D42C11X

Параметры транзистора D42C11X Harris Corporation 3A NPN Power Transistor:

• Тип транзистора: NPN биполярный силовой транзистор.
• Максимальный коллекторный ток (Ic): 3 Ампера.
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vce): Зависит от конкретной версии D42C11X, но обычно находится в диапазоне 40-80 Вольт. Без точного даташита конкретное значение не указать.
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): Зависит от корпуса и условий охлаждения, но для силового транзистора 3А можно ожидать от 25 до 50 Ватт.
• Коэффициент усиления по току (hFE): Типичное значение для силовых транзисторов, вероятно, находится в диапазоне от 20 до 100.
• Частота перехода (fT): Относительно невысокая для силового транзистора, обычно в пределах нескольких МГц.

Плюсы:

• Высокая нагрузочная способность по току (3А).
• Относительно высокая надежность для силовых применений.
• Широкая доступность (хотя как устаревший компонент Harris Corporation, может быть сложнее найти новые).
• Относительно простая схема управления по сравнению с MOSFET.

Минусы:

• Относительно низкая скорость переключения по сравнению с MOSFET.
• Требуется базовый ток для поддержания проводимости, что приводит к потерям.
• Тепловые потери могут быть значительными при высоких токах и напряжениях.
• Падение напряжения коллектор-эмиттер в насыщении (Vce(sat)) выше, чем у MOSFET с низким сопротивлением канала.
• Harris Corporation как производитель полупроводников больше не существует в этом виде (слияния и поглощения), что может затруднить поиск новых компонентов и актуального даташита.

Общее назначение:

D42C11X NPN силовой транзистор предназначен для коммутации и усиления мощности в различных электронных схемах.

Применение:

• Драйверы двигателей постоянного тока.
• Источники питания и регуляторы напряжения.
• Аудиоусилители мощности (выходные каскады).
• Схемы управления реле и соленоидами.
• Импульсные источники питания (в качестве коммутирующего элемента, но с учетом ограничений по скорости).
• Автомобильная электроника (старые модели).
• Промышленное оборудование.