CLF1G0035-100P

CLF1G0035-100P NXP USA Inc. Транзистор: RF SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRA

• Основные параметры:
• Тип: RF Small Signal Field-Effect Transistor (RF S-FET)
• Максимальная частота работы: до 1 GHz
• Номинальный напряжение питания: 3.3 V
• Максимальное напряжение между дреном и источником: 10 V
• Максимальный ток дрена: 1 mA
• Тип тока: N-channel
• Плюсы:
• Высокая частотная характеристика
• Малый размер и энергопотребление
• Хорошая стабильность характеристик при температурных изменениях
• Малые габариты
• Минусы:
• Сравнительно низкий ток дрена
• Необходимо соблюдение условий охлаждения при высокой мощности
• Общее назначение:
• Использование в радиочастотных (RF) схемах
• Аmplификация слабосигнальных RF сигналов
• Установка в мобильные устройства, такие как смартфоны и планшеты
• Использование в беспроводных системах связи
• В каких устройствах применяется:
• Мобильные телефоны и планшеты
• Беспроводные наушники и колонки
• Радиостанции и системы спутниковой связи
• Телевизионные антенны и приемники