    120 V
  • Корпус
    440166
  • Исполнение корпуса
    440166
  • Base Product Number
    CG2H40010

Техническая документация

 CG2H40010F.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BLC10G22XS-400AVTZТранзистор: BLC10G22XS-400AVT/SOT1258/TRAY
    13 819Кешбэк 2 072 балла
    BLF13H9L750PUТранзистор: BLF13H9L750P/SOT539/TRAY
    33 159Кешбэк 4 973 балла
    BLS9G3135L-115UТранзистор: BLS9G3135L-115/SOT1135/TRAY
    27 582Кешбэк 4 137 баллов
    BLC10G27LS-320AVTZТранзистор: BLC10G27LS-320AV/SOT1258/TRAYD
    15 512Кешбэк 2 326 баллов
    BLF189XRBSUТранзистор: RF MOSFET SOT539 TRAY
    49 029Кешбэк 7 354 балла
    BLF189XRBUТранзистор: RF MOSFET SOT539 TRAY
    67 139Кешбэк 10 070 баллов
    BLC9H10XS-500AZТранзистор: BLC9H10XS-500A/SOT1273/TRAYDP
    22 362Кешбэк 3 354 балла
    BLA9G1011L-300UТранзистор: RF MOSFET LDMOS 32V SOT502A
    35 736Кешбэк 5 360 баллов
    BLF888ESUТранзистор: RF FET LDMOS 104V 17DB SOT539B
    70 125Кешбэк 10 518 баллов
    CLF1G0060-30Транзистор: CLF1G0060-30 - 30W BROADBAND RF
    30 595Кешбэк 4 589 баллов
    ASC2406HIGH POWER AMPLIFIER
    219 911Кешбэк 32 986 баллов
    ON5233,118Транзистор: ON5233 - RF MOSFET
    113Кешбэк 16 баллов
    NTE221Транзистор: MOSFET N-CH VHF AMP/MIX
    2 223Кешбэк 333 балла
    A2T27S007NT1Транзистор: AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
    1 102Кешбэк 165 баллов
    MRF24300NR3Транзистор: RF MOSFET LDMOS 32V OM780-2
    3 557Кешбэк 533 балла
    CLF1G0035-100PТранзистор: RF SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRA
    54 987Кешбэк 8 248 баллов
    MRF101ANТранзистор: RF TRANSISTOR 100W TO-220
    7 774Кешбэк 1 166 баллов
    MRF24301HR5Транзистор: RF MOSFET LDMOS NI780H
    20 320Кешбэк 3 048 баллов
    AFV10700HSR5Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V NI780S-4L
    130 207Кешбэк 19 531 балл
    MRF300BNТранзистор: RF MOSFET LDMOS 50V TO247
    16 750Кешбэк 2 512 баллов
    MRF1K50GNR5Транзистор: RF MOSFET LDMOS 50 OM1230G
    42 965Кешбэк 6 444 балла
    MRFX600HSR5Транзистор: TRANS LDMOS 600W 400 MHZ 65V
    46 780Кешбэк 7 017 баллов
    MRFX600GSR5Транзистор: TRANS LDMOS 600W 400 MHZ 65V
    47 106Кешбэк 7 065 баллов
    MRFX035HR5Транзистор: TRANS LDMOS 35W 512 MHZ 65V
    22 788Кешбэк 3 418 баллов
    MRFX1K80NR5Транзистор: RF MOSFET LDMOS 65V OM1230-4L
    59 484Кешбэк 8 922 балла
    MRFX600HR5Транзистор: TRANS LDMOS 600W 400 MHZ 65V
    51 658Кешбэк 7 748 баллов
    MRFX1K80GNR5Транзистор: 600MHZ 1.8KW OM1230G-4L
    56 149Кешбэк 8 422 балла
    A3G26D055N-1805Транзистор: RF REFERENCE CIRCUIT 25W 1805-18
    82 275Кешбэк 12 341 балл
    A3G26D055N-2110Транзистор: RF REFERENCE CIRCUIT 25W 2110-22
    125 055Кешбэк 18 758 баллов
    TA9110KPA RF GAN PWR 6W .03-4GHZ 32V
    4 956Кешбэк 743 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Триодные тиристоры - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные диоды
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Симисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды силовые
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Принадлежности
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Диодные мосты - Модули
    Диодные мосты
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - Модули
    Модули драйверов питания
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП