Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
CGHV27030S
  • В избранное
  • В сравнение
CGHV27030S

CGHV27030S

CGHV27030S
;
CGHV27030S

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    MACOM Technology Solutions
  • Артикул:
    CGHV27030S
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET HEMT 50V 12DFNВсе характеристики

Минимальная цена CGHV27030S при покупке от 1 шт 15071.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить CGHV27030S с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание CGHV27030S

Размеры и маркировка:

  • Маркировка: CGHV27030S
  • Производитель: MACOM Technology Solutions

Основные параметры:

  • Тип: RF MOSFET HEMT
  • Напряжение блокировки: 50В
  • Пакет: 12DFN

Плюсы:

  • Высокая скорость переключения: идеально подходит для радиочастотных (RF) приложений.
  • Высокая мощность: способен выдерживать значительные радиочастотные сигналы.
  • Устойчивость к излучению: хорошая надежность при работе в условиях высоких уровней радиации.

Минусы:

  • Высокие затраты: стоимость компонента может быть выше по сравнению с другими типами транзисторов.
  • Требование к охлаждению: при больших нагрузках может потребоваться дополнительное охлаждение.

Общее назначение:

  • Радиоэлектроника: использование в радиостанциях, приемниках и передатчиках.
  • Мобильная связь: применение в антеннах и усилителях для мобильных устройств.
  • Беспроводные системы: работа в беспроводных сетях и системах связи.

Применение:

  • Антенны: используется для усиления сигналов.
  • Усилители: применяется для повышения уровня сигнала перед его передачей.
  • Передатчики: используется для генерации и передачи радиосигналов.
Выбрано: Показать

Характеристики CGHV27030S

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    HEMT
  • Частота
    6GHz
  • Усиление
    20.4dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Тестовый ток
    130 mA
  • Мощность передачи
    30W
  • Нормальное напряжение
    125 V
  • Корпус
    12-VFDFN Exposed Pad
  • Исполнение корпуса
    12-DFN (4x3)
  • Base Product Number
    CGHV27030

Техническая документация

 CGHV27030S.pdf
pdf. 0 kb
  • 797 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    15 071 ₽
  • 10
    12 548 ₽
  • 25
    12 257 ₽
  • 250
    10 896 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    MACOM Technology Solutions
  • Артикул:
    CGHV27030S
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET HEMT 50V 12DFNВсе характеристики

Минимальная цена CGHV27030S при покупке от 1 шт 15071.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить CGHV27030S с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание CGHV27030S

Размеры и маркировка:

  • Маркировка: CGHV27030S
  • Производитель: MACOM Technology Solutions

Основные параметры:

  • Тип: RF MOSFET HEMT
  • Напряжение блокировки: 50В
  • Пакет: 12DFN

Плюсы:

  • Высокая скорость переключения: идеально подходит для радиочастотных (RF) приложений.
  • Высокая мощность: способен выдерживать значительные радиочастотные сигналы.
  • Устойчивость к излучению: хорошая надежность при работе в условиях высоких уровней радиации.

Минусы:

  • Высокие затраты: стоимость компонента может быть выше по сравнению с другими типами транзисторов.
  • Требование к охлаждению: при больших нагрузках может потребоваться дополнительное охлаждение.

Общее назначение:

  • Радиоэлектроника: использование в радиостанциях, приемниках и передатчиках.
  • Мобильная связь: применение в антеннах и усилителях для мобильных устройств.
  • Беспроводные системы: работа в беспроводных сетях и системах связи.

Применение:

  • Антенны: используется для усиления сигналов.
  • Усилители: применяется для повышения уровня сигнала перед его передачей.
  • Передатчики: используется для генерации и передачи радиосигналов.
Выбрано: Показать

Характеристики CGHV27030S

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    HEMT
  • Частота
    6GHz
  • Усиление
    20.4dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Тестовый ток
    130 mA
  • Мощность передачи
    30W
  • Нормальное напряжение
    125 V
  • Корпус
    12-VFDFN Exposed Pad
  • Исполнение корпуса
    12-DFN (4x3)
  • Base Product Number
    CGHV27030

Техническая документация

 CGHV27030S.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BFL4037-SNCH 10V DRIVE SERIES
    132Кешбэк 19 баллов
    2SJ659-DL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    137Кешбэк 20 баллов
    2SK3617-ENCH 4V DRIVE SERIES
    150Кешбэк 22 балла
    2SJ266-DL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    224Кешбэк 33 балла
    STB60N06HDT4Транзистор: NFET D2PAK SPCL 60V TR
    232Кешбэк 34 балла
    2SK1920-ENCH 10V DRIVE SERIES
    246Кешбэк 36 баллов
    2SK3820-DL-1EXNCH 4V DRIVE SERIES
    248Кешбэк 37 баллов
    2SK3819-DL-ENCH 4V DRIVE SERIES
    259Кешбэк 38 баллов
    BXL4004-1EXNCH 4.5V DRIVE SERIES
    298Кешбэк 44 балла
    STB4N80ET4Диод: NFET D2PAK SPCL 800V TR
    302Кешбэк 45 баллов
    2SK1069-4-TL-EN-CHANNEL JUNCTION SILICON FET
    315Кешбэк 47 баллов
    2SK4101FS-V-HNCH 10V DRIVE SERIES
    339Кешбэк 50 баллов
    2SJ277-DL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    361Кешбэк 54 балла
    2SK2617ALS-CB11NCH 15V DRIVE SERIES
    369Кешбэк 55 баллов
    2SK4087LS-SHPNCH 10V DRIVE SERIES
    589Кешбэк 88 баллов
    2SK4087LS-MG5NCH 10V DRIVE SERIES
    589Кешбэк 88 баллов
    2SK2534-TL-ENCH 10V DRIVE SERIES
    622Кешбэк 93 балла
    BLM9D0910-05AMZBLM9D0910-05AM/LGA7X7/REELDP
    3 135Кешбэк 470 баллов
    BLP9LA25SZТранзистор: BLP9LA25S/SOT1482/REELDP
    3 363Кешбэк 504 балла
    BLP9LA25SGZТранзистор: BLP9LA25SG/SOT1483/REELDP
    3 424Кешбэк 513 баллов
    BLP9G0722-20GZТранзистор: RF MOSFET LDMOS 28V SOT1483-1
    3 663Кешбэк 549 баллов
    BLP15H9S10GZТранзистор: BLP15H9S10G/SOT1483/REELDP
    4 094Кешбэк 614 баллов
    BLP15H9S10ZТранзистор: BLP15H9S10/SOT1482/REELDP
    4 094Кешбэк 614 баллов
    BLM10D3438-35ABZBLM10D3438-35AB/SOT1462/REELDP
    4 265Кешбэк 639 баллов
    BLP15H9S30GZТранзистор: BLP15H9S30G/SOT1483/REELDP
    4 280Кешбэк 642 балла
    BLP15H9S30ZТранзистор: BLP15H9S30/SOT1482/REELDP
    4 280Кешбэк 642 балла
    BLP5LA55SZТранзистор: BLP5LA55S/SOT1482/REELDP
    4 708Кешбэк 706 баллов
    BLP15M9S70GZТранзистор: BLP15M9S70G/SOT1483/REELDP
    4 813Кешбэк 721 балл
    BLP15M9S70ZТранзистор: BLP15M9S70/SOT1482/REELDP
    4 813Кешбэк 721 балл
    BLP0427M9S20GZТранзистор: BLP0427M9S20GZ/SOT1483/REELDP
    4 876Кешбэк 731 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Драйверы питания - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Принадлежности
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные диоды
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП