Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
CGH27030F
  • В избранное
  • В сравнение
CGH27030F

CGH27030F

CGH27030F
;
CGH27030F

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    MACOM Technology Solutions
  • Артикул:
    CGH27030F
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440166Все характеристики

Минимальная цена CGH27030F при покупке от 1 шт 32023.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить CGH27030F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание CGH27030F

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Маркировка: CGH27030F
      • Производитель: MACOM Technology Solutions
      • Тип: RF MOSFET HEMT
      • Напряжение блокировки: 28В
      • Количество каналов: 440166
    • Плюсы:
      • Высокая мощность и выходная мощность
      • Высокая скорость перехода (fT)
      • Устойчивость к перегреву и перенапряжению
      • Высокая стабильность параметров при изменении температуры
    • Минусы:
      • Высокие требования к охлаждению из-за высокой мощности
      • Сложность в разработке и монтаже
    • Общее назначение:
      • Использование в радиоэлектронных устройствах с высокими частотами
      • Аппаратура для передачи и приема сигналов
      • Системы спутниковой связи
      • Мобильные радиостанции
    • В каких устройствах применяется:
      • Радиоприемники и передатчики
      • Генераторы высокочастотных сигналов
      • Усилители сигналов
      • Системы спутниковой связи
      • Мобильные радиостанции и системы связи
Выбрано: Показать

Характеристики CGH27030F

  • Тип транзистора
    HEMT
  • Частота
    3GHz
  • Усиление
    14.5dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Тестовый ток
    150 mA
  • Мощность передачи
    30W
  • Нормальное напряжение
    84 V
  • Корпус
    440166
  • Исполнение корпуса
    440166
  • Base Product Number
    CGH27030

Техническая документация

 CGH27030F.pdf
pdf. 0 kb
  • 43 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    32 023 ₽
  • 10
    27 212 ₽
  • 50
    25 288 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    MACOM Technology Solutions
  • Артикул:
    CGH27030F
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440166Все характеристики

Минимальная цена CGH27030F при покупке от 1 шт 32023.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить CGH27030F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание CGH27030F

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Маркировка: CGH27030F
      • Производитель: MACOM Technology Solutions
      • Тип: RF MOSFET HEMT
      • Напряжение блокировки: 28В
      • Количество каналов: 440166
    • Плюсы:
      • Высокая мощность и выходная мощность
      • Высокая скорость перехода (fT)
      • Устойчивость к перегреву и перенапряжению
      • Высокая стабильность параметров при изменении температуры
    • Минусы:
      • Высокие требования к охлаждению из-за высокой мощности
      • Сложность в разработке и монтаже
    • Общее назначение:
      • Использование в радиоэлектронных устройствах с высокими частотами
      • Аппаратура для передачи и приема сигналов
      • Системы спутниковой связи
      • Мобильные радиостанции
    • В каких устройствах применяется:
      • Радиоприемники и передатчики
      • Генераторы высокочастотных сигналов
      • Усилители сигналов
      • Системы спутниковой связи
      • Мобильные радиостанции и системы связи
Выбрано: Показать

Характеристики CGH27030F

  • Тип транзистора
    HEMT
  • Частота
    3GHz
  • Усиление
    14.5dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Тестовый ток
    150 mA
  • Мощность передачи
    30W
  • Нормальное напряжение
    84 V
  • Корпус
    440166
  • Исполнение корпуса
    440166
  • Base Product Number
    CGH27030

Техническая документация

 CGH27030F.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    AFM907NT1Транзистор: RF MOSFET LDMOS 7.5V 10-DFN
    800Кешбэк 120 баллов
    CE3512K2-C1Транзистор: RF FET 4V 12GHZ 4MICROX
    309Кешбэк 46 баллов
    CPH3303-TL-EPCH 2.5V DRIVE SERIES
    43Кешбэк 6 баллов
    CPH5811-TL-ENCH+SBD 1.8V DRIVE SERIES
    56Кешбэк 8 баллов
    J211-D74ZJFET N-CH 25V 20MA TO92
    52Кешбэк 7 баллов
    2SJ659-DL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    137Кешбэк 20 баллов
    STB60N06HDT4Транзистор: NFET D2PAK SPCL 60V TR
    232Кешбэк 34 балла
    NE3512S02-T1D-AТранзистор: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    178Кешбэк 26 баллов
    BFL4036-SNCH 10V DRIVE SERIES
    117Кешбэк 17 баллов
    FSS172-TL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    83Кешбэк 12 баллов
    MCH6608-TL-EТранзистор: NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
    43Кешбэк 6 баллов
    NTD4860NT4HТранзистор: NFET DPAK 25V 65A 0.0075R
    85Кешбэк 12 баллов
    BFL4037-SNCH 10V DRIVE SERIES
    132Кешбэк 19 баллов
    NTD4865NT4HТранзистор: NFET DPAK 25V 44A 0.0011R
    48Кешбэк 7 баллов
    TPIC46L02DBLEМикросхема: LOW SIDE PRE FET DRIVER
    196Кешбэк 29 баллов
    2SK853A(1)-T1-AТранзистор: SMALL SIGNAL FET
    43Кешбэк 6 баллов
    CPH3408-TL-ENCH 4V DRIVE SERIES
    89Кешбэк 13 баллов
    CPH5819-TL-ENCH+SBD 4V DRIVE SERIES
    31.5Кешбэк 4 балла
    MCH6415-TL-ENCH 1.8V DRIVE SERIES
    48Кешбэк 7 баллов
    2SK3984-ZK-E1-AZSMALL SIGNAL FET
    196Кешбэк 29 баллов
    CE3520K3-C1Транзистор: RF FET 4V 20GHZ 4MICROX
    422Кешбэк 63 балла
    FDMC0223Транзистор: N-CHANNEL POWER TRENCH SYNCFET
    41Кешбэк 6 баллов
    2SJ266-DL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    224Кешбэк 33 балла
    CPH3426-TL-ENCH 4V DRIVE SERIES
    43Кешбэк 6 баллов
    CPH3338-T-TL-HPCH 4V DRIVE SERIES
    22.2Кешбэк 3 балла
    FSS262-TL-ENCH 4V DRIVE SERIES
    85Кешбэк 12 баллов
    CPH6302-TL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    107Кешбэк 16 баллов
    MCH6634-TL-EТранзистор: PCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
    18.5Кешбэк 2 балла
    2SK2617ALS-CB11NCH 15V DRIVE SERIES
    369Кешбэк 55 баллов
    2SK3617-ENCH 4V DRIVE SERIES
    150Кешбэк 22 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - SCR
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные диоды
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП