Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
CGH27015F
CGH27015F

CGH27015F

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    MACOM Technology Solutions
  • Артикул:
    CGH27015F
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440166Все характеристики

Минимальная цена CGH27015F при покупке от 1 шт 25178.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить CGH27015F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики CGH27015F

  • Тип транзистора
    HEMT
  • Частота
    3GHz
  • Усиление
    15dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Тестовый ток
    100 mA
  • Мощность передачи
    15W
  • Нормальное напряжение
    84 V
  • Корпус
    440166
  • Исполнение корпуса
    440166
  • Base Product Number
    CGH27015
Техническая документация
 CGH27015F.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 69 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    25 178 ₽
  • 10
    21 234 ₽
  • 50
    19 657 ₽
  • 100
    19 168 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    MACOM Technology Solutions
  • Артикул:
    CGH27015F
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440166Все характеристики

Минимальная цена CGH27015F при покупке от 1 шт 25178.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить CGH27015F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики CGH27015F

  • Тип транзистора
    HEMT
  • Частота
    3GHz
  • Усиление
    15dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Тестовый ток
    100 mA
  • Мощность передачи
    15W
  • Нормальное напряжение
    84 V
  • Корпус
    440166
  • Исполнение корпуса
    440166
  • Base Product Number
    CGH27015
Техническая документация
 CGH27015F.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    UPA608T-T1-AТранзистор: SMALL SIGNAL FET
    52Кешбэк 7 баллов
    BLP0408H9S30ZТранзистор: BLP0408H9S30/SOT1482/REELDP
    7 089Кешбэк 1 063 балла
    IRFAF50N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
    1 288Кешбэк 193 балла
    MCH6408-TL-ENCH 2.5V DRIVE SERIES
    45Кешбэк 6 баллов
    ART2K0FESUТранзистор: ART2K0FES/SOT539/TRAY
    52 763Кешбэк 7 914 баллов
    2SK515-T1B-ASMALL SIGNAL FET
    39Кешбэк 5 баллов
    2SK3617-TL-ENCH 4V DRIVE SERIES
    107Кешбэк 16 баллов
    VRF2933MPТранзистор: RF MOSFET N-CHANNEL 50V M177
    64 519Кешбэк 9 677 баллов
    BLP15M9S70GZТранзистор: BLP15M9S70G/SOT1483/REELDP
    5 033Кешбэк 754 балла
    VRF151MPТранзистор: RF MOSFET N-CHANNEL 50V M174
    24 939Кешбэк 3 740 баллов
    CGHV27015SТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V 12DFN
    10 682Кешбэк 1 602 балла
    NTA4153NT1HТранзистор: NFET SC75 20V 915MA TR
    35Кешбэк 5 баллов
    BXL4004-1EXNCH 4.5V DRIVE SERIES
    312Кешбэк 46 баллов
    CGH21240FТранзистор: GAN HEMT 28V 1.8-2.1GHZ
    175 423Кешбэк 26 313 баллов
    NE3515S02-T1D-AТранзистор: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    170Кешбэк 25 баллов
    AFM907NT1Транзистор: RF MOSFET LDMOS 7.5V 10-DFN
    2 631Кешбэк 394 балла
    CGHV96130FТранзистор: 100W GAN HEMT 7.9-9.6GHZ 50-OHM
    284 514Кешбэк 42 677 баллов
    CE3512K2Транзистор: RF FET 4V 12GHZ 4MICROX
    418Кешбэк 62 балла
    CLF1G0035-100PТранзистор: RF SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRA
    57 500Кешбэк 8 625 баллов
    CGHV1J025D-GP4Транзистор: RF MOSFET HEMT 40V DIE
    47 569Кешбэк 7 135 баллов
    BLF989EUТранзистор: BLF989E/SOT539/TRAY
    49 911Кешбэк 7 486 баллов
    BLC10G22XS-400AVTZТранзистор: BLC10G22XS-400AVT/SOT1258/TRAY
    14 451Кешбэк 2 167 баллов
    CGHV35060MPТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V 20TSSOP
    42 069Кешбэк 6 310 баллов
    MCH3414-EBM-TL-ENCH 4V DRIVE SERIES
    19.4Кешбэк 2 балла
    BLF189XRBUТранзистор: RF MOSFET SOT539 TRAY
    70 207Кешбэк 10 531 балл
    FSS262-TL-ENCH 4V DRIVE SERIES
    89Кешбэк 13 баллов
    CPH6602-TL-EТранзистор: NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
    45Кешбэк 6 баллов
    2SK3749(91)-T1-AТранзистор: SMALL SIGNAL FET
    52Кешбэк 7 баллов
    BLF888BS,112Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V SOT539B
    47 432Кешбэк 7 114 баллов
    CGHV27030SТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V 12DFN
    15 760Кешбэк 2 364 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - JFET
    Диоды - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - SCR
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диодные мосты
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Симисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Принадлежности
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    IGBT транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП