CPH3314-TL-H

CPH3314-TL-H от ON Semiconductor — P-канальный Si MOSFET

• Основные параметры:
  • Рейтингное напряжение (V_GS(th)): -2 V
  • Максимальное напряжение (V_DS(max)): 40 V
  • Рейтингная токовая плотность (R_DSON): 0,06 Ω
  • Максимальный ток (I_D(max)): 35 A
  • Предел температуры (T_case(max)): 175 °C
• Плюсы:
  • Низкое значение токовой плотности R_DSON, обеспечивающее низкие потери при conductive режиме
  • Высокая надежность и долговечность
  • Низкое значение V_GS(th), что позволяет использовать MOSFET с более низким напряжением питания
• Минусы:
  • Отрицательное значение V_GS(th) может вызывать проблемы при управлении MOSFET без специальных меры по предотвращению обратного включения
  • Требует дополнительного проектирования для обеспечения надежной работы при отрицательных значениях V_GS
• Общее назначение:
  • Управление нагрузками в электронных устройствах
  • Изменение состояния цепей питания
  • Ограничение тока
• В каких устройствах применяется:
  • Автомобильные системы управления
  • Системы энергоснабжения
  • Инверторы
  • Питание периферийных устройств
  • Компьютерные системы