Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
DCX123JU-7-F
  • В избранное
  • В сравнение
DCX123JU-7-F

DCX123JU-7-F

DCX123JU-7-F
;
DCX123JU-7-F

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    DIODES INCORPORATED
  • Артикул:
    DCX123JU-7-F
  • Описание:
    Транзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363Все характеристики

Минимальная цена DCX123JU-7-F при покупке от 1 шт 38.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DCX123JU-7-F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DCX123JU-7-F

Транзистор DCX123JU-7-F DIODES INCORPORATED:

  • Тип: NPN/PNP преамп с предсателюванням (PREBIAS)
  • Пакет: SOT363

Основные параметры:

  • Управляющий ток (Ic/Ib ratio): 1000
  • Коэффициент усиления: 500
  • Максимальная рабочая температура: 150°C
  • Максимальный управляющий ток (Ib): 10 mA
  • Максимальный ток Collector-Emitter (Ic): 1 A

Плюсы:

  • Высокий коэффициент усиления: Осуществляет значительное усиление сигнала.
  • Прямое подключение: Не требует внешних компонентов для подключения.
  • Малый размер: Компактный пакет SOT363 обеспечивает эффективное использование пространства.
  • Высокая термостойкость: Максимальная рабочая температура до 150°C.

Минусы:

  • Высокие требования к управлению: Необходимо соблюдать ограничения по управляющему току.
  • Меньшая надежность при высоких температурах: При работе при очень высоких температурах может снижаться надежность.

Общее назначение:

  • Использование в схемах усиления сигналов.
  • Применение в цифровых и аналоговых электронных устройствах.
  • Работа в системах управления и датчиков.

В каких устройствах применяется:

  • Мобильные устройства.
  • Автомобили.
  • Системы домашнего контроля.
  • Промышленное оборудование.
Выбрано: Показать

Характеристики DCX123JU-7-F

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    2.2kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Трансформация частоты
    250MHz
  • Рассеивание мощности
    200mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    SOT-363
  • Base Product Number
    DCX123

Техническая документация

 DCX123JU-7-F.pdf
pdf. 0 kb
  • 873 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    38 ₽
  • 10
    23 ₽
  • 500
    11.6 ₽
  • 3000
    9 ₽
  • 12000
    7.7 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    DIODES INCORPORATED
  • Артикул:
    DCX123JU-7-F
  • Описание:
    Транзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363Все характеристики

Минимальная цена DCX123JU-7-F при покупке от 1 шт 38.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DCX123JU-7-F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DCX123JU-7-F

Транзистор DCX123JU-7-F DIODES INCORPORATED:

  • Тип: NPN/PNP преамп с предсателюванням (PREBIAS)
  • Пакет: SOT363

Основные параметры:

  • Управляющий ток (Ic/Ib ratio): 1000
  • Коэффициент усиления: 500
  • Максимальная рабочая температура: 150°C
  • Максимальный управляющий ток (Ib): 10 mA
  • Максимальный ток Collector-Emitter (Ic): 1 A

Плюсы:

  • Высокий коэффициент усиления: Осуществляет значительное усиление сигнала.
  • Прямое подключение: Не требует внешних компонентов для подключения.
  • Малый размер: Компактный пакет SOT363 обеспечивает эффективное использование пространства.
  • Высокая термостойкость: Максимальная рабочая температура до 150°C.

Минусы:

  • Высокие требования к управлению: Необходимо соблюдать ограничения по управляющему току.
  • Меньшая надежность при высоких температурах: При работе при очень высоких температурах может снижаться надежность.

Общее назначение:

  • Использование в схемах усиления сигналов.
  • Применение в цифровых и аналоговых электронных устройствах.
  • Работа в системах управления и датчиков.

В каких устройствах применяется:

  • Мобильные устройства.
  • Автомобили.
  • Системы домашнего контроля.
  • Промышленное оборудование.
Выбрано: Показать

Характеристики DCX123JU-7-F

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    2.2kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Трансформация частоты
    250MHz
  • Рассеивание мощности
    200mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    SOT-363
  • Base Product Number
    DCX123

Техническая документация

 DCX123JU-7-F.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DMA9640T0RТранзистор: TRANS PREBIAS DUAL PNP SSMINI6
    133Кешбэк 19 баллов
    NSBA114TDXV6T5Транзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
    13Кешбэк 1 балл
    PBLS1504V,115Транзистор: TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666
    39Кешбэк 5 баллов
    NSBC143ZPDP6T5GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
    63Кешбэк 9 баллов
    SMUN5233DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
    50Кешбэк 7 баллов
    PUMH10,115Транзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSSOP
    35Кешбэк 5 баллов
    PEMD20,115Транзистор
    14.8Кешбэк 2 балла
    RN2506(TE85L,F)Транзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
    59Кешбэк 8 баллов
    PUMH17,115Транзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSSOP
    35Кешбэк 5 баллов
    PUMD9,115Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
    41Кешбэк 6 баллов
    PUMD12,115Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
    35Кешбэк 5 баллов
    UMG9NTRТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
    85Кешбэк 12 баллов
    EMG3T2RТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT3
    70Кешбэк 10 баллов
    NSVMUN5316DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
    50Кешбэк 7 баллов
    NSB1706DMW5T1GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70
    50Кешбэк 7 баллов
    NSBC114EDXV6T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
    67Кешбэк 10 баллов
    SMUN5335DW1T1GТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
    50Кешбэк 7 баллов
    PEMB10,115Транзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT666
    87Кешбэк 13 баллов
    SMUN5335DW1T2GТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
    50Кешбэк 7 баллов
    DDA114EU-7-FТранзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
    67Кешбэк 10 баллов
    EMB2T2RТранзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
    98Кешбэк 14 баллов
    EMA5T2RТранзистор
    72Кешбэк 10 баллов
    EMH3T2RТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
    98Кешбэк 14 баллов
    EMH6T2RТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
    39Кешбэк 5 баллов
    EMG11T2RТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
    94Кешбэк 14 баллов
    PQMH9ZТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN DFN1010B-6
    9.3Кешбэк 1 балл
    MUN5311DW1T2GТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
    44.5Кешбэк 6 баллов
    PEMD19,115Транзистор
    9.3Кешбэк 1 балл
    PBLS2023D,115Транзистор: TRANS PREBIAS 1PNP 1PNP 6TSOP
    28Кешбэк 4 балла
    PUMD48,125Транзистор: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V 6TSSOP
    44.5Кешбэк 6 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - JFET
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Принадлежности
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты
    Диодные мосты - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - SCR
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Симисторы - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - выпрямители - массивы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Симисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП