Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
CGHV40050P
CGHV40050P

CGHV40050P

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    MACOM Technology Solutions
  • Артикул:
    CGHV40050P
  • Описание:
    Транзистор: 50W, GAN HEMT, 50V, DC-4.0GHZ, PВсе характеристики

Минимальная цена CGHV40050P при покупке от 1 шт 58125.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить CGHV40050P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики CGHV40050P

  • Тип транзистора
    HEMT
  • Частота
    4GHz
  • Усиление
    19dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Тестовый ток
    300 mA
  • Мощность передачи
    50W
  • Нормальное напряжение
    150 V
  • Корпус
    440206
  • Исполнение корпуса
    440206
  • Base Product Number
    CGHV40050
Техническая документация
 CGHV40050P.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 97 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    58 125 ₽
  • 10
    50 130 ₽
  • 25
    48 135 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    MACOM Technology Solutions
  • Артикул:
    CGHV40050P
  • Описание:
    Транзистор: 50W, GAN HEMT, 50V, DC-4.0GHZ, PВсе характеристики

Минимальная цена CGHV40050P при покупке от 1 шт 58125.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить CGHV40050P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики CGHV40050P

  • Тип транзистора
    HEMT
  • Частота
    4GHz
  • Усиление
    19dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Тестовый ток
    300 mA
  • Мощность передачи
    50W
  • Нормальное напряжение
    150 V
  • Корпус
    440206
  • Исполнение корпуса
    440206
  • Base Product Number
    CGHV40050
Техническая документация
 CGHV40050P.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    CGHV60075D5-GP4Транзистор: RF MOSFET HEMT 50V DIE
    34 314Кешбэк 5 147 баллов
    GTVA107001EC-V1-R0Транзистор: 700W GAN HEMT 50V 0.9-1.2GHZ FET
    238 843Кешбэк 35 826 баллов
    BXL4004-1EXNCH 4.5V DRIVE SERIES
    301Кешбэк 45 баллов
    PTVA127002EV-V1-R0Транзистор: IC AMP RF LDMOS H-36275-4
    99 243Кешбэк 14 886 баллов
    CG2H40045FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440193
    63 832Кешбэк 9 574 балла
    PTVA120251EA-V2-R0Транзистор: IC AMP RF LDMOS H-36265-2
    9 939Кешбэк 1 490 баллов
    CG2H40025FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440166
    36 195Кешбэк 5 429 баллов
    TAV1-541+Транзистор: RF MOSFET E-PHEMT 3V TE2769
    2 562Кешбэк 384 балла
    IRFAE32Транзистор: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
    1 020Кешбэк 153 балла
    2SK772EN-CHANNEL JUNCTION SILICON FET
    47Кешбэк 7 баллов
    CE3520K3-C1Транзистор: RF FET 4V 20GHZ 4MICROX
    425Кешбэк 63 балла
    WPGM1517050Транзистор: RF GAN HEMT MMIC 2pcs/pack
    175 125Кешбэк 26 268 баллов
    CE3512K2Транзистор: RF FET 4V 12GHZ 4MICROX
    403Кешбэк 60 баллов
    BLC10G22XS-400AVTZТранзистор: BLC10G22XS-400AVT/SOT1258/TRAY
    13 920Кешбэк 2 088 баллов
    CPH3338-T-TL-HPCH 4V DRIVE SERIES
    22.4Кешбэк 3 балла
    CPH3337-T-TL-EPCH 2.5V DRIVE SERIES
    39Кешбэк 5 баллов
    ART150FEUТранзистор: ART150FE/SOT467/TRAY
    25 703Кешбэк 3 855 баллов
    TAV-551+Транзистор: RF MOSFET E-PHEMT 3V FG873
    2 821Кешбэк 423 балла
    CGH35015FТранзистор: 15W GAN HEMT 28V 6.0GHZ FLANGE
    20 801Кешбэк 3 120 баллов
    2SK3617-ENCH 4V DRIVE SERIES
    151Кешбэк 22 балла
    RF2L36075CF2Транзистор: 75 W, 28 V, 3.1 TO 3.6 GHZ RF PO
    28 413Кешбэк 4 261 балл
    TPIC46L02DBLEМикросхема: LOW SIDE PRE FET DRIVER
    198Кешбэк 29 баллов
    CLF1G0035-100PТранзистор: RF SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRA
    55 389Кешбэк 8 308 баллов
    MCH6422-TL-ENCH 2.5V DRIVE SERIES
    26Кешбэк 3 балла
    BLS9G3135LS-115UТранзистор: BLS9G3135LS-115/SOT1135/TRAY
    19 196Кешбэк 2 879 баллов
    FSS172-TL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    84Кешбэк 12 баллов
    CGHV96130F-AMPТранзистор: 8.4-9.6GHZ, AMP W/ CGHV96100F2
    343 496Кешбэк 51 524 балла
    2SK1069-4-TL-EN-CHANNEL JUNCTION SILICON FET
    318Кешбэк 47 баллов
    CLF1G0035-50HТранзистор: CLF1G0035-50 - 50W BROADBAND RF
    46 924Кешбэк 7 038 баллов
    BLF189XRBSUТранзистор: RF MOSFET SOT539 TRAY
    49 387Кешбэк 7 408 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - ВЧ
    Принадлежности
    Диодные мосты - Модули
    IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные диоды
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - SCR
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП