Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
CSD75301W1015
  • В избранное
  • В сравнение
CSD75301W1015

CSD75301W1015

CSD75301W1015
;
CSD75301W1015

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    TEXAS INSTRUMENTS
  • Артикул:
    CSD75301W1015
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGAВсе характеристики

Минимальная цена CSD75301W1015 при покупке от 1 шт 216.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить CSD75301W1015 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание CSD75301W1015

CSD75301W1015 — это MOSFET (Металл Оксид Полупроводниковый Транзистор) производства Texas Instruments. Это двухканальный MOSFET с характеристиками:

  • Номинальное напряжение блокировки VDS(on): 10 В
  • Номинальный ток при VDS(on): 1.2 А
  • Пакет: 6-дисковая схема бинディング-гласса (6DSBGA)

Плюсы:

  • Высокая надежность и стабильность работы.
  • Низкий ток срабатывания (RDS(on)) обеспечивает эффективное управление энергии.
  • Малый размер пакета для компактного размещения на плате.

Минусы:

  • Только два канала, что ограничивает его применение в некоторых многоканальных схемах.
  • Предел напряжения VDS(on) 10 В может быть недостаточным для некоторых высоковольтных приложений.

Общее назначение: Используется для управления током в различных электронных устройствах, таких как:

  • Питание микроконтроллеров и других цифровых компонентов.
  • Управление нагрузками в системах питания.
  • Изоляция сигналов в цифровых цепях.

Этот MOSFET широко применяется в устройствах, требующих точного управления током и компактного размера, таких как смартфоны, ноутбуки и другие портативные электронные гаджеты.

Выбрано: Показать

Характеристики CSD75301W1015

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 P-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1.2A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    100mOhm @ 1A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    2.1nC @ 4.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    195pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    800mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-UFBGA, DSBGA
  • Исполнение корпуса
    6-DSBGA (1x1.5)
  • Base Product Number
    CSD75301

Техническая документация

 CSD75301W1015.pdf
pdf. 0 kb
  • 915 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    216 ₽
  • 10
    140 ₽
  • 100
    100 ₽
  • 500
    80 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    TEXAS INSTRUMENTS
  • Артикул:
    CSD75301W1015
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGAВсе характеристики

Минимальная цена CSD75301W1015 при покупке от 1 шт 216.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить CSD75301W1015 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание CSD75301W1015

CSD75301W1015 — это MOSFET (Металл Оксид Полупроводниковый Транзистор) производства Texas Instruments. Это двухканальный MOSFET с характеристиками:

  • Номинальное напряжение блокировки VDS(on): 10 В
  • Номинальный ток при VDS(on): 1.2 А
  • Пакет: 6-дисковая схема бинディング-гласса (6DSBGA)

Плюсы:

  • Высокая надежность и стабильность работы.
  • Низкий ток срабатывания (RDS(on)) обеспечивает эффективное управление энергии.
  • Малый размер пакета для компактного размещения на плате.

Минусы:

  • Только два канала, что ограничивает его применение в некоторых многоканальных схемах.
  • Предел напряжения VDS(on) 10 В может быть недостаточным для некоторых высоковольтных приложений.

Общее назначение: Используется для управления током в различных электронных устройствах, таких как:

  • Питание микроконтроллеров и других цифровых компонентов.
  • Управление нагрузками в системах питания.
  • Изоляция сигналов в цифровых цепях.

Этот MOSFET широко применяется в устройствах, требующих точного управления током и компактного размера, таких как смартфоны, ноутбуки и другие портативные электронные гаджеты.

Выбрано: Показать

Характеристики CSD75301W1015

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 P-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1.2A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    100mOhm @ 1A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    2.1nC @ 4.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    195pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    800mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-UFBGA, DSBGA
  • Исполнение корпуса
    6-DSBGA (1x1.5)
  • Base Product Number
    CSD75301

Техническая документация

 CSD75301W1015.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BUK7K12-60EXТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK
    428Кешбэк 64 балла
    BUK9M11-40EXMOSFET N-CH 40V 53A LFPAK33
    230Кешбэк 34 балла
    BUK7K18-40EXТранзистор: MOSFET 2N-CH 40V 24.2A LFPAK
    252Кешбэк 37 баллов
    PMDT670UPE,115Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666
    91Кешбэк 13 баллов
    BUK9M17-30EXMOSFET N-CH 30V 37A LFPAK33
    200Кешбэк 30 баллов
    BUK9M24-40EXMOSFET N-CH 40V 30A LFPAK33
    110Кешбэк 16 баллов
    BUK9M28-80EXMOSFET N-CH 80V 33A LFPAK33
    173Кешбэк 25 баллов
    BUK9K45-100E,115Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 21A LFPAK56D
    224Кешбэк 33 балла
    BUK7K5R6-30E,115Транзистор: TRANSISTOR >30MHZ
    435Кешбэк 65 баллов
    BUK7K5R1-30E,115Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D
    461Кешбэк 69 баллов
    BUK9K134-100EXТранзистор: MOSFET 2N-CH 100V 8.5A LFPAK56D
    282Кешбэк 42 балла
    BUK7K25-40E,115Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 27A LFPAK56D
    237Кешбэк 35 баллов
    BUK9K89-100E,115Транзистор: TRANSISTOR >30MHZ
    315Кешбэк 47 баллов
    PMGD290UCEAXТранзистор: MOSFET N/P-CH 20V 6TSSOP
    71Кешбэк 10 баллов
    BUK9K32-100EXТранзистор: MOSFET 2N-CH 100V 26A 56LFPAK
    450Кешбэк 67 баллов
    BSS138PS,115Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
    47Кешбэк 7 баллов
    BUK9K12-60EXТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 35A 56LFPAK
    465Кешбэк 69 баллов
    BUK9M42-60EXMOSFET N-CH 60V 22A LFPAK33
    202Кешбэк 30 баллов
    BUK9M7R2-40EXMOSFET N-CH 40V 70A LFPAK33
    280Кешбэк 42 балла
    BUK9K35-60E,115Транзистор
    554Кешбэк 83 балла
    DMP210DUDJ-7Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 0.2A SOT-963
    113Кешбэк 16 баллов
    DMG8601UFG-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN
    141Кешбэк 21 балл
    DMHC4035LSD-13Транзистор: MOSFET 2N/2P-CH 40V 8-SOIC
    240Кешбэк 36 баллов
    ZXMC6A09DN8TAТранзистор: MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC
    589Кешбэк 88 баллов
    ZXMN10A08DN8TAТранзистор: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC
    242Кешбэк 36 баллов
    2N7002DW-TPТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
    60Кешбэк 9 баллов
    AON7934Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 13A/15A 8DFN
    154Кешбэк 23 балла
    AO4828Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8-SOIC
    170Кешбэк 25 баллов
    AO7800Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V SC70-6
    19Кешбэк 2 балла
    AO4805Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 9A 8-SOIC
    146Кешбэк 21 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды силовые
    Симисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Высокочастотные диоды
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Тиристоры - SCR
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диодные мосты
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диодные мосты - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Симисторы - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП