Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
CMF03(TE12L,Q,M)
  • В избранное
  • В сравнение
CMF03(TE12L,Q,M)

CMF03(TE12L,Q,M)

CMF03(TE12L,Q,M)
;
CMF03(TE12L,Q,M)

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • Артикул:
    CMF03(TE12L,Q,M)
  • Описание:
    Диод: DIODE GEN PURP 900V 500MA M-FLATВсе характеристики

Минимальная цена CMF03(TE12L,Q,M) при покупке от 1 шт 117.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить CMF03(TE12L,Q,M) с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание CMF03(TE12L,Q,M)

CMF03(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Диод: DIODE GEN PURP 900V 500MA M-FLAT

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 900В
    • Номинальный ток: 500mA
    • Форма пакета: M-FLAT
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность благодаря использованию качественных материалов и технологий производства.
    • Устойчивость к перенапряжениям и скачкам напряжения.
    • Малый размер и компактная форма пакета (M-FLAT), что позволяет эффективно использовать пространство в электронных устройствах.
    • Экономичность в энергопотреблении.
  • Минусы:
    • Сравнительно небольшой ток пропускания (500mA).
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках.
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от обратного напряжения.
    • Контроль направления тока в цепях.
    • Передача сигнала по проводам.
  • В каких устройствах применяется:
    • Мощные источники питания.
    • Инверторы.
    • Системы управления двигателей.
    • Автомобильные системы.
    • Промышленное оборудование.
Выбрано: Показать

Характеристики CMF03(TE12L,Q,M)

  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    900 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    500mA
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    2.5 V @ 500 mA
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    100 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    50 µA @ 900 V
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOD-128
  • Исполнение корпуса
    M-FLAT (2.4x3.8)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -40°C ~ 125°C
  • Base Product Number
    CMF03

Техническая документация

 CMF03(TE12L,Q,M).pdf
pdf. 0 kb
  • 2495 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    117 ₽
  • 10
    72 ₽
  • 100
    46 ₽
  • 500
    35 ₽
  • 1000
    31.5 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • Артикул:
    CMF03(TE12L,Q,M)
  • Описание:
    Диод: DIODE GEN PURP 900V 500MA M-FLATВсе характеристики

Минимальная цена CMF03(TE12L,Q,M) при покупке от 1 шт 117.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить CMF03(TE12L,Q,M) с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание CMF03(TE12L,Q,M)

CMF03(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Диод: DIODE GEN PURP 900V 500MA M-FLAT

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 900В
    • Номинальный ток: 500mA
    • Форма пакета: M-FLAT
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность благодаря использованию качественных материалов и технологий производства.
    • Устойчивость к перенапряжениям и скачкам напряжения.
    • Малый размер и компактная форма пакета (M-FLAT), что позволяет эффективно использовать пространство в электронных устройствах.
    • Экономичность в энергопотреблении.
  • Минусы:
    • Сравнительно небольшой ток пропускания (500mA).
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках.
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от обратного напряжения.
    • Контроль направления тока в цепях.
    • Передача сигнала по проводам.
  • В каких устройствах применяется:
    • Мощные источники питания.
    • Инверторы.
    • Системы управления двигателей.
    • Автомобильные системы.
    • Промышленное оборудование.
Выбрано: Показать

Характеристики CMF03(TE12L,Q,M)

  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    900 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    500mA
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    2.5 V @ 500 mA
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    100 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    50 µA @ 900 V
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOD-128
  • Исполнение корпуса
    M-FLAT (2.4x3.8)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -40°C ~ 125°C
  • Base Product Number
    CMF03

Техническая документация

 CMF03(TE12L,Q,M).pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NTE6094R-SCHOTTKY RECT CATH CASE
    4 335Кешбэк 650 баллов
    BAS316_R1_00001Диод: SOD-323, SWITCHING
    10.5Кешбэк 1 балл
    STPSC10H12DYДиод: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220AC
    1 151Кешбэк 172 балла
    1N2138DO5 70 AMP SILICON RECTIFIER
    2 708Кешбэк 406 баллов
    1N1126DO4 12 AMP SILICON RECTIFIER
    622Кешбэк 93 балла
    1N1128ADO4 12 AMP SILICON RECTIFIER
    1 195Кешбэк 179 баллов
    1N1344DO4 6 AMP SILICON RECTIFIER
    2 561Кешбэк 384 балла
    RS2MFS500NS, 2A, 1000V, FAST RECOVERY
    70Кешбэк 10 баллов
    UJ3D06560KSD650V 60A SIC SCHOTTKY DIODE G3,
    2 652Кешбэк 397 баллов
    D1800N48TVFXPSA1DIODE GEN PURP 4.8KV 1800A
    84 118Кешбэк 12 617 баллов
    DZ1070N18KHPSA3DIODE GEN PURP 1.8KV 1100A MOD
    83 066Кешбэк 12 459 баллов
    NTE551R-SI 1.5KV 1A
    556Кешбэк 83 балла
    NTE5847Диод: R-800PRV 3A ANODE CASE
    1 510Кешбэк 226 баллов
    NTE586Диод: D-SCHOTTKY 40V 3A
    400Кешбэк 60 баллов
    NTE5900Диод: R-400PRV 16A CATH CASE
    2 223Кешбэк 333 балла
    NTE5922Диод: R-500PRV 20A CATH CASE
    3 335Кешбэк 500 баллов
    SCS205KGHRCDIODE SCHOTTKY 1200V 5A TO-220-2
    1 056Кешбэк 158 баллов
    1N5811Диод: G 4 6 AMP SILICON RECTIFIER
    1 056Кешбэк 158 баллов
    40HF60REC 40AMP 600V DO5
    1 749Кешбэк 262 балла
    MUR160S R5GДиод: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA
    133Кешбэк 19 баллов
    BAS116GWXДиод: DIODE GEN PURP 75V 215MA SOD123
    51Кешбэк 7 баллов
    BAS521BXДиод: DIODE GEN PURP 250V 250MA SOD523
    39Кешбэк 5 баллов
    GE08MPS06AДиод: 650V 8A TO-220-2 SIC SCHOTTKY MP
    498Кешбэк 74 балла
    DZ950N44KHPSA1DIODE GEN PURP 4.4KV 950A MODULE
    141 857Кешбэк 21 278 баллов
    NTE569D-SI 600V 3A SOFT REC
    556Кешбэк 83 балла
    NTE571Диод: D-1000V 3A 150NS SOFT REC
    556Кешбэк 83 балла
    NTE574Диод: R-400V 1A 35NS TRR
    556Кешбэк 83 балла
    NTE5883Диод: R-600PRV 12A ANODE CASE
    2 779Кешбэк 416 баллов
    NTE5912Диод: R-50PRV 20A CATH CASE
    2 779Кешбэк 416 баллов
    NTE5940Диод: R-50PRV 15A CATH CASE
    828Кешбэк 124 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты - Модули
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диодные мосты
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Симисторы - Модули
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Диоды силовые
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Симисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП