CG2H80030D-GP4

Транзистор: RF MOSFET HEMT 28V DIE

• Производитель: MACOM Technology Solutions
• Маркировка: CG2H80030D-GP4

Основные параметры:

• Тип: RF MOSFET (Radio Frequency Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)
• Технология: HEMT (High Electron Mobility Transistor)
• Номинальное напряжение: 28В
• Тип пакета: Die (без корпуса)

Плюсы:

• Высокая частота операции – подходит для радиочастотных приложений.
• Высокая скорость переключения обеспечивает более эффективное использование энергии.
• Хорошая термическая стабильность при работе с высокими частотами.
• Устойчивость к шуму и помехам благодаря использованию технологии HEMT.

Минусы:

• Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов.
• Требуется специальное оборудование для монтажа из-за отсутствия корпуса.
• Высокие требования к термической обработке во время производства.

Общее назначение:

• Используется в радиочастотных системах, таких как спутниковые телевизионные приемники и передатчики.
• Подходит для мобильных устройств, где требуется высокая чувствительность приемников и низкое энергопотребление.
• Используется в системах связи и радиоэлектроники, требующих работы на высоких частотах.

В каких устройствах применяется:

• Спутниковые телевизионные приемники и передатчики.
• Мобильные телефоны и смартфоны.
• Радиоэлектронное оборудование для военных и гражданских целей.
• Системы связи и радиолокации.